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纳米氧化亚铜颗粒的制备方法以及形貌和粒径调控方法

摘要

本发明提供了一种纳米氧化亚铜颗粒的制备方法。该方法仅以铜盐、强碱、还原剂为原料,在铜盐溶液中先后加入强碱溶液与还原剂溶液而制备,控制铜离子:氢氧根离子:还原剂的摩尔比为1:(2~10):(0.5~10),氢氧根离子的加入速率为0.04mol/h~0.8mol/h,还原剂的加入速率为0.05mol/h~0.8mol/h,能够得到粒径均匀、形貌规整的纳米氧化亚铜,因此降低了成本、简化了制备工艺。另外,通过调控强碱、还原剂的加入速率、强碱、还原剂加入后的反应温度和反应时间,以及还原反应完成后的静置时间实现了对纳米氧化亚铜形貌与粒径的有效调控,其粒径调控范围在300nm~1000nm,形貌调控范围为立方体形、球形、八面体形等形状。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-14

    授权

    授权

  • 2016-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/02 申请日:20141106

    实质审查的生效

  • 2016-06-01

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于氧化亚铜技术领域,具体涉及一种纳米氧化亚铜颗粒的制备方法 以及形貌和粒径调控方法。

背景技术

氧化亚铜是一种p型半导体材料,禁带宽度为2.1eV。由于量子尺寸效应, 纳米氧化亚铜表现出奇特的光学及电学性能。另外,纳米氧化亚铜作为新型的少 数可被可见光激发的p型氧化物半导体材料,具有活性的电子-空穴对系统,表 现出良好的催化活性、低温顺磁等特性。因此,氧化亚铜纳米颗粒在有机合成、 光电转换、新型能源和海洋防污等领域具有很好的重要应用。

目前,国内外文献报导了许多控制纳米氧化亚铜形貌和粒径的方法。例如, 在公开号为CN101348275A的专利中,郭林等人通过添加聚乙烯吡咯烷酮作为 修饰剂合成了多面体状的纳米氧化亚铜颗粒;ZhuHongfei等人用乙二胺和十六 烷基胺作缓冲剂制备了可控粒径立方体Cu2O微粒;Takanari等人通过添加有 N、O螯合结构的有机物溶液,得到粒径可控的纳米Cu2O颗粒。

但是,这些方法都需要添加表面活性剂或修饰剂才能得到一定程度的形貌和 粒径可控的纳米氧化亚铜颗粒,制备条件较复杂,合成过程不易控制,并且还需 进一步纯化处理去除表面的化学残留,生产成本高。

发明内容

本发明的技术目的在于针对上述纳米氧化亚铜颗粒的技术现状,提供一种制 备纳米氧化亚铜颗粒的简单方法,该方法无需添加表面活性剂、修饰剂等物质, 成本低、简单易操作。

为了实现上述技术目的,本发明人通过大量实验反复探索后发现,以铜盐、 强碱、还原剂为原料,利用溶液化学还原法制备纳米氧化亚铜颗粒时,在不添加 表面活性剂、修饰剂等物质的条件下,将铜盐、强碱、还原剂的摩尔比控制在 1:(2~10):(0.5~10)范围,控制在50~80℃条件下充分反应,并且控制强碱 的添加速率为0.04mol/h~0.8mol/h,还原剂的添加速率为0.05mol/h~0.8mol/h 时,能够得到粒径均匀的纳米氧化亚铜颗粒,因此大大简化了纳米氧化亚铜颗粒, 避免了反应中因添加表面活性剂、修饰剂等物质时所需要的后续纯化处理过程, 降低了生产成本。

即,本发明的技术方案为:一种纳米氧化亚铜颗粒的制备方法,以铜盐、强 碱、还原剂为原料,采用溶液化学还原法制备,控制铜离子:氢氧根离子:还原 剂的摩尔比为1:(2~10):(0.5~10),具体过程为:在铜盐溶液中加入强碱溶 液,控制氢氧根离子的加入速率为0.04mol/h~0.8mol/h,滴加完毕后升温至50~ 80℃,待充分反应生成氢氧化铜后加入还原剂溶液进行还原反应,控制还原剂的 加入速率为0.05mol/h~0.8mol/h,待充分反应后静置一定时间,经水洗、醇洗、 过滤干燥后得到纳米氧化亚铜颗粒。

