利用圆偏振激光实现半导体纳米晶中单激子增益的方法

摘要

本发明提供一种利用圆偏振激光实现半导体纳米晶中单激子增益的方法，涉及激光技术领域。该方法包括以下步骤：采用半导体纳米晶制备薄膜样品，使样品分子紧密填充且位置固定；使用紫外‑可见吸收光谱仪测量薄膜样品的吸光度；利用飞秒激光器与圆偏振片产生一束圆偏振光，作为泵浦光聚焦到薄膜样品上；改变泵浦光的光强，使用另一束圆偏振光作为探测光，探测薄膜样品的基态漂白信号强度；判断基态漂白信号强度是否等于吸光度，如果是，则确定泵浦光的临界光强即为单激子的增益阈值。