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用于改善共模抑制比的方法和设备及包括这种设备的系统

摘要

本公开涉及用于改善共模抑制比的方法和设备及包括这种设备的系统。共模电压的变化可会对差分采样电路产生不利影响。共模电压的变化可能会改变晶体管开关的导通电阻,而这可意味着对较大的共模信号没有正确地观察到小的信号变化。本公开涉及通过改变对部件的供电或驱动电压来补偿共模电压变化来提高解决小的差分信号变化的能力的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN113495179A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 亚德诺半导体无限责任公司;

    申请/专利号CN202110777515.2

  • 申请日2018-09-10

  • 分类号G01R1/28(20060101);G01R15/06(20060101);G01R17/00(20060101);G01L9/02(20060101);H03F3/45(20060101);H03K17/0812(20060101);H03K17/30(20060101);H03K17/56(20060101);H03M1/12(20060101);H03M1/46(20060101);H04B1/04(20060101);G01R19/00(20060101);

  • 代理机构11038 中国贸促会专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张小稳

  • 地址 百慕大群岛(英)哈密尔顿

  • 入库时间 2023-06-19 12:51:29

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