作为优选,所述的还原剂溶液的温度为50~80℃。

作为优选,控制铜离子:氢氧根离子:还原剂的摩尔比为1:(4~8):(2~ 5)。

作为优选,氢氧根离子的加入速率为0.08mol/h~0.5mol/h。

作为优选,还原剂的加入速率为0.08mol/h~0.5mol/h。

作为优选,强碱溶液滴加完毕后反应5~20min,进一步优选为8~15min, 更优选为10min。

作为优选,还原剂溶液滴加完毕后反应5~25min,进一步优选为8~20min, 更优选为15min。

作为优选,所述的静置时间为1h~5h。

利用上述制备方法制得的纳米氧化亚铜颗粒粒径均匀,在300nm~1000nm, 呈立方体形、球形、八面体形等形状。

所述的铜盐不限,可选自硫酸铜、氯化铜、硝酸铜、醋酸铜等中的一种或者 两种以上的混合物。

所述的强碱不限,可选自氢氧化钠、氢氧化钾等。

所述的还原剂不限,可选自水合肼、硼氢化钠、亚硫酸钠、葡萄糖、甲醛、 抗坏血酸中的一种或几种的混合。

本发明人经过大量实验对比后还发现,当利用本发明的制备方法制备纳米氧 化亚铜颗粒时,其余条件不变,通过控制氢氧根离子的加入速率、还原剂的加入 速率、强碱加入后的反应时间、还原剂加入后的反应时间,以及还原反应完成后 的静置时间中的一种或者几种,能够控制制得的纳米氧化亚铜颗粒的形貌与粒 径。该形貌调控范围为立方体形、球形、八面体形等形状,粒径调控范围在 300nm~1000nm。

即,本发明提供了一种调控纳米氧化亚铜颗粒形貌与粒径的方法,在纳米氧 化亚铜颗粒制备过程中通过调控如下(一)至(五)中的一种参数或者两种以上 的参数而调控纳米氧化亚铜颗粒的形貌与粒径;

(一)氢氧根离子的加入速率

(二)还原剂的加入速率;

(三)强碱加入后的反应时间;

(四)还原剂加入后的反应时间;

(五)还原反应完成后的静置时间;

所述的纳米氧化亚铜颗粒的制备过程即采用本发明上述制备方法中所述的 制备过程。

综上所述,本发明在利用溶液化学还原法制备纳米氧化亚铜颗粒时,仅采用 铜盐、强碱、还原剂为原料,通过控制铜离子、氢氧根离子、还原剂的摩尔量之 比、反应温度,以及控制氢氧根离子、还原剂的加入速率得到了粒度均匀、分散 性好的纳米氧化亚铜颗粒,从而降低了成本、简化了制备工艺。同时,本发明通 过调控氢氧根离子的加入速率、还原剂的加入速率、强碱加入后的反应时间、还 原剂加入后的反应时间,以及反应完成后的静置时间中的一种或者几种,实现了 对纳米氧化亚铜颗粒形貌与粒径的有效调控,其粒径调控范围在300nm~ 1000nm,形貌调控范围为立方体形、球形、八面体形等形状。

附图说明

图1是本发明实施例1-1制得的立方体型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图2是本发明实施例1-2制得的立方体型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图3是本发明实施例1-3制得的非晶纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图4是本发明实施例1-4制得的立方体型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图5是本发明实施例2-1制得的球型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图6是本发明实施例2-2制得的球型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图7是本发明实施例2-3制得的球型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图8是本发明实施例3-1制得的正八面体型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图9是本发明实施例3-2制得的正八面体型纳米氧化亚铜颗粒的扫描照片图;

图10是本发明实施例1-1、1-2、1-3、1-4、2-1制得的纳米氧化亚铜颗粒的X 射线衍射分析图;

图11是本发明实施例2-2、2-3、3-1、3-2制得的纳米氧化亚铜颗粒的X射线衍 射分析图。

具体实施方式

下面结合附图实施例对本发明作进一步详细描述,需要指出的是,以下所述 实施例旨在便于对本发明的理解,而对其不起任何限定作用。

实施例1-1:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法如下:

(1)将5.0g五水硫酸铜配成100mL溶液,室温搅拌使铜盐充分溶解,制 备得到铜离子浓度为0.2mol/L五水硫酸铜盐溶液。

(2)将3.2g氢氧化钠配成100mL溶液,室温搅拌使氢氧化钠在水中充分 溶解,制备得到浓度为0.8mol/L氢氧化钠碱溶液。

(3)将7.2g无水葡萄糖配成100mL溶液,室温搅拌使葡萄糖充分溶解, 制备得到浓度为0.4mol/L的葡萄糖溶液。

(4)在室温下,在100mL0.2mol/L五水硫酸铜溶液中滴加100mL步骤(2) 制得的氢氧化钠溶液,并不断搅拌,控制氢氧根离子的滴加速率为0.08mol/h, 即氢氧化钠溶液在60min滴加完毕;滴加完毕后升温至55℃,快速搅拌反应 10min,然后快速搅拌加入100mL步骤(3)制得的已加热为55℃的葡萄糖溶液, 控制葡萄糖的滴加速率为0.16mol/h,15min滴加完毕;然后静置3h,水洗4次, 醇洗4次,在80℃下烘干。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图10中的曲线1所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图1,由图1可见该纳米氧 化亚铜颗粒为立方体型,颗粒平均边长为400nm,且粒径大小分布均匀。

