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法律状态
2023-04-07
专利权的转移 IPC(主分类):B23K 1/008 专利号:ZL2016102178794 登记生效日:20230327 变更事项:专利权人 变更前权利人:黑龙江省工业技术研究院 变更后权利人:黑龙江省工研院资产经营管理有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:150000 黑龙江省哈尔滨市松北区中源大道14955号加速器9号楼 变更后权利人:150027 黑龙江省哈尔滨市高新技术产业开发区科技创新城创新创业广场9号楼中源大道14955号1单元412室
专利申请权、专利权的转移
2018-10-09
授权
授权
2016-07-06
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K1/008 申请日:20160408
实质审查的生效
2016-06-08
公开
公开
技术领域
本发明涉及一种钎焊方法。
背景技术
先进结构陶瓷材料以自身良好的耐热，高强度，耐腐蚀等优势，在国防、能源、航空 航天、机械、石化、冶金、电子等行业，各种特殊环境下获得了重视，并且有着良好的应 用前景，也成为了目前许多国家科研领域的焦点，得到了大量人力物力的投入。
在众多透波陶瓷材料中，氮化物系陶瓷材料(如多孔Si3N4陶瓷)具有尺寸稳定性好、承 载能力强、抗热震性好等一系列突出优异的性能，从而成为符合高速巡航导弹天线罩标准 的理想材料，近几十年来，各国科研人员在这一领域投入了大量的人力和物理并且开展了 广泛的研究。金属的塑韧性均优于陶瓷材料，但其高温性能、硬度及耐腐蚀等性能要逊于 陶瓷材料。而且实际工程中也迫切地需要解决陶瓷和金属的连接问题，从而有效发挥陶瓷 及金属各自的优势，获得综合性能良好的零部件。近些年来，Si3N4陶瓷和金属的连接问题 成为众多研究者关注的热点。
天线罩开口一侧端面需与导弹弹体金属材料进行可靠有效的连接，才能满足实际的工 程应用。在实际的工业生产中，在天线罩开口侧端部放置一个连接环，天线罩与导弹弹体 分别与连接环进行连接，从而实现天线罩罩体与弹体的有效连接。陶瓷材料制备的天线罩 往往需要与低膨胀合金材料制备的弹体进行连接，其中常用的低膨胀系数的合金材料为 Invar合金，其在室温下热膨胀系数仅为1.6×10-6℃-1，对多孔Si3N4陶瓷与Invar连接问题 的研究具有重要的理论指导意义和实用价值。但是多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的连接鲜有 相关报道。
钎焊过程中Invar合金热膨胀系数随着温度升高会有明显的变化，因此在钎焊冷却过程 中会在陶瓷与金属界面上形成较大的残余热应力，较大的热应力能够明显降低接头强度， 甚至产生显微裂纹，另一方面Ti元素较为活泼能与Invar合金发生相互作用生成Fe-Ti以及 Ni-Ti相等脆性化合物，从而对接头强度产生了不利影响。
发明内容
本发明是为了解决Invar合金在钎焊冷却过程中会在陶瓷与金属界面上形成较大的残 余热应力，降低接头强度的技术问题，提供了一种钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方 法。
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温10～30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加 热到850～950℃，在连接压力为3×103Pa～4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃， 随炉冷却至室温，即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为50～150μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
钎焊过程中Invar合金热膨胀系数随着温度升高会有明显的变化，因此在钎焊冷却过 程中会在陶瓷与金属界面上形成较大的残余热应力，较大的热应力能够明显降低接头强 度，甚至产生显微裂纹，另一方面Ti元素较为活泼能与Invar合金发生相互作用生成Fe-Ti 以及Ni-Ti相等脆性化合物，从而对接头强度产生了不利影响。
本发明为了使钎料对陶瓷母材有较好的润湿效果，采用Ag-Cu-Ti钎料。为了降低钎料 熔点Ag-Cu-Ti钎料以及靠近Invar一侧的Ag-Cu比例为Ag-Cu共晶点成分72：28。Ti为 活性元素能够与陶瓷发生相互作用从而提高润湿性。本发明选用的Cu中间层厚度为 50-150μm，，通过加入软金属中间层Cu，一方面能够阻碍Ti元素扩散，抑制脆性化合物生 成；另一方面Cu通过自身的塑性变形缓解了接头应力。从而得到高质量的多孔Si3N4/Invar 合金接头。本发明研究了钎焊温度以及Cu中间层厚度对接头的影响，通过改变钎焊温度以 及Cu中间层厚度进而实现对接头组织和性能的控制。
本发明的有益效果是：
(1)相比于单独使用Ag-Cu-Ti钎料，Cu中间层的引入能够更好的环节接头残余应力， 使接头更加可靠；
(2)Cu中间层的加入能够很大程度上阻隔了Ti元素与Invar合金的接触，从而阻止脆 性化合物的形成；
(3)钎焊过程中由于Ti扩散受到抑制，从而使更多的Ti元素能够与陶瓷一侧相互作 用形成更好的连续反应层，从而获得良好接头，接头性能大幅度提高，接头强度可达 73MPa。
附图说明
图1是实验一中所得接头的微观组织形貌图；
图2是实验二中所得接头的微观组织形貌图；
图3是实验三中所得接头的微观组织形貌图；
图4是图3的局部放大图；
图5是实验四中所得接头的微观组织形貌图；
图6是实验五中所得接头的微观组织形貌图；
图7是图6的局部放大图；
图8是实验六中所得接头的微观组织形貌图；
图9是实验七中所得接头的微观组织形貌图；
图10是实验八中所得接头的微观组织形貌图；
图11是图10的局部放大图；
图12是实验九中所得接头的微观组织形貌图；
图13是图12的局部放大图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意 组合。
具体实施方式一：本实施方式钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤 进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温10～30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加 热到850～950℃，在连接压力为3×103Pa～4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃， 随炉冷却至室温，即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤一中抛光Invar合金的 方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二之一不同的是步骤一中抛光Cu 箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。其它与具体实施方式一或二之一相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是步骤二中所述Cu 箔片的厚度为50～150μm。