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法律状态
2018-08-03
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01G3/12 授权公告日:20141029 终止日期:20170719 申请日:20120719
专利权的终止
2014-10-29
授权
授权
2013-12-18
著录事项变更 IPC(主分类):C01G3/12 变更前: 变更后: 申请日:20120719
著录事项变更
2013-12-18
专利申请权的转移 IPC(主分类):C01G3/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20131125 申请日:20120719
专利申请权、专利权的转移
2013-01-09
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/12 申请日:20120719
实质审查的生效
2012-11-14
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技术领域
本发明涉及一种p型CuxSy半导体纳米晶、制备方法及其应用,属于纳米材 料制备和应用领域。
背景技术
含铜硫族半导体纳米晶,如CuxSy、CuxSey和CuxTey,具有优异的光电转换、 光热转换和热电转换性能,在太阳能电池、光电探测器、锂离子电池电极材料、 光催化降解材料、近红外光热治疗领域方面有着重要应用。近年来,对这种半 导体纳米晶的制备方法包括超声化学合成、电化学合成和热裂解法合成。如Lin Song Li首先合成硬脂酸铜,然后将硬脂酸铜溶解在十八烯中,用十二烷基硫醇 (DDT)做硫源,合成粒径为2-20nm的Cu2S半导体纳米晶,但是该方法合成的纳 米晶为辉铜矿(Cu2S)结构,不是p型半导体纳米材料,所述纳米晶没有在近红外 区表现出吸收峰。Clemens Burda分别用超声电化学方法和无溶剂热裂解的方法 合成了Cu1.8S半导体纳米晶,但所述两种方法都难以制备出单分散、形貌和尺 寸可控的半导体纳米晶。
总而言之,这些合成方法都存在缺陷:(1)很难制备出单分散、尺寸和形 貌可控的半导体纳米晶;(2)由于铜的硫化物存在多种不同组分的化合物,如 CuS(靛蓝矿),Cu1.8S(蓝辉铜矿),Cu1.97S(久辉铜矿),Cu2S(辉铜矿),因此难以制 备得到单一晶相、组分可控的半导体纳米晶。
发明内容
针对现阶段不能得到晶相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控CuxSy半导体 纳米晶的缺陷,本发明提供了一种p型CuxSy半导体纳米晶(x/y=1.8)
本发明还提供了所述纳米晶的制备方法,所述制备方法为热注入的方法。
本发明还将所述纳米晶应用到聚合物太阳能电池中,提高空穴传输层的导 电能力。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种p型CuxSy半导体纳米晶,其中x/y=1.8,所述纳米晶为球形,粒径为 6~12nm;
优选所述纳米晶为立方晶型;
优选所述纳米晶的吸收光谱吸收峰在1100~1400nm范围内。
一种本发明所述的p型CuxSy半导体纳米晶的制备方法,所述方法步骤如下:
步骤一、制备铜源
将铜盐、油酸和油胺混合得到混合溶液1,在隔绝氧气状态下,将混合溶液 1加热到90~150℃并混合,直至形成均一透明墨绿色的溶液,得到铜源;
所述铜盐为卤化铜盐,铜离子为一价或二价,如CuCl2、CuCl或CuI;
油胺与铜盐的物质的量的比≥1;油酸与油胺的体积比≥1;
其中,油酸与油胺作为反应物和纳米晶表面配体,十八烯为溶剂;
步骤二、制备硫源
将硫粉和十八烯混合得到浑浊的混合溶液2,在隔绝氧气状态下,将混合溶 液2加热到180~300℃并混合,直至形成均一透明的浅黄色或黄色溶液,得到硫 源;
步骤三、制备胶体溶液
将步骤一得到的铜源注入到硫源中得到混合溶液3,在隔绝氧气状态下,将 混合溶液3加热到120~220℃,恒温反应30s~10min,得到胶体溶液;
