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一种考虑边界层效应的膏体管输沿程阻力损失计算模型的构建方法

摘要

本发明公开一种考虑边界层效应的膏体管输沿程阻力损失计算模型的构建方法,属于膏体充填技术领域。本发明所述方法通过对膏体料浆管道输送过程中膏体内部颗粒的受力分析,来探明膏体料浆管输过程中粗细骨料在管道径向上的分布规律,进而构建出管道径向上膏体料浆屈服应力与塑性粘度的梯度模型,并结合膏体管输的流形特点,通过流量分析,建立考虑边界层效应的膏体管输沿程阻力损失计算模型。本发明建立的模型更真实的反应了膏体料浆管道输送过程中的流动规律,考虑了流变参数的边界层效应,使得新模型计算的沿程阻力损失值更为准确。在此基础上,建立膏体管输沿程阻力计算模型的可视化系统,使得模型的应用更加简便,具有重要的理论研究意义和较高的推广应用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN114186502A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN202110998883.X

  • 发明设计人 杨天雨;乔登攀;王俊;李广涛;

    申请日2021-08-28

  • 分类号G06F30/28(20200101);G06F113/08(20200101);G06F113/14(20200101);G06F119/14(20200101);

  • 代理机构11803 北京众允专利代理有限公司;

  • 代理人沈小青

  • 地址 650000 云南省昆明市五华区学府路253号

  • 入库时间 2023-06-19 14:31:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-15

    公开

    发明专利申请公布

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