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一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于多孔硅的荧光生物传感器基底材料的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、在常温环境下用电化学腐蚀法以P型单晶Si为基底制备多层多孔硅样品;S2、制备纳米金胶溶液;S3、将氨基化后的多孔硅样品浸泡在纳米金胶溶液中8小时以得到纳米金修饰后的样品;S4、将量子点溶液滴定在氨基化的多孔硅样品上常温下放置6小时,使得CdSe或ZnS量子点缓慢地沉积在多孔硅薄膜上;S5、对样品进行表面形貌表征、反射谱测量及光致发光测量。利用多孔硅的布拉格结构及纳米金的等离子体效应双重增强嵌入多孔硅中的CdSe/ZnS量子点荧光的方法,成功制备了一种具有较强荧光信号及生物兼容性的QDs/Au/PSi(量子点嵌入纳米金修饰的多孔硅)生物传感器基底材料。

著录项

  • 公开/公告号CN106442438A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 新疆大学;

    申请/专利号CN201610641579.9

  • 发明设计人 何蕾;贾振红;王佳佳;

    申请日2016-11-04

  • 分类号G01N21/64;

  • 代理机构北京中恒高博知识产权代理有限公司;

  • 代理人姜万林

  • 地址 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市胜利路14号新疆大学

  • 入库时间 2023-06-19 01:41:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-20

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N21/64 申请公布日:20170222 申请日:20161104

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-03-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/64 申请日:20161104

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

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