SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置

摘要

本发明公开了一种SiC/Si混合并联器件的栅极优化控制方法及装置，具体为：步骤1：根据流经SiC/Si混合并联器的负载电流选择开关模式；步骤2：采用迭代计算根据SiC/Si混合并联器件的损耗计算SiC MOSFET的结温Tj_MOS以及SiC MOSFET的结温Tj_IGBT；步骤3：在Tj_MOS和Tj_IGBT之间选择最大值作为参考结温Tj，如果Tj小于预设的第一参考结温Tref_j1，或者大于等于预设的第二参考结温Tref_j2，则采用最小损耗控制法计算SiC/Si混合并联器开关的开通、关断延迟时间；否则采用热平衡法。本发明提高了混合并联器的效率。