公开/公告号CN108727031A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-02
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;
申请/专利号CN201810631509.4
申请日2018-06-19
分类号C04B35/565(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲;郑优丽
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 06:57:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-27
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/565 申请日:20180619
实质审查的生效
2018-11-02
公开
公开
机译: 单晶碳化硅的液相增长曲线法,单晶碳化硅基体的制备方法以及单晶碳化硅基体
机译: 用具有高强度和电阻率的组合物制备液相烧结碳化硅多孔体的组合物液相烧结碳化硅多孔体的组合物及其制造方法
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