一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法

摘要

本发明涉及光纤传感和波导制备技术领域，提供了一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法。采用质子交换制备的铌酸锂波导由于提高TE传导模(或TM传导模)折射率、降低TM漏模(或TE漏模)折射率，因此天然具备单偏振传输特性，但是由于漏模在下表面或侧面反射，重新耦合进入波导区或输出光纤3，限制了其消光比在50dB左右。利用石墨的高吸收特性以及石墨与铌酸锂晶体相近的折射率，本发明采用石墨导电胶5涂覆于芯片下表面和侧面，大幅度降低漏模反射率，降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤3，具有提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比的优点。