阵列基板及其制作方法、显示面板

摘要

本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。所述方法包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一第一金属层；在所述第一金属层上形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层形成一有源层；以及在所述有源层上形成一第二金属层；其中所述有源层包括依次层叠设置的第一器件层和第二器件层，所述第二器件层的材料为二维纳米材料，所述第二器件层具有宽光谱感应性。本申请利用喷墨打印的方法将二维纳米材料构建为光敏膜层，并且通过调节纳米材料的组成，以构建出具有高增益的光电膜层，再与高迁移率膜层进行结合，从而构建出具有迁移率较高且宽光谱光响应的显示设备。

说明书

技术领域

本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着5G时代的临近，人机交互不断升级发展。单纯的近程触控已经不能满足用户的体验。远程交互的实施，目前开发最为火热的为光交互互动。目前，业内多采用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)或摄像头，对手势等进行光捕捉，从而实现互动。但是，摄像头捕捉需要单独模块，以降低屏幕显示的穿透率，并且其在设计上需要特殊设计，与全面屏概念相悖。因此，将光响应电路集成于显示电路之间，能够极大程度地降低成本，并且提高美观设计感。

目前将光响应器件集成于显示电路之中，多数采用无定形硅(a-Si)工艺。这是由于a-Si是极佳的光响应材料，对光响应的波段在可见光区。但是，a-Si的电子迁移率要逊色于铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，简称IGZO)，因此，开发具有光响应功能的IGZO器件是可以进一步提升信号传输的迭代产品。然而IGZO器件的光吸收波段在紫外光波段较强，而紫外光对人体的伤害性较大，并不适合在人机交互的场景中使用。因此，开发出具有光波谱吸收的IGZO器件是十分必要的。

发明内容

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种阵列基板的制作方法，包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成一第一金属层；在所述第一金属层上形成一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层形成一有源层；以及在所述有源层上形成一第二金属层；其中所述有源层包括依次层叠设置的第一器件层和第二器件层，所述第二器件层的材料为二维纳米材料，所述第二器件层具有宽光谱感应性。

进一步地，在所述栅极绝缘层形成一有源层的步骤中，还包括步骤：在所述栅极绝缘层上形成所述第一器件层，所述第一器件层的迁移率大于一预设迁移率，所述预设迁移率的范围为50～300cm

进一步地，所述墨水的溶质为PEAI:MAI:PbI2＝2:2:3，所述溶剂为N,N-DMF。

进一步地，在通过喷墨打印方式将墨水沉积在所述第一器件层上，以形成所述第二器件层的步骤之后，还包括步骤：对所述墨水加热至40℃至60℃，直至溶剂挥发。

进一步地，所述二维纳米材料包括：二维钙钛矿、二维硫化钼及二维无机化合物。

根据本申请的另一方面，还提供了一种阵列基板包括：一衬底基板；一第一金属层，设置于所述衬底基板上；一栅极绝缘层，设置于所述第一金属层上；一有源层，设置于所述栅极绝缘层上；以及一第二金属层，设置于所述有源层上；其中所述有源层包括依次层叠设置的第一器件层和第二器件层，所述第二器件层的材料为二维纳米材料，所述第二器件层具有宽光谱感应性。

进一步地，所述第一器件层设置于所述栅极绝缘层上，所述第一器件层的迁移率大于一预设迁移率，所述预设迁移率的范围为50～300cm

进一步地，所述第二器件层的材料的前驱体包括：PEAI、MAI、PbI2，PEAI、MAI、PbI2比例为2:2:3。

进一步地，所述二维纳米材料包括：二维钙钛矿、二维硫化钼及二维无机化合物。

根据本申请的又一方面，还提供了一种显示面板，包括如上述的阵列基板。

本申请的优点在于，相较于现有技术，本申请利用喷墨打印的方法，将二维纳米材料构建为光敏膜层，并且通过调节纳米材料的组成，以构建出具有高增益的光电膜层，再与高迁移率膜层进行结合，从而构建出具有迁移率较高且宽光谱光响应的显示设备。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1、为申请实施例所提供的一种阵列基板的制作方法的步骤流程图。

图2、为申请实施例所提供的步骤S140子步骤流程图。

图3、为申请实施例所提供的阵列基板中衬底基板结构示意图。

图4、为申请实施例所提供的阵列基板中第一金属层结构示意图。

图5、为申请实施例所提供的阵列基板中栅极绝缘层结构示意图。

图6、为申请实施例所提供的阵列基板中第一器件层结构示意图。

图7、为申请实施例所提供的阵列基板中第二器件层结构示意图。

图8、为申请实施例所提供的阵列基板中第二金属层结构示意图。

图9、为申请实施例所提供的一种显示面板结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本实施例中，所述模拟显示屏触摸单元与所述头部追踪单元连接，用于获取所述显示设备中的感应光标的移动路径。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

