一种具有010优势生长取向的、类单晶钒酸铋纳米棒阵列的制备方法

摘要

一种具有[010]优势生长取向的、类单晶钒酸铋纳米棒阵列的制备方法，涉及光阳极材料领域，尤其涉及一种钒酸铋纳米棒阵列的制备方法。是要解决现有方法制备的BiVO4薄膜的光电流密度低的问题。方法：一、制备ZnO种子层溶液；二、在FTO导电基底上制备具有[001]取向的ZnO种子层；三、制备BiVO4阵列；四、煅烧。本方法制备的纳米棒阵列具有[010]优势生长方向，垂直于导电基底的结构，可以提高光生载流子的传输效率，避免光生载流子在传输路径上的晶界势垒，可提高光生电子和空穴的分离效率，从而提高BiVO4的光电流密度。本发明用于制备钒酸铋纳米棒阵列。