优选注入时间≤10s;
铜盐的物质的量:硫粉的物质的量=4:1~1:2;
步骤四、制备纳米晶
将步骤三得到的胶体溶液用极性溶剂进行清洗,通过离心沉降得到本发明 所述的p型CuxSy半导体纳米晶;
所述极性溶剂为材料制备领域的常规试剂,如丙酮、甲醇、乙醇、甲苯等。
优选在步骤一中将铜盐、油酸、油胺和十八烯混合得到混合溶液1。
将所述p型CuxSy半导体纳米晶与P3HT混合后,可应用于聚合物太阳能电 池。
有益效果
1.本发明提供了一种p型CuxSy半导体纳米晶(x/y=1.8),所述纳米晶的晶 相单一、分散性良好、尺寸和形貌可控,可均匀分散在甲苯、氯仿、氯苯、环 己烷等非极性溶剂中;紫外-可见分光光度测试表明,所述纳米晶在整个近红外 光区都有较强的吸收,吸收峰在1100-1400nm;所述纳米晶具有良好的导电性, 较高的载流子迁移率、良好耐高温性和稳定性。
2.本发明提供了所述p型CuxSy半导体纳米晶的制备方法,所述方法产率 可达70%以上,操作简单,成本低廉,环保无毒,可进行大规模的生产,使用 简单的溶液反应器即可一次性生产10g以上的固体粉末。
3.本发明提供了所述p型CuxSy半导体纳米晶的应用,将所述p型CuxSy半导体纳米晶与P3HT混合后应用于聚合物太阳能电池,可显著提高聚合物太阳 能电池的导电性。
附图说明
图1为实施例1、2得到的p型CuxSy半导体纳米晶的电子透射电镜(TEM) 照片。
图2为实施例1~4得到的p型CuxSy半导体纳米晶的吸收光谱图。
图3为实施例1~4得到的p型CuxSy半导体纳米晶的X射线衍射(XRD) 图。
图4为实施例1得到的p型CuxSy半导体纳米晶的X-射线能谱(EDS)图。
图5为实施例5步骤七后得到的ITO基片示意图。
图6为实施例5制备得到的聚合物太阳能电池示意图。
图7为实施例1得到的p型CuxSy半导体纳米晶和不同比例P3HT共混的电 流-电压(I-V)测试曲线图。
具体实施方式
下面通过具体实施例来详细描述本发明:
实施例1
一种本发明所述的p型CuxSy半导体纳米晶的制备方法,所述方法步骤如下:
步骤一、制备铜源
将0.398g氯化亚铜、2ml油酸、1.5ml油胺和1.5ml十八烯加入到25ml的 三口圆底烧瓶中,得到混合溶液1,将混合溶液1抽真空30min,然后通入氮气 保护,在搅拌条件下将混合溶液1加热至130℃并保温30min,形成均一透明墨 绿色的溶液,得到铜源;
步骤二、制备硫源
将0.064g硫粉加入到50ml三口圆底烧瓶中,然后加入10ml十八烯,得到 浑浊的混合溶液2,将混合溶液2抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条 件下将混合溶液2加热至180℃并保温10min,形成均一透明的黄色溶液,得到 硫源;
步骤三、制备胶体溶液
将步骤二得到的硫源在氮气保护下,加热到200℃并保温5min,然后用10ml 的玻璃注射器吸取步骤一中得到的铜源,在≤10s的时间内注入到硫源中,得到 混合溶液3,在氮气保护下,将混合溶液3在190℃剧烈搅拌反应10min,得到 胶体溶液,所述胶体溶液为灰黑色的溶液;
步骤四、制备纳米晶
将步骤三得到的胶体溶液在氮气的保护下自然冷却至室温,加入100mL离 心管中至管高一半处,进行离心分离,步骤如下:①加入20ml丙酮并振荡,离 心后得到沉淀物1和上层清液1;②去除上层清液1,加入3ml甲苯到沉淀物1 中并振荡,将沉淀物1溶解,然后加入20ml丙酮离心分离,得到沉淀物2和上 层清液2;去除上层清液2,将沉淀物2洗涤两遍;③加入3ml甲苯溶解,然后 加入20ml甲醇清洗一次,离心分离,倒掉上清液3,离心沉降后自然晾干,得 到粉末状产物。
实施例2
一种本发明所述的p型CuxSy半导体纳米晶的制备方法,所述方法步骤如下:
步骤一、制备铜源
将0.398g氯化亚铜、4ml油酸、1.5ml油胺加入到25ml的三口圆底烧瓶中, 得到混合溶液1,将混合溶液1抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条件 下将混合溶液1加热至90℃并保温30min,形成均一透明墨绿色的溶液,得到 铜源;
