首页> 中国专利> 石墨烯应变传感器及石墨烯应变传感器的制备方法

石墨烯应变传感器及石墨烯应变传感器的制备方法

摘要

本申请公开了石墨烯应变传感器及石墨烯应变传感器的制备方法,该石墨烯应变传感器中的导电层包括由两个或者两个以上多层石墨烯单元形成的堆叠结构。该石墨烯应变传感器中的多层石墨烯单元通过常压化学气相沉积法制备,并利用蚀刻液除去多层石墨烯单元的生长衬底,得到自支撑多层石墨烯单元;将自支撑多层石墨烯单元转移至另一搭载有多层石墨烯单元的生长衬底,如此循环,可以得到两个或两个以上多层石墨烯单元形成的堆叠结构,作为石墨烯应变传感器的导电层。本申请提供的石墨烯应变传感器既具有较宽的检测范围,又具有较高的灵敏度。

著录项

  • 公开/公告号CN114459336A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202210213164.7

  • 发明设计人 李红变;冯吉勇;李玮琛;

    申请日2022-03-04

  • 分类号G01B7/16;C01B32/186;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 510700 广东省广州市黄埔区开源大道136号D栋201室

  • 入库时间 2023-06-19 15:15:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-10

    公开

    发明专利申请公布

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号