公开/公告号CN108243003A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-03
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN201710192398.7
申请日2017-03-28
分类号H04L9/32(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2023-06-19 05:51:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H04L9/32 申请日:20170328
实质审查的生效
2018-07-03
公开
公开
机译: 具有蚀刻阻挡膜的SOI基板,其制造方法,在其上生产的SOI集成电路以及使用该方法生产SOI集成电路的方法
机译: 在衬底上生产可能具有绝缘层的难熔金属硅化物层的方法,特别是用于制造集成电路互连层的方法
机译: 在衬底上生产可能具有绝缘层的难熔金属硅化物层的方法,特别是用于制造集成电路互连层的方法