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公开/公告号CN113934081A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 湖北科技学院;
申请/专利号CN202111224830.9
发明设计人 章普;
申请日2021-10-21
分类号G02F3/02(20060101);G02F3/00(20060101);
代理机构42249 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙);
代理人刘喜
地址 437100 湖北省咸宁市咸安区咸宁大道88号
入库时间 2023-06-19 13:54:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-10
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G02F 3/02 专利申请号:2021112248309 申请公布日:20220114
发明专利申请公布后的撤回
机译: 用于形成光子晶体结构的包括石墨烯层的石墨烯光子晶体发光器件
机译: 基于压电材料的薄膜和光子晶体结构的基于光子晶体的光学传感器及其制造方法
机译: 具有光子感测石墨烯层和垂直集成的石墨烯场效应晶体管的光电检测结构
机译:全光开关基于一维光子晶体的缺陷层中的掺杂石墨烯量子点
机译:金属纳米复合光子晶体中基于Fano共振的全光开关
机译:纳米复合光子晶体微腔的可调耦合全光开关
机译:面向超小型全光开关器件的基于光子晶体的对称Mach-Zehnder(PC-SMZ)结构的制造和表征
机译:基于石墨烯晶体管的纳米电子和纳米光子应用。
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:采用光子晶体不对称Fano结构的超快低能全光开关
机译:用于非线性光子应用的纳米复合材料和光子晶体聚合物结构