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一种基于激光激励纵波测量亚表面缺陷深度的方法

摘要

本发明公开了一种基于激光激励纵波测量亚表面缺陷深度的方法。其步骤为:1)将脉冲激光器探头置于工件亚表面缺陷的一侧,与亚表面缺陷相距d1;2)将激光测振仪放置在工件亚表面缺陷的另一侧;3)利用激光测振仪接收模态转换表面波R1;4)将脉冲激光器探头向亚表面缺陷移动,使探头与亚表面缺陷距离为d2;5)利用激光测振仪接收模态转换表面波R2;6)通过模态转换波R1和R2的到达时间和距离d1与d2,计算纵波声速和亚表面缺陷的深度。本发明能够用于超精密加工在位检测和其他一些高温高压等特殊环境中的亚表面缺陷深度的检测。

著录项

  • 公开/公告号CN114295731A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN202111627514.6

  • 申请日2021-12-28

  • 分类号G01N29/07(20060101);G01N29/34(20060101);G01N29/24(20060101);

  • 代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陈炜

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

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