其它与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是步骤二中所述Cu 箔片的厚度为100μm。其它与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是步骤二中所述粘结 剂为羟乙基纤维素。其它与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是步骤三中然后以 10℃/min的加热速度将试样加热到860℃，在连接压力为3×103Pa的条件下保温20min。 其它与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是步骤三中然后以 10℃/min的加热速度将试样加热到870℃，在连接压力为3×103Pa的条件下保温20min。 其它与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是步骤三中然后以 10℃/min的加热速度将试样加热到900℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min。 其它与具体实施方式一至八之一相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是步骤三中然后以 10℃/min的加热速度将试样加热到940℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min。 其它与具体实施方式一至九之一相同。
采用下述实验验证本发明效果：
实验一：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 850℃，在连接压力为3×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为50μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，Ti为3.6at.％(原子数百分含量)；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为38MPa。
实验二：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 900℃，在连接压力为3×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为50μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为40MPa。
实验三：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 950℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为50μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为50MPa。
实验四：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温20min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 850℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为100μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为43MPa。
实验五：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温20min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 900℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为100μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为73MPa。该强度相比仅使用Ag-Cu-Ti合金钎料得到的钎焊接头 强度提高了55％。
实验六：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 950℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为100μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为52MPa。
实验七：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温10min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 850℃，在连接压力为3×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为150μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为32MPa。
实验八：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 900℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为150μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为35MPa。
实验九：
钎焊多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的方法按照以下步骤进行：
一、将抛光后的Invar合金以及Cu箔片放入无水乙醇中，超声波清洗15min；
二、将Ag-Cu-Ti钎料与粘结剂混合，然后涂在多孔Si3N4陶瓷下表面，将Ag-Cu钎 料与粘结剂混合，然后涂在Invar合金的上表面，再将Cu箔片夹在Ag-Cu-Ti钎料与Ag-Cu 钎料间，得试样；
三、试样上面加上压块放于真空烧结炉中，在真空度为6×10-3Pa的条件下，以10℃/min 的加热速率将试样加热到300℃并保温30min，然后以10℃/min的加热速度将试样加热到 950℃，在连接压力为4×103Pa的条件下保温20min，再降温至300℃，随炉冷却至室温， 即完成多孔Si3N4陶瓷与Invar合金的钎焊。
本实验步骤一中抛光Invar合金的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Invar合金打磨至表面光亮无 划痕。
步骤一中抛光Cu箔片的方法如下：
依次采用400#金相砂、800#金相砂、1200#金相砂纸将Cu箔片打磨至表面光亮无划 痕，再采用粒度为0.5μm的金刚石抛光剂对Cu箔片表面进行抛光直至表面在显微镜下无 划痕。
步骤二中所述Cu箔片的厚度为150μm。
步骤二中所述粘结剂为羟乙基纤维素。
步骤二Ag-Cu-Ti钎料中Cu为28at.％，3.6Tiat.％；
步骤二Ag-Cu钎料中Cu为28at.％。
本实验中接头的强度为36MPa。
机译： 弥散强化铜@合金的真空炉钎焊-使用不含银的钎焊合金钎焊到金属，陶瓷或金属陶瓷
机译： 用于热喷涂的Al合金粉末钎焊填充金属，其热喷涂方法以及由此可获得的钎焊涂覆有金属的挤出多孔扁平管
机译： SiC多孔陶瓷材料的制备方法及使用该方法制备的多孔陶瓷材料
