一种用于提纯增白天然无水石膏的煅烧设备及其生产工艺

摘要

本发明公布了一种用于提纯增白天然无水石膏的煅烧设备及其生产工艺，它包括回转窑，回转窑的中部设置有多个加热内筒；加热内筒通过支撑架固定在回转窑内；加热内筒上设置有独立的工作烧嘴；回转窑在加热内筒的外端设置有预热烧嘴。本发明的目的是提供一种用于提纯增白天然无水石膏的煅烧设备及其生产工艺，通过一次性煅烧，可以使硬石膏的白度达到98％以上。

说明书

技术领域

本发明涉及一种无水石膏的煅烧设备和生产工艺，具体为一种用于提纯增白天然无水石膏的煅烧设备及其生产工艺。

背景技术

天然无水石膏又称硬石膏，是一种重要的工业原料。高品质、高百度的硬石膏在建筑材料、涂料、橡胶、食品等方面具有广泛的用图。我国天然硬石膏资源丰富，但因其自身性质和深加工技术的制约，传统工艺加工的硬石膏品质和白度满足不了现代工业应用要求，导致国内出现低档次硬石膏产品饱和过剩，而中高档硬石膏产品相对短缺的局面。

发明内容

本发明的目的是针对以上问题，提供一种用于提纯增白天然无水石膏的煅烧设备及其生产工艺，通过一次性煅烧，可以使硬石膏的白度达到98％以上。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：

一种用于提纯增白天然无水石膏煅烧设备，它包括回转窑10，所述回转窑10的中部设置有多个加热内筒1002；所述加热内筒1002通过支撑架1001固定在回转窑10内；所述加热内筒1002上设置有独立的工作烧嘴1003；所述回转窑10在加热内筒1002的外端设置有预热烧嘴1004。

较佳情况下，所述加热内筒1002的数量为3个，呈三角形排布。

一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺，它包括以下步骤：

a、硬石膏进入到进料仓1，通过给料机2送入到一级破碎机3中进行一次破碎；

b、一次破碎后的硬石膏经第一提升机4提升至缓冲料仓5，再进入二级破碎机6进行二次破碎；

c、二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理，煅烧温度控制在750～800℃，煅烧时间为90～120min；

d、硬石膏煅烧后进入冷却机11内冷却；

e、冷却后的硬石膏送入到研磨装置中研磨，检测后即得高纯度无水石膏。

较佳情况下，步骤c中的回转窑10操作步骤为：预热烧嘴点火将回转窑10进行预热，待温度达到750～800℃时，关闭预热烧嘴，预热停止；工作烧嘴点火，煅烧温度控制在750-800℃。

较佳情况下，步骤c中二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8后，加入质量份数为5％的NH₄Cl，搅拌均匀后，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理。

较佳情况下，步骤c中的煅烧温度控制在800℃，煅烧时间为90min。

本发明的有益效果：

1、本发明提供的一种用于提纯增白天然无水石膏煅烧设备，采用了内外混合式煅烧硬石膏，解决了硬石膏在内烧时，增白效果差，热耗低以及外烧时，虽增白效果好，但却热耗高的难题，能够实现节能减排和提高产量的目的。

2、本发明提供的一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺,通过一次性煅烧，可以使硬石膏的白度达到98％以上。

3、本发明提供的一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺,解决了硬石膏煅烧增白过程中容易过烧或欠烧的难点，达到高效增白的目的。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

图2为本发明中回转窑的结构示意图。

图3为本发明中回转窑中加热内管分布的结构示意图。

图4为图3中A-A处的剖面示意图。

图中所述文字标注表示为：1、进料仓；2、给料机；3、一级破碎机；4、第一提升机；5、缓冲料仓；6、二级破碎机；7、第二提升机；8、储料仓；9、计量输送机；10、回转窑；11、冷却机；12、第三提升机；1001、支撑架；1002、加热内筒；1003、工作烧嘴；1004、预热烧嘴。

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。

实施例1：

一种用于提纯增白天然无水石膏煅烧设备，它包括回转窑10，所述回转窑10的中部设置有多个加热内筒1002；所述加热内筒1002通过支撑架1001固定在回转窑10内；所述加热内筒1002上设置有独立的工作烧嘴1003；所述回转窑10在加热内筒1002的外端设置有预热烧嘴1004。

