公开/公告号CN104629260A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-05-20
原文格式PDF
申请/专利权人 广东风华高新科技股份有限公司;
申请/专利号CN201410848485.X
申请日2014-12-29
分类号C08L63/00;C08L29/14;C08K3/08;H01G4/30;H01G4/232;
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人吴平
地址 526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城
入库时间 2023-12-18 08:44:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-15
授权
授权
2015-06-17
实质审查的生效 IPC(主分类):C08L63/00 申请日:20141229
实质审查的生效
2015-05-20
公开
公开
技术领域
本发明涉及电子材料与元器件领域,尤其涉及一种片式多层陶瓷电容器的 封端浆料、片式多层陶瓷电容器及其制备方法。
背景技术
MLCC(片式多层陶瓷电容器)一般用在质量要求较严苛的线路上,例如汽 车、电源线路、TFT-LED逆变器等。然而,现有的MLCC的抗弯曲能力较差, 而在组装过程中MLCC通常会受到剪应力,致使电容器的内部产生裂缝,而这 些裂缝会贯穿电容器内部的多层正负电极层,导致短路引起严重的烧毁熔融现 象。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种能够改善片式多层陶瓷电容器的抗弯曲能力的片 式多层陶瓷电容器的封端浆料。
此外,还提供一种抗弯曲能力较好的片式多层陶瓷电容器及其制备方法。
一种片式多层陶瓷电容器的封端浆料,按照质量百分含量包括如下组分: 50%~70%的银、10%~30%的环氧树脂、10%~20%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及 5%~10%的无水乙醇。
一种片式多层陶瓷电容器,包括陶瓷体及依次层叠于所述陶瓷体上的铜层、 树脂层、镍层及锡层,其中,所述树脂层的材料按照质量百分含量包括如下组 分:55%~77%的银、10.5%~34%的环氧树脂及10.5%~23%的聚乙烯醇缩丁醛树 脂。
在其中一个实施例中,所述树脂层与所述陶瓷体共同配合以包裹住所述铜 层。
一种片式多层陶瓷电容器的制备方法,包括如下步骤:
在陶瓷体的铜层上涂覆封端浆料,经干燥及固化后,在所述铜层上形成树 脂层,其中,所述封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:50%~70%的银、 10%~30%的环氧树脂、10%~20%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%~10%的无水乙醇;
在所述树脂层上依次形成镍层和锡层,得到所述片式多层陶瓷电容器。
在其中一个实施例中,在所述陶瓷体的铜层上涂覆所述封端浆料之前,还 包括对所述封端浆料的稀释步骤:在所述封端浆料中加入稀释剂,直至所述封 端浆料的粘度为8~12kcp。
在其中一个实施例中,所述稀释剂为甲基异丁酮。
在其中一个实施例中,在所述陶瓷体的所述铜层上涂覆所述封端浆料使用 的是浸浆的方法,具体为:将所述陶瓷体部分浸入所述封端浆料中,并使所述 封端浆料淹没所述铜层;其中,在所述铜层上形成所述树脂层与所述陶瓷体共 同配合以包裹住所述铜层。
在其中一个实施例中,在所述铜层上形成所述树脂层的步骤中,所述固化 的步骤具体为:250℃固化30分钟以上,或者270℃~290℃固化10分钟以上。
在其中一个实施例中,在所述树脂层上形成所述镍层之前,还包括对所述 树脂层进行表面处理的步骤,具体为:对形成有所述树脂层的陶瓷体抽真空处 理,接着浸泡于填充液中,取出后,经干燥,再对所述树脂层抛光处理。
在其中一个实施例中,对所述树脂层抛光处理的步骤具体为:将干燥后的 形成有所述树脂层的陶瓷体于抛光机中使用石英砂抛光处理1~2小时。
上述片式多层陶瓷电容器的封端浆料中含有银成分,银的添加可使端头具 有良好的连接性,且可镀性较好,使用上述片式多层陶瓷电容器的封端浆料制 备出的片式多层陶瓷电容器的端头含有树脂成分,增加了端头的塑性,可使端 头具有类似于弹簧的效果,既能耐较高外力的撞击,又能够耐外力的拉升,即, 使用封端浆料能够制备具有较好的抗弯曲能力的片式多层陶瓷电容器。
附图说明
图1为一实施方式的片式多层陶瓷电容器的结构示意图;
图2为一实施方式的片式多层陶瓷电容器的制备流程图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。 附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来 实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对 本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一 个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元 件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用 的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目 的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术 领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术 语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的 术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示,一实施方式的片式多层陶瓷电容器100,包括陶瓷体110及依 次层叠于陶瓷体110上的铜层120、树脂层130、镍层140及锡层150。
