一种利用碳纳米场效应晶体管的三值SRAM单元电路

摘要

本发明公开了一种利用碳纳米场效应晶体管的三值SRAM单元电路，包括写位线、读位线、列选择位线、反相列选择位线、写字线、反相写字线、读字线、反相读字线、第一P型CNFET管、第二P型CNFET管、第三P型CNFET管、第四P型CNFET管、第五P型CNFET管、第六P型CNFET管、第七P型CNFET管、第八P型CNFET管、第九P型CNFET管、第一N型CNFET管、第二N型CNFET管、第三N型CNFET管、第四N型CNFET管、第五N型CNFET管、第六N型CNFET管、第七N型CNFET管、第八N型CNFET管和第九N型CNFET管；优点是功耗较低，可以克服半选择问题和读干扰问题，静态噪声容限较高。