一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器，属于紫外探测技术领域，包括衬底，在所述衬底上依次生长低Al组分的n型AlGaN层、高Al组分的n型AlGaN层、周期性AlxGa1‑xN/AlN超薄量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层；还包括n型电极和p型电极。本发明还提供了上述超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器的制备方法。本发明的超薄量子阱结构AlGaN日盲紫外探测器，利用超薄多量子阱结构作为器件的吸收工作区，避免了AlGaN材料生长质量差以及禁带宽度随温度变化等问题；在n型AlGaN区生长不同Al组分的异质结构，利用异质结产生的极化电场增强器件对光生载流子的输运能力，提高器件综合性能；器件结构简单、制备方法工艺也简单、应用前景广泛。