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一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法

摘要

本发明公开了一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法,属于液晶面板加工技术领域,首先将带孔的掩膜板与下部电极表面贴合,通过在掩膜板表面进行熔射喷涂后透过孔在下部电极表面形成Emboss,所述Emboss的间隔和位置与孔的间隔和位置一一对应;其中所述掩膜板由若干矩形的分膜板拼接而成,在其中一些分膜板的侧面分别设置有凸起和凹槽,所述凸起的形状与所述凹槽的形状对应,相邻两块掩膜板之间通过所述凸起和凹槽进行凹凸配合。本发明方法通过在接触的掩膜板之间通过凸凹镶嵌进行拼接,相比直线切割后直接拼接的方式,孔距更加精准,减少了人工对位误差。

著录项

  • 公开/公告号CN114280829A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆臻宝实业有限公司;

    申请/专利号CN202210011592.1

  • 发明设计人 吴昊;李宗泰;杨佐东;

    申请日2022-01-06

  • 分类号G02F1/13(20060101);

  • 代理机构50221 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郭泽培

  • 地址 401326 重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道66号附72号

  • 入库时间 2023-06-19 14:46:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-05

    公开

    发明专利申请公布

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