法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-22
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01R31/00 申请公布日:20161012 申请日:20140718
发明专利申请公布后的撤回
2016-11-09
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/00 申请日:20140718
实质审查的生效
2016-10-12
公开
公开
机译: 量子阱MOSFET通道具有与金属源极/漏极晶格不匹配以及保形的再生长源极/漏极
机译: 保形支持极限装置和保形可穿戴结构结合保形支持极限装置
机译: 具有金属-半导体材料复合区域的半导体器件的制造方法,该方法能够减小源极和漏极区域的结深度,并提高晶体管的源极和漏极区域的接触电阻