一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底

摘要

本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种氮化镓器件图形化衬底的湿法制作方法及图形化衬底，包括：步骤S1：于基板上形成一掩膜层；所述掩膜层上具有多个第一突出部；步骤S2：对所述基板进行湿法蚀刻以形成一过渡层；步骤S3：对所述过渡层进行表面修饰，以形成所述图形化衬底。本发明的有益效果在于：通过掩膜层和过渡层实现了对衬底的二次加工，在衬底表面形成较为准确的微结构的同时实现了对衬底表面的进一步修饰，避免了现有技术中因离子蚀刻工艺导致的器件表面损伤的问题。