一种提高共源极钨墙与钨栅极之间击穿电压的3D NAND制备方法

摘要

本发明提供了一种提高共源极钨墙与钨栅极之间击穿电压的3D NAND制备方法，所述方法包括如下步骤：提供一具有沟道槽的衬底堆叠结构，在沟道槽中进行第一次栅极线间隙层(GLSP)低温氧化物沉积；进行第二次栅极线间隙层高温氧化物沉积；第一次栅极线间隙层和第二次栅极线间隙层的回刻蚀；在沟道槽填充沉积共源极钨(W)墙；共源极钨(W)墙的表面平坦化。本发明第二次栅极线间隙线的材料采用高温原子层沉积氧化物代替现有技术中采用的低温氧化物，由于高温氧化物具有更高的致密度，因此会提高所制备的3D NAND的共源极钨墙与钨栅极之间的击穿电压，提高器件的电气性能。