如图1所示，为申请实施例所提供的阵列基板的制作方法的步骤流程图，包括步骤：

步骤S110：提供一衬底基板。

在本申请实施例中，衬底基板为玻璃基板。所述玻璃基板主要包括碱玻璃及无碱玻璃，其中碱玻璃包括钠玻璃及中性硅酸硼玻璃两种。

步骤S120：在所述衬底基板上形成一第一金属层。

在本申请实施例中，所述第一金属层主要包括栅极走线，所述栅极走线主要由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。由排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有筛网状或螺旋状的电极形成多极电子管，所述多极电子管是用于控制阴极表面电场强度，从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子。

步骤S130：在所述第一金属层上形成一栅极绝缘层。

在本申请实施例中，采用化学气相沉积设备于第一金属层上表面沉积一栅极绝缘层，且沉积采用解离反应气体形成所述栅极绝缘层。

步骤S140：在所述栅极绝缘层形成一有源层。

结合参阅图2，在本申请实施例中，步骤S140包括如下步骤：

步骤S141：在所述栅极绝缘层上形成所述第一器件层。

在本申请实施例中，所述第一器件层的迁移率大于一预设迁移率，所述预设迁移率的范围为50～300cm

步骤S142：通过喷墨打印方式将墨水沉积在所述第一器件层上，以形成所述第二器件层。

在本申请实施例中，所述二维纳米材料可以包括：二维钙钛矿、二维硫化钼(MoS

步骤S143：对所述墨水加热至40℃至60℃，直至溶剂挥发。

在本申请实施例中，所述第二器件层的材料采用二维钙钛矿。

步骤S150：在所述有源层上形成一第二金属层。

在本申请实施例中，所述第二金属层可以为源、漏电极层。

本申请的优点在于，相较于现有技术，本申请利用喷墨打印的方法，将二维纳米材料构建为光敏膜层，并且通过调节纳米材料的组成，以构建出具有高增益的光电膜层，再与高迁移率膜层进行结合，从而构建出具有迁移率较高且宽光谱光响应的显示设备。

如图8所示，为本申请实施例所提供的阵列基板结构示意图。所述阵列基板包括：一衬底基板10、一第一金属层20、一栅极绝缘层30、一有源层及一第二金属层60。

参阅图3，在本申请实施例中，衬底基板为玻璃基板。所述玻璃基板主要包括碱玻璃及无碱玻璃，其中碱玻璃包括钠玻璃及中性硅酸硼玻璃两种。

参阅图4，所述第一金属层20设置于所述衬底基板10上。在本申请实施例中，所述第一金属层20主要包括栅极走线，所述栅极走线主要由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。由排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有筛网状或螺旋状的电极形成多极电子管，所述多极电子管是用于控制阴极表面电场强度，从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子。

参阅图5，所述栅极绝缘层30设置于所述第一金属层20上。在本申请实施例中，采用化学气相沉积设备于第一金属层20上表面沉积一栅极绝缘层30，且沉积采用解离反应气体形成所述栅极绝缘层30。

所述有源层设置于所述栅极绝缘层30上。在本申请实施例中，所述有源层包括：第一器件层40和第二器件层50。

参阅图6，所述第一器件层40设置于所述栅极绝缘层30上。在本申请实施例中，所述第一器件层40的迁移率大于一预设迁移率，所述预设迁移率的范围为50～300cm

参阅图7，所述第二器件层50设置于所述第一器件层40上。在本申请实施例中，所述二维纳米材料包括：二维钙钛矿、二维硫化钼(MoS

继续参阅图8，所述第二金属层60设置于所述有源层上。在本申请实施例中，所述第二金属层60主要为源、漏电极层。

本申请的优点在于，相较于现有技术，本申请利用喷墨打印的方法，将二维纳米材料构建为光敏膜层，并且通过调节纳米材料的组成，以构建出具有高增益的光电膜层，再与高迁移率膜层进行结合，从而构建出具有迁移率较高且宽光谱光响应的显示设备。

如图9所示，为本申请实施例提供的显示面板结构示意图，所述显示面板300包括上述实施例所述的阵列基板。所述显示面板300可用于显示装置中.

该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

当本实施例的显示装置采用上述实施例所述的阵列基板时，其显示效果更好。

当然，本实施例的显示装置中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。