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过共晶铝硅合金中初生硅的细化方法

摘要

过共晶铝硅中的初生硅的细化方法,将高硅铝合金(质量分数25%Si)和纯铝按照4/1的质量比例进行配制过共晶铝硅合金,配制后的合金熔体不再进行变质处理,而是进行保温处理,保温后可得到尺寸细小、形状规整的初生硅相。本发明的特征是根据所配制目标合金的成分,将高硅铝合金和纯铝按照4/1的质量比例分别在两个电阻炉中熔化,当精炼除渣后的高硅铝合金的温度为780℃,纯铝的温度为660℃时,将熔化好的高硅合金倒入纯铝熔体中,适当搅拌静置,当熔体达到浇铸温度(675℃~695℃)时,将熔体放入保温炉中分别进行等温保温(675℃~695℃)45min后浇注成形。

著录项

  • 公开/公告号CN102839291A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 兰州理工大学;

    申请/专利号CN201210389246.3

  • 申请日2012-10-15

  • 分类号C22C1/03;C22C21/02;

  • 代理机构兰州振华专利代理有限责任公司;

  • 代理人董斌

  • 地址 730050 甘肃省兰州市兰工坪287号

  • 入库时间 2023-12-18 07:46:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C22C1/03 申请公布日:20121226 申请日:20121015

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-02-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C22C1/03 申请日:20121015

    实质审查的生效

  • 2012-12-26

    公开

    公开

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