实施例1-2:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例1-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,控制还原剂无水葡萄糖的滴加速率为0.08mol/h,即30min滴 加完毕。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图10中的曲线2所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图2,由图2可见该纳米氧 化亚铜颗粒为立方晶型,颗粒平均边长为600nm,且粒径大小分布均匀。

实施例1-3:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例1-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,控制还原剂无水葡萄糖的滴加速率为0.02mol/h,120min滴 加完毕。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图10中的曲线3所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图3,由图3可见由于还原 剂的添加速度过于缓慢,形成非晶状态。

实施例1-4:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例1-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,强碱氢氧化钠的滴加速度为0.04mol/h,120min滴加完毕。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图10中的曲线4所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图4,由图4可见该纳米氧 化亚铜颗粒为立方晶型,颗粒平均边长为900nm,且粒径大小分布均匀。

实施例2-1:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法如下:

(1)将3.4g氯化铜配成100mL溶液,室温搅拌使铜盐充分溶解,得到铜 离子浓度为0.2mol/L氯化铜盐溶液。

(2)将6.7g氢氧化钾配成100mL溶液,室温搅拌使氢氧化钾在水中充分 溶解,得到浓度为1.2mol/L氢氧化钾碱溶液。

(3)将7.2g无水葡萄糖配成100mL溶液,室温搅拌使葡萄糖充分溶解, 得到浓度为0.4mol/L的葡萄糖溶液。

(4)在室温下,在100mL氯化铜溶液中边搅拌边滴加100mL步骤(2)制 得的氢氧化钾溶液,控制氢氧根离子的滴加速率为0.24mol/h,30min完成滴加; 滴加完毕后,升温至55℃,快速搅拌20min,然后快速搅拌加入100mL步骤(3) 制得的已加热为55℃的葡萄糖溶液,控制葡萄糖的滴加速率为0.16mol/h,15min 滴加完毕;然后静置2h、洗涤过滤,水洗4次,醇洗4次,在80℃下烘干。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图10中的曲线5所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒扫描电镜照片如图5,由图5可见该纳米氧化 亚铜颗粒为球型,平均粒径为500nm,粒径大小分布均匀。

实施例2-2:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例2-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,控制氢氧根离子的滴加速率为0.12mol/h,60min滴加完毕。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图11中的曲线1所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图6,由图6可见上述制得 该纳米氧化亚铜颗粒为球型,颗粒平均粒径为700nm,粒径大小分布均匀。

实施例2-3:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例2-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,控制还原剂无水葡萄糖的滴加速率为0.8mol/h,3min滴加完 毕。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图11中的曲线2所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图7,由图7可见上述制得 该纳米氧化亚铜颗粒为球型,颗粒平均粒径为800nm,粒径大小分布均匀。

实施例3-1:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法如下:

(1)将3.7g硝酸铜配成100mL溶液,室温搅拌是铜盐充分溶解,得到铜 离子浓度为0.2mol/L硝酸铜盐溶液。

(2)将6.4g氢氧化钠配成100mL溶液,室温搅拌是氢氧化钠在水中充分 溶解,得到浓度为1.6mol/L氢氧化钠碱溶液。

(3)将7.5g亚硫酸钠配成100mL溶液,室温搅拌使亚硫酸钠充分溶解, 得到浓度为0.4mol/L亚硫酸钠溶液。

(4)在室温下,在100mL硝酸铜溶液中边搅拌边滴加100mL步骤(2)制 得的氢氧化钠溶液,控制氢氧根离子的滴加速率为0.08mol/h,120min完成滴加; 滴加完毕后升温至70℃,快速搅拌10min,然后快速搅拌加入步骤(3)制得的 已加热时70℃的亚硫酸钠溶液,控制亚硫酸钠的滴加速率为0.16mol/h,15min 滴加完毕;然后静置2h,洗涤过滤,水洗4次,醇洗4次,在80℃下烘干。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图11中的曲线3所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒扫描电镜照片如图8,由图8可见该纳米氧化 亚铜颗粒为正八面体型,颗粒平均粒径为650nm,分布均匀。

实施例3-2:

本实施例中,纳米氧化亚铜颗粒的制备方法与实施例3-1基本相同,所不同 的是步骤(4)中,静置时间为5小时。

上述制得颗粒的X-射线谱图如图11中的曲线4所示,显示该颗粒为纳米氧 化亚铜颗粒。

上述制得的纳米氧化亚铜颗粒的扫描电镜照片如图9,由图9可见上述制得 该纳米氧化亚铜颗粒为正八面体型,颗粒平均粒径为800nm,粒径大小分布均匀。

以上所述的实施例对本发明的技术方案进行了详细说明,应理解的是以上所 述仅为本发明的具体实施例,并不用于限制本发明,凡在本发明的原则范围内所 做的任何修改和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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