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公开/公告号CN108531141A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-14
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨工业大学;
申请/专利号CN201810599360.6
发明设计人 何飞;牛国强;张鑫;周粮;李文洁;李明伟;赫晓东;
申请日2018-06-11
分类号C09K5/06(20060101);
代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;
代理人贾泽纯
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
入库时间 2023-06-19 06:31:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C09K5/06 申请日:20180611
实质审查的生效
2018-09-14
公开
机译: 利用多孔阳极氧化铝模板的有序分子器件阵列的制备方法
机译: 具有孔双峰系统的有序多孔氧化物组包括均相氧化物,具有煅烧和离子交换作用,可去除有机物
机译:Si衬底上Al膜的阳极氧化工艺形成具有短距离有序25 nm纳米孔的氧化铝模板
机译:通过脉冲激光烧蚀在纳米多孔氧化铝模板上制备有序La0.7Sr0.3MnO3纳米孔阵列
机译:阳极氧化铝模板的有序纳米孔的克里斯托勒形成机理
机译:第一步和第二步阳极氧化步骤对三步阳极氧化过程中阳极氧化铝模板中纳米孔有序化的影响
机译:多孔阳极氧化铝模板中有序的碳纳米管生长和光反射率。
机译:通过交流电沉积在高度有序的氧化铝模板中制备钴镍二元纳米线
机译:在硅衬底上制备高度有序的阳极氧化铝模板