一种In2O3基气敏材料的制备方法、制得的气敏材料及其应用

摘要

本发明公开一种In2O3基气敏材料的制备方法，涉及MEMS气体传感器技术领域，本发明包括以下步骤：(1)将InCl3溶于醋酸中；(2)将柠檬酸溶于乙醇、乙二醇、水和丙三醇溶液中，然后将柠檬酸溶液逐滴加入步骤(1)的InCl3醋酸溶液中，搅拌，制得In2O3基前驱溶液，即为In2O3基气敏材料。本发明还提供由上述制备方法制得的敏感芯片、气体传感器。本发明的有益效果在于：制得的气体传感器具有很好的一致性、重复性，对多种有毒有害气体有着不同程度的灵敏度，具有较好的选择性。