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在集成电路上生成数据集的方法、集成电路及其制造方法

摘要

一种在包含可编程电阻式存储单元的集成电路上生成数据集的方法,包含施加形成脉冲到可编程电阻式存储单元集合中的所有成员。形成脉冲具有形成脉冲电平,特色在于,在该集合的第一子集中引发从初始电阻范围到中间电阻范围的电阻变化,而在形成脉冲之后,该集合的第二子集具有落在该中间范围外的电阻。所述方法包含施加编程脉冲到第一子集和第二子集。编程脉冲具有编程脉冲电平,特色在于,引发第一子集从中间范围到第一最终范围的电阻变化,而在编程脉冲之后,第二子集具有在第二最终范围中的电阻,第一子集和第二子集借此储存所述数据集。

著录项

  • 公开/公告号CN108243003A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201710192398.7

  • 发明设计人 曾柏皓;许凯捷;李峰旻;林昱佑;

    申请日2017-03-28

  • 分类号H04L9/32(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

  • 入库时间 2023-06-19 05:51:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H04L9/32 申请日:20170328

    实质审查的生效

  • 2018-07-03

    公开

    公开

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