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一种高光电转换率的新型黑硅片

摘要

本发明公开了一种高光电转换率的新型黑硅片,包括黑硅片本体,黑硅片本体外部设置有固定框架,固定框架外部固定有固定板,固定板上设置有固定孔,固定框架的左侧固定设置有固定块,固定块上转动连接有第一转轴,第一转轴上固定连接有挡板,固定框架的右侧转动设置有第二转轴,第二转轴上固定设置有卡扣,固定框架的内壁上设置有第一卡槽和第二卡槽,黑硅片本体设置在第一卡槽的减震胶条内,第二卡槽内部设置有透镜,固定框架上开设有多个螺纹通孔;通过设置的透镜增加了聚光的效果,增加了光电转换效率,通过设置了第一卡槽、第二卡槽以及螺纹通孔增加了稳定性,固定块、第一转轴、第二转轴以及卡扣的设置增加了产品的安全性和更换的便携性。

著录项

  • 公开/公告号CN114249021A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏德润光电科技有限公司;

    申请/专利号CN202011000084.0

  • 发明设计人 何飞;

    申请日2020-09-22

  • 分类号B65D61/00(20060101);B65D81/05(20060101);

  • 代理机构11427 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人艾秀丽

  • 地址 225600 江苏省扬州市高邮经济开发区凌波路

  • 入库时间 2023-06-19 14:42:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-29

    公开

    发明专利申请公布

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