优选的，所述加热内筒1002的数量为3个，呈三角形排布。

一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺，它包括以下步骤：

a、硬石膏进入到进料仓1，通过给料机2送入到一级破碎机3中进行一次破碎；

b、一次破碎后的硬石膏经第一提升机4提升至缓冲料仓5，再进入二级破碎机6进行二次破碎；

c、二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理，煅烧温度控制在750℃，煅烧时间为90min；

d、硬石膏煅烧后进入冷却机11内冷却；

e、冷却后的硬石膏送入到研磨装置中研磨，检测后即得高纯度无水石膏。

优选的，步骤c中的回转窑10操作步骤为：预热烧嘴点火将回转窑10进行预热，待温度达到750℃时，关闭预热烧嘴，预热停止；工作烧嘴点火，煅烧温度控制在750℃。

优选的，步骤c中二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8后，加入质量份数为5％的NH₄Cl，搅拌均匀后，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理。

实施例2：

一种用于提纯增白天然无水石膏煅烧设备，它包括回转窑10，所述回转窑10的中部设置有多个加热内筒1002；所述加热内筒1002通过支撑架1001固定在回转窑10内；所述加热内筒1002上设置有独立的工作烧嘴1003；所述回转窑10在加热内筒1002的外端设置有预热烧嘴1004。

优选的，所述加热内筒1002的数量为3个，呈三角形排布。

一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺，它包括以下步骤：

a、硬石膏进入到进料仓1，通过给料机2送入到一级破碎机3中进行一次破碎；

b、一次破碎后的硬石膏经第一提升机4提升至缓冲料仓5，再进入二级破碎机6进行二次破碎；

c、二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理，煅烧温度控制在780℃，煅烧时间为100min；

d、硬石膏煅烧后进入冷却机11内冷却；

e、冷却后的硬石膏送入到研磨装置中研磨，检测后即得高纯度无水石膏。

优选的，步骤c中的回转窑10操作步骤为：预热烧嘴点火将回转窑10进行预热，待温度达到780℃时，关闭预热烧嘴，预热停止；工作烧嘴点火，煅烧温度控制在780℃。

优选的，步骤c中二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8后，加入质量份数为5％的NH₄Cl，搅拌均匀后，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理。

实施例3：

一种用于提纯增白天然无水石膏煅烧设备，它包括回转窑10，所述回转窑10的中部设置有多个加热内筒1002；所述加热内筒1002通过支撑架1001固定在回转窑10内；所述加热内筒1002上设置有独立的工作烧嘴1003；所述回转窑10在加热内筒1002的外端设置有预热烧嘴1004。

优选的，所述加热内筒1002的数量为3个，呈三角形排布。

一种用于提纯增白天然无水石膏的生产工艺，它包括以下步骤：

a、硬石膏进入到进料仓1，通过给料机2送入到一级破碎机3中进行一次破碎；

b、一次破碎后的硬石膏经第一提升机4提升至缓冲料仓5，再进入二级破碎机6进行二次破碎；

c、二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理，煅烧温度控制在800℃，煅烧时间为120min；

d、硬石膏煅烧后进入冷却机11内冷却；

e、冷却后的硬石膏送入到研磨装置中研磨，检测后即得高纯度无水石膏。

优选的，步骤c中的回转窑10操作步骤为：预热烧嘴点火将回转窑10进行预热，待温度达到800℃时，关闭预热烧嘴，预热停止；工作烧嘴点火，煅烧温度控制在800℃。

优选的，步骤c中二次破碎的硬石膏经第二提升机7提升至储料仓8后，加入质量份数为5％的NH₄Cl，搅拌均匀后，经计量输送机9送入至回转窑10内进行煅烧处理。

为验证煅烧前后硬石膏中碳含量的变化，将经800℃煅烧120min(直接煅烧优化出的煅烧条件)后的硬石膏进行C、S、H、N等有机元素分析，结果与硬石膏原矿粉有机元素分析，得出如下数据

样品称重(g)含C量(％)含S量(％)含H量(％)含N量(％)M1：0.9801.69615.9510.2620M2：0.9540.97017.1760.0890

从以上数据可以看，硬石膏经800℃煅烧120min后C和H的含量明显减少，主要是由于经高温煅烧后，硬石膏中炭质、水分羟基随之除去，剩余的C主要存在与未分解的碳酸盐中，如CaCO₃等，而H则存在与结合水中。S的含量有所升高，主要是由于高温煅烧除去较多的杂质，硬石膏的晶位得到提高，故而S的寒冷提高。正因为C含量的减少，故硬石膏白度升高。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，由于文字表达的有限性，而客观上存在无限的具体结构，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进、润饰或变化，也可以将上述技术特征以适当的方式进行组合；这些改进润饰、变化或组合，或未经改进将发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均应视为本发明的保护范围。