单片正压控制的低控制电压高功率容量单刀双掷开关

摘要

本发明公开了一种单片正压控制的低控制电压高功率容量单刀双掷开关，包括开关堆叠模块一至四、隔直电容C1至C8，偏置电阻R1至R6；本发明通过隔直电容以及偏置电阻将射频开关电路中的晶体管偏置在固定电压下，使开关在大信号工作时保证漏极/源极到衬底的结电容不会由于发生正向偏置而导通，从而提高开关的功率容量，且不影响开关的工作频带、插入损耗、隔离度等指标，且电路结构简单，性能稳定，集成度高。