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用于4堆叠3D PCM存储器的新型分布式阵列和触点架构

摘要

一种三维存储器包括在深度方向上堆叠的存储单元层。底部单元层包括底部单元阵列块,顶部单元层包括在垂直方向上与底部单元阵列块对齐的顶部单元阵列块,并且至少一个中间单元层包括在垂直方向上与底部单元阵列块偏移的中间单元阵列块。该存储器包括多条位线和多条位线触点,其中底部单元位线触点连接到底部单元位线,顶部单元位线触点连接到顶部单元位线和底部单元位线,而中间单元位线触点连接到中间单元位线,并位于底部单元阵列块之间的空间中。

著录项

  • 公开/公告号CN111758171A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202080001056.2

  • 发明设计人 刘峻;

    申请日2020-05-12

  • 分类号H01L45/00(20060101);H01L27/24(20060101);

  • 代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵磊;刘柳

  • 地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

  • 入库时间 2023-06-19 08:30:12

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