法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-31
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):E04H1/04 申请公布日:20150429 申请日:20131016
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-04-29
公开
公开
机译: 倒装芯片型氮化物半导体发光器件具有p型和n型半导体层,有源层,欧姆接触层,透光导电氧化物层和高折射金属氧化物层。
机译: 由硬质树脂层,金属层和陶瓷层组成的耐压涂层构成的管体的高耐压,高耐蚀型积聚器外表面
机译: 具有高耐压的半导体器件和具有高导电区域的漏极层,该漏极区域可通过反型层连接到扩散的源极层