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一种中频真空电弧弧后击穿机理的模拟计算方法和装置、电子设备

摘要

本发明公开了一种中频真空电弧弧后击穿机理的模拟计算方法和装置、电子设备,属于真空电弧弧后击穿机理分析技术领域,所述方法包括:计算金属液滴迁移过程中释放的金属蒸气的空间分布;根据金属蒸气的空间分布,对金属蒸气的密度和速度进行初始化,预设宏粒子;计算空间电荷及电流密度分布;依据所述空间电荷和电流密度分布,计算电势分布和电场分布,并更新宏粒子中正离子和电子的相空间位置;若未形成导电通道,判定是否达到最大迭代次数;若未达到最大迭代次数,返回执行计算空间电荷及电流密度分布的步骤;若已达到最大迭代次数或已形成导电通道,输出中频真空电弧弧后现象计算结果。通过本发明公开的方法,能够对中频真空电弧弧后击穿机理进行深入解析。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F30/20 专利申请号:2022101122744 申请日:20220129

    实质审查的生效

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