用于通过功率半导体开关中的饱和检测来进行短路探测的方法和装置

摘要

本发明涉及一种用于通过功率半导体开关中的饱和检测来进行短路探测的方法以及一种相应的装置。根据功率半导体开关的供电电压（UVDD）来提供参考电压（Uref）。由所述功率半导体开关的负载路径的电压降（UΔ）与所提供的参考电压（Uref）之差来产生电压差（Udiff）。将所产生的电压差（Udiff）与预先确定的极限电压（Ulim）进行比较。如果所述电压差（Udiff）超过所述极限电压（Ulim），则检测出所述功率半导体开关的负载路径中的短路电流并且在这种情况下断开所述功率半导体开关。