其中,陶瓷体110的两端均形成有依次层叠的铜层120、树脂层130、镍层 140及锡层150。
其中,树脂层130的材料按照质量百分含量包括如下组分:55%~77%的银、 10.5%~34%的环氧树脂及10.5%~23%的聚乙烯醇缩丁醛树脂。
其中,树脂层130的厚度为30~70微米。
其中,银具有良好的连接性和可镀性。
其中,环氧树脂具有良好的塑性,起类似弹簧的作用。
其中,聚乙烯醇缩丁醛树脂可防止封端浆料分层。
其中,无水乙醇为溶剂。
该封端浆料中含有银成分,银的添加可使端头具有良好的连接性,且可镀 性较好,使用上述片式多层陶瓷电容器100的封端浆料制备出的片式多层陶瓷 电容器100的端头含有树脂成分,增加了端头的塑性,使端头具有类似于弹簧 的效果,既能耐较高外力的撞击,又能够耐外力的拉升,即使用封端浆料能够 制备具有较好的抗弯曲能力的片式多层陶瓷电容器100。
其中,上述封端浆料于-22℃的条件下储存。
其中,树脂层130与陶瓷体110共同配合以包裹住铜层120,从而防止铜层 120外露被氧化。
其中,镍层140的厚度为1.0~10μm。其中,镍层140与陶瓷体110共同配 合以包裹住树脂层130。
其中,锡层150的厚度为1~10μm。锡层150与陶瓷体110共同配合以包 裹住镍层140。
上述片式多层陶瓷电容器100通过使用上述封端浆料,使得片式多层陶瓷 电容器100具有较好的抗弯曲能力。
如图2所示,一实施方式的片式多层陶瓷电容器的制备方法,可用于制备 上述片式多层陶瓷电容器。该片式多层陶瓷电容器的制备方法包括如下步骤:
步骤S210:在陶瓷体的铜层上涂覆封端浆料,经干燥及固化后,在铜层上 形成树脂层。
其中,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:50%~70%的银、10%~30% 的环氧树脂、10%~20%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%~10%的无水乙醇。
其中,在陶瓷体的铜层上涂覆封端浆料之前,还包括对封端浆料的稀释步 骤:在封端浆料中加入稀释剂,直至封端浆料的粘度为8~12kcp。通过对封端浆 料稀释,以防止浆料封端后出现端顶凸起。
其中,稀释剂为甲基异丁酮。
其中,在陶瓷体的铜层上涂覆封端浆料采用的是浸浆的方法,具体为:将 陶瓷体部分浸入封端浆料中,并使封端浆料淹没铜层;其中,在铜层上形成的 树脂层与陶瓷体共同配合以包裹住铜层。其中,浸浆深度为80~12微米,以保 证树脂层能够将铜层完全包裹,以防止铜层外露而被氧化。
步骤S210中,在铜层上形成树脂层的步骤中,干燥的步骤具体为:80~150℃ 下干燥3~10分钟。
步骤S210中,在铜层上形成树脂层的步骤中,固化的步骤具体为:250℃ 固化30分钟以上,或者270℃~290℃固化10分钟以上。优选为250℃固化30 分钟,该温度和时间既能够保证片式多层陶瓷电容器的电性能达到最佳、抗弯 曲能力达到最佳,同时该温度较低且时间较短,适合于大规模生产。
其中,树脂层的厚度为30~70微米。
步骤S220:在树脂层上依次形成镍层和锡层,得到片式多层陶瓷电容器。
其中,镍层的厚度为1~10μm。其中,镍层与陶瓷体共同配合以包裹住树 脂层。
其中,锡层的厚度为1~10μm。锡层与陶瓷体共同配合以包裹住镍层。
其中,在树脂层上形成镍层之前,还包括对树脂层进行表面处理的步骤, 具体为:对形成有树脂层的陶瓷体抽真空处理,接着浸泡于填充液中,取出后, 经干燥,再对树脂层抛光处理。由于在低温条件下进行固化,树脂层相对疏松, 电镀镍的镀液极易渗入,通过抽真空后,使用填充液填充,以防止镀液进入到 树脂层和铜层之间;而为使电镀镍层与树脂层充分的结合,并使镀镍后的电容 器的电性能合格,在镀镍前对树脂层进行抛光处理,以除去树脂层表面的油, 并除去树脂层表面的杂质和氧化物。
其中,填充液为佛山市南海区太洋电镀防腐原料有限公司的PTL010溶液, 主要包含C4~C7直链/环烷烃、C9~C11直链/环烷烃以及乙酸乙酯。
其中,对形成有树脂层的陶瓷体抽真空处理的步骤具体为:将形成有树脂 层的陶瓷体于0.3~0.6Mpa压力下抽真空30min。通过对陶瓷体抽真空处理可将 端头内的空气排除干净,防止上锡时出现喷锡现象。
其中,在对树脂层进行表面处理的步骤中,干燥的步骤具体为:55℃下干 燥2小时。
其中,为了保证内外电极良好的连接性,对树脂层抛光处理的步骤具体为: 将干燥后的形成有树脂层的陶瓷体于抛光机中使用石英砂抛光处理1~2小时。 其中,抛光机的滚筛速度为25~45转/分钟。
其中,在树脂层上依次形成镍层和锡层的方法均为电镀法;其中,镀镍时, 镀槽中的电流为40毫安,从而防止片式多层陶瓷电容器的端头在电镀过程中脱 落。
以下为具体实施例部分:
实施例1
