一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法

摘要

本发明提供了一种提高可控硅承受阳极电压上升率的方法，由主回路电源为可控硅提供阳极正向电压，可控硅的门极与阴极间串接串联的触发控制电源及开关一，其特征在于：电源的负极串接开关二后与可控硅的门极相连，电源的正极与可控硅的阴极相连，当开关一断开且开关二闭合后，由电源给可控硅的门极与阴极之间提供反向电压偏置，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，也不会产生充电电流，使可控硅误导通。本发明保证了可控硅的门极与阴极之间为负偏，从而即使主回路电源的电压上升率du/dt过高，不会产生充电电流，使可控硅误导通，这样就提高了可控硅承受的阳极电压上升率du/dt的能力。