基于天牛须算法的GaNHEMT器件寄生参数的提取方法

摘要

基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，所述方法包括包括如下步骤：S1、在低频夹断偏置条件下测量能够表征寄生电容参数值范围的S参数，并且将S参数转化为Y参数；S2、设置天牛须算法，并且利用天牛须算法对Y参数进行优化得到寄生电容的最优解；S3、去除寄生电容的影响后，在零偏置条件下提取寄生电感和寄生电阻的参数值范围；S4、调整天牛须算法，并且利用天牛须算法对寄生电感和寄生电阻进行优化得到寄生电感和寄生电阻的最优解。本发明提供一种基于天牛须算法的GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，能够有效提升GaN HEMT器件寄生参数提取结果的精确度。