本实施例的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为8kcp。在加入 稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:70%的银、10%的环氧 树脂、15%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于250℃下固化 30分钟,在铜层上形成厚度为30μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层,且树脂层的材料按照质量百分含量包括73.7%的银、10.5%的环氧树 脂及15.8%的聚乙烯醇缩丁醛树脂。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.6Mpa压力下抽真空30min,然后,浸泡 于填充液PTL010中5分钟,取出,于55℃下干燥2小时,接着再将形成有树 脂层的陶瓷体放入抛光机中采用石英砂抛光1小时,其中,抛光机的滚筛的速 度为30转/分钟。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为10微米的镍层, 且镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为1微米的锡层,得到 本实施例的片式多层陶瓷电容器。
采用OLYMPUS BX51M型显微镜观察步骤(2)中经固化后得到的树脂层 的外观,从而初步判断固化的质量,其中,端浆中金属成分为银,表现为银白 色,固化效果可通过端头的颜色是否为银白色来判断,固化效果差的端头中含 有其他物质而呈现出灰色,本实施例的树脂层的外观结果见表1。
采用HP4278A电桥测试本实施例得到的片式多层陶瓷电容器容量,当片式 多层陶瓷电容器的容量达到设计的标称容量,则说明片式多层陶瓷电容器的容 量是合格的,测试结果见表1。
将片式多层陶瓷电容器做抗弯曲试验,先将片式多层陶瓷电容器固定在抗 弯曲实验板上,再将实验板下压不同高度后,测试电容器的容量变化,并记录 容量超标时的下压高度,从而判断片式多层陶瓷电容器保证容量变化率正常使 用的抗弯曲能力,抗完全试验板下压3mm后片式多层陶瓷电容器的容量变化率 小于5%则合格,本实施例的片式多层陶瓷电容器在容量超标时的下压高度,见 表1,本实施例的片式多层陶瓷电容器的电性能合格情况以及抗弯曲能力合格情 况结果见表2。
将片式多层陶瓷电容器做耐焊试验,将片式多层陶瓷电容器浸入275℃的锡 液中保持5秒,然后取出在OLYMPUS BX51M型显微镜下观察外观,通过端头 外观是否喷锡来判断耐焊情况,无喷锡的片式多层陶瓷电容器耐焊结果合格, 本实施例的片式多层陶瓷电容器的耐焊情况的结果见表2。
将本实施例的多层陶瓷电容器做抗弯曲试验,先将片式多层陶瓷电容器固 定在抗弯曲实验板上,再将实验板下压不同高度后,测试电容器的容量变化, 并记录容量超标时的下压高度,从而判断片式多层陶瓷电容器保证容量变化率 正常使用的抗弯曲能力,抗完全试验板下压3mm后片式多层陶瓷电容器的容量 变化率小于5%则合格,试验结果见表3。
实施例2~3
实施例2~3的片式多层陶瓷电容器的制备方法与实施例1相类似,区别仅 在于,实施例2的步骤(2)的固化时间为40分钟;实施例3的步骤(2)中的 固化时间为50分钟。
采用实施例1相同的方法,得到实施例2~3的片式多层陶瓷电容器,实施 例2~3的树脂层的外观结果、容量是否合格及容量超标时的下压高度,结果见 表1。
实施例4
本实施例的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为12kcp。在加 入稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:50%的银、30%的环 氧树脂、10%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及10%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于290℃下固化 50分钟,在铜层上形成厚度为70μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层,且树脂层的材料按照质量百分含量包括55.5%的银、33.3%的环氧树 脂及11.2%的聚乙烯醇缩丁醛树脂。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.3Mpa压力下抽真空30min,然后,浸泡 于填充液PTL010中5分钟,取出,于55℃下干燥2小时,接着再将形成有树 脂层的陶瓷体放入抛光机中采用石英砂抛光2小时,其中,抛光机的滚筛的速 度为25转/分钟。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为1微米的镍层,且 镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为10微米的锡层,得到 本实施例的片式多层陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到实施例4的树脂层的外观结果、容量 是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
实施例5~8
实施例5~实施例8的片式多层陶瓷电容器的制备方法与实施例4相似,区 别仅在于,实施例5的步骤(2)的固化温度为270℃,时间为10分钟;实施例 6的步骤(2)的固化温度为270℃,时间为20分钟;实施例7的步骤(2)的 固化温度为270℃,时间为30分钟;实施例8的步骤(2)的固化温度为270℃, 时间为40分钟。
采用实施例1相同的测试方法,得到实施例5~8的树脂层的外观结果、容 量是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
实施例9
