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一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法

摘要

本发明涉及电光调制器技术领域,提出一种基于薄膜铌酸锂的偏振无关电光调制器及其制备方法,包括基底层,基底层顶部设置有薄膜铌酸锂平板层,薄膜铌酸锂平板层上设置有作为输入波导的第一端面耦合器、偏振旋转分束器、两个马赫曾德尔干涉仪、偏振旋转合束器、作为输出波导的第二端面耦合器,以及用于输入射频信号和偏置电压的电极;两个马赫曾德尔干涉仪在薄膜铌酸锂平板层上对称设置。本发明中的电极和马赫曾德尔干涉仪结合形成马赫曾德尔调制器用于实现电光调制,实现在铌酸锂薄膜上对任意偏振态输入都可以进行偏振无关调制。

著录项

  • 公开/公告号CN114415400A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN202210109306.5

  • 发明设计人 蔡鑫伦;潘颖;

    申请日2022-01-28

  • 分类号G02F1/035;G02B27/28;G02F1/21;G02F1/225;G02F1/01;G02B6/34;G02B6/136;

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人禹小明

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2023-06-19 15:07:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/035 专利申请号:2022101093065 申请日:20220128

    实质审查的生效

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