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一种热成像装置及热成像方法

摘要

本申请属于半导体设备技术领域,尤其涉及一种热成像装置及热成像方法,热成像装置用于检测待测芯片的表面温度,热成像装置包括光源组件,用于发射预设波长的光线;反射组件,用于将光源所发出的光线反射至待测芯片表面的反射层;反射层,设置于待测芯片的表面,且反射层的禁带宽度小于光源所发出光线的能量;成像组件,用于接收经由反射层反射的光线并输出待测芯片表面的图像。本申请提供的热成像装置及热成像方法,利用禁带宽度小于光源组件的光线能量的反射层,来反映待测芯片的表面温度,有效解决了现有技术中因待测芯片的禁带宽度过大所导致的无法对待测芯片表面进行热反射成像的问题,满足芯片的热反射成像测温需求。

著录项

  • 公开/公告号CN114216570A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学(深圳);

    申请/专利号CN202111500833.0

  • 发明设计人 孙华锐;何阳;张亮辉;

    申请日2021-12-09

  • 分类号G01J5/48(20060101);G01J5/20(20060101);G01J5/02(20220101);

  • 代理机构44414 深圳中一联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人许烁

  • 地址 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

  • 入库时间 2023-06-19 14:36:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-22

    公开

    发明专利申请公布

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