本实施例的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为12kcp。在加 入稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:55%的银、15%的环 氧树脂、20%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及10%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于270℃下固化 50分钟,在铜层上形成厚度为70μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层,且树脂层的材料按照质量百分含量包括61.1%的银、16.7%的环氧树 脂及22.2%的聚乙烯醇缩丁醛树脂。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.3Mpa压力下抽真空30min,然后,浸泡 于填充液PTL010中5分钟,取出,于55℃下干燥2小时,接着再将形成有树 脂层的陶瓷体放入抛光机中采用石英砂抛光1小时,其中,抛光机的滚筛的速 度为45转/分钟。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为5微米的镍层,且 镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为5微米的锡层,得到本 实施例的片式多层陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到实施例9的树脂层的外观结果、容量 是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
实施例10~13
实施例10~实施例13的片式多层陶瓷电容器的制备方法与实施例9相似, 区别仅在于,实施例10的步骤(2)的固化温度290℃,时间为10分钟;实施 11的步骤(2)的固化温度为290℃,时间为20分钟;实施例12的步骤(2) 的固化温度为290℃,时间为30分钟;实施例13的步骤(2)的固化温度为290℃, 时间为40分钟。
采用实施例1相同的测试方法,得到实施例10~13的树脂层的外观结果、 容量是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
对比例1~2
对比例1~2的片式多层陶瓷电容器的制备方法与实施例1大致相同,区别 仅在于对比例1和2的步骤(2)的固化时间分别为10分钟和20分钟。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例1~2的树脂层的外观结果、容 量是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
对比例3~4
对比例3~4的片式多层陶瓷电容器的制备方法与实施例1大致相同,区别 仅在于对比例3的步骤(2)的固化温度为230℃,时间为50分钟;对比例4的 步骤(2)的固化温度为230℃,时间为20分钟。对比例1~2的片式多层陶瓷电 容器的制备方法与实施例1大致相同,区别仅在于对比例1和2的步骤(2)的 固化时间分别为10分钟和20分钟。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例3~4的树脂层的外观结果、容 量是否合格及容量超标时的下压高度,结果见表1。
对比例5
对比例5的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为8kcp。在加入 稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:70%的银、10%的环氧 树脂、15%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于250℃下固化 30分钟,在铜层上形成厚度为30μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.6Mpa压力下抽真空30min,然后,在树 脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为10微米的镍层,且镀槽中的电流为40 毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为1微米的锡层,得到本实施例的片式多层 陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例5的片式多层陶瓷电容器片式 多层陶瓷电容器的电性能合格情况、抗弯曲能力合格情况以及耐焊情况的结果 见表2。
对比例6
对比例6的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为8kcp。在加入 稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:70%的银、10%的环氧 树脂、15%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于250℃下固化 30分钟,在铜层上形成厚度为30μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.6Mpa压力下抽真空30min,然后,浸泡 于填充液PTL010中5分钟,取出,于55℃下干燥2小时。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为10微米的镍层, 且镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为1微米的锡层,得到 本实施例的片式多层陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例6的片式多层陶瓷电容器片式 多层陶瓷电容器的电性能合格情况、抗弯曲能力合格情况以及耐焊情况的结果 见表2。
对比例7
对比例7的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为8kcp。在加入 稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:70%的银、10%的环氧 树脂、15%的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5%的无水乙醇。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于250℃下固化 30分钟,在铜层上形成厚度为30μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体浸泡于填充液PTL010中5分钟,取出,于 55℃下干燥2小时,接着再将形成有树脂层的陶瓷体放入抛光机中采用石英砂 抛光1小时,其中,抛光机的滚筛的速度为30转/分钟。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为10微米的镍层, 且镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为1微米的锡层,得到 本实施例的片式多层陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例7的片式多层陶瓷电容器片式 多层陶瓷电容器的电性能合格情况、抗弯曲能力合格情况以及耐焊情况的结果 见表2。
对比例8
对比例8的片式多层陶瓷电容器的制备方法如下:
(1)在封端浆料中加入稀释剂甲基异丁酮,直至封端浆料的粘度为8kcp。 在加入稀释剂之前,封端浆料按照质量百分含量包括如下组分:银40%、环氧 树脂20%、聚乙烯醇缩丁醛树脂25%及无水乙醇15%。
(2)在陶瓷体的两端包裹铜层,采用浸浆的方法,将陶瓷体包裹有铜层的 两端分别浸入稀释后的封端浆料中,浸浆深度为80微米,以使封端浆料将铜层 完成淹没,浸浆10秒,取出,并于80℃下干燥10分钟,接着于250℃下固化 30分钟,在铜层上形成厚度为30μm的树脂层,且树脂层与陶瓷体共同配合包 裹住铜层。
(3)将形成有树脂层的陶瓷体于0.6Mpa压力下抽真空30min,然后,浸泡 于填充液PTL010中5分钟,取出,于55℃下干燥2小时,接着再将形成有树 脂层的陶瓷体放入抛光机中采用石英砂抛光1小时,其中,抛光机的滚筛的速 度为30转/分钟。
(4)最后,在树脂层上采用电镀的方式电镀形成厚度为10微米的镍层, 且镀槽中的电流为40毫安;接着在镍层上电镀形成厚度为1微米的锡层,得到 对比例8的片式多层陶瓷电容器。
采用实施例1相同的测试方法,得到对比例8的抗弯曲测试结果见表3。
表1表示的实施例1~13及对比例1~4的片式多层陶瓷电容器的树脂层固化 后的外观、电容器的容量合格率及容量超标时的下压高度。
表1
从表1中可以看出,当封端浆料250℃固化20分钟,或者270℃以上仅固 化10分钟,就能够获得良好的固化效果;而当固化温度为250℃,固化30分钟 就能够获得良好的容量性能,且在固化温度为250℃固化30分钟的片式多层陶 瓷电容器的抗弯曲能力提高3mm,即在固化温度为250℃,固化时间为30分钟, 就能够得到最佳性能和抗弯曲能力的片式多层陶瓷电容器。
表2表示的实施例1及对比例5~7的片式多层陶瓷电容器的电性能合格情 况、抗弯曲能力合格情况以及耐焊情况的结果。
表2
从表2中可以看出,对比例5的没有进行填充处理和抛光处理的片式多层 陶瓷电容器的电性能、抗弯曲能力以及耐焊均不合格,这是因为树脂层致密度 不够,没有经过填充处理,在电镀过程中容易渗入电镀液;对比例6的没有进 行抛光处理的片式多层陶瓷电容器的电性能、抗弯曲能力以及耐焊均不合格, 是因为树脂层如果没有经过抛光层,附着能力较差,致使电镀效果差;对比例7 的没有抽真空的式多层陶瓷电容器的电性能、抗弯曲能力以及耐焊均不合格, 是因为没有抽真空的端头内部含有空气,在耐焊试验过程中受热气体膨胀导致 端头处出现喷锡现象,而实施例1经过抽真空处理、填充处理和抛光处理后的 片式多层陶瓷电容器的电性能、抗弯曲能力以及耐焊均合格,这说明经抽真空 处理、填充处理和抛光处理这三个环节后再电镀可保持片式多层陶瓷电容器的 可靠性和电性能。
表3表示的是实施例1和对比例8的片式多层陶瓷电容器抗弯曲测试结果。
表3
从表3中可以看出,实施例1的片式多层陶瓷电容器抗弯曲能力明显高于 对比例8的片式多层陶瓷电容器抗弯曲能力。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细, 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域 的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和 改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附 权利要求为准。
机译: 多层陶瓷电容器的内电极浆料的烧结抑制剂,制造多层陶瓷电容器的具有烧结抑制剂和多层陶瓷电容器的内电极浆料的方法
机译: 制备高容量多层陶瓷电容器内部电极的浆料的方法,具有改善的分散性的浆料以及用该浆料制备高容量多层陶瓷电容器内部电极的方法
机译: 多层陶瓷电容器的陶瓷浆料组成,包含该陶瓷陶瓷电容器的多层陶瓷电容器及其制造方法