步骤二、制备硫源
将0.032g硫粉加入到50ml三口圆底烧瓶中,然后加入10ml十八烯,得到 浑浊的混合溶液2,将混合溶液2抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条 件下将混合溶液2加热至200℃并保温10min,形成均一透明的黄色溶液,得到 硫源;
步骤三、制备胶体溶液
将步骤二得到的硫源在氮气保护下,加热到200℃并保温5min,然后用10ml 的玻璃注射器吸取步骤一中得到的铜源,在≤10s的时间内注入到硫源中,得到 混合溶液3,在氮气保护下,将混合溶液3在120℃剧烈搅拌反应30s,得到胶 体溶液,所述胶体溶液为灰黑色的溶液;
步骤四、制备纳米晶
按照实施例1的步骤四进行,得到粉末状产物。
实施例3
一种本发明所述的p型CuxSy半导体纳米晶的制备方法,所述方法步骤如下:
步骤一、制备铜源
将13.500g氯化铜、50ml油酸、40ml油胺加入到250ml的三口圆底烧瓶中, 得到混合溶液1,将混合溶液1抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条件 下将混合溶液1加热至150℃并保温30min,形成均一透明墨绿色的溶液,得到 铜源;
步骤二、制备硫源
将1.6g硫粉加入到250ml三口圆底烧瓶中,然后加入100ml十八烯,得到 浑浊的混合溶液2,将混合溶液2抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条 件下将混合溶液2加热至300℃并保温10min,形成均一透明的黄色溶液,得到 硫源;
步骤三、制备胶体溶液
将步骤二得到的硫源在氮气保护下,加热到230℃并保温5min,然后用 100ml的玻璃注射器吸取步骤一中得到的铜源,在≤10s的时间内注入到硫源中, 得到混合溶液3,在氮气保护下,将混合溶液3在220℃剧烈搅拌反应5min,得 到胶体溶液,所述胶体溶液为灰黑色的溶液;
步骤四、制备纳米晶
按照实施例1的步骤四进行,得到粉末状产物。
实施例4
步骤一、制备铜源
将0.0764g碘化铜、2ml油酸和1.5ml油胺混合加入到25ml的三口圆底烧 瓶,得到混合溶液1,将混合溶液1抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌 条件下将混合溶液1加热至90℃并保温30min,形成均一透明墨绿色的溶液, 得到铜源;
步骤二、制备硫源
将0.0256g硫粉加入到50ml三口圆底烧瓶中,然后加入16ml十八烯,得到 浑浊的混合溶液2,将混合溶液2抽真空30min,然后通入氮气保护,在搅拌条 件下将混合溶液2加热至180℃并保温10min,形成均一透明的黄色溶液,得到 硫源;
步骤三、制备胶体溶液
将步骤二得到的硫源在氮气保护下,加热到200℃并保温5min,然后用10ml 的玻璃注射器吸取步骤一中得到的铜源,在≤10s的时间内注入到硫源中,得到 混合溶液3,在氮气保护下,将混合溶液3在190℃剧烈搅拌反应10min,得到 胶体溶液,所述胶体溶液为灰黑色的溶液;
步骤四、制备纳米晶
按照实施例1的步骤四进行,得到粉末状产物。
实施例5
聚合物太阳能电池的制备过程:
其中,ITO导电玻璃购自深圳南玻公司;PEDOT:PSS购自Bayer公司,型 号为4083;P3HT购自sigma公司。
步骤一、制备基片
将厚度为1.5cm、一面镀有导电氧化铟锡(ITO)的玻璃片,切成底面积为 1.5cm×1.5cm的方块,将0.2cm×1.5cm的胶带粘在玻璃片镀有ITO一面的中间 位置,用锌粉和浓度为37.5wt%的盐酸将ITO面上没有贴胶带的部分刻蚀掉, 得到基片。
步骤二、清洗基片
将步骤一得到的基片分别用丙酮和洗涤剂擦洗一遍,再分别用自来水、去 离子水、丙酮和异丙醇超声清洗两次,每次清洗15分钟。
步骤三、UVO(紫外臭氧)预处理
将洗好的基片立即用压缩空气吹干,放入UVO清洁器中臭氧处理20分 钟,目的是进一步清洁ITO表面和优化ITO的功函数。
步骤四、样品称量
称量4份2.7mg的P3HT,分别称取实施例1中合成的CuxSy半导体纳米晶, 然后与P3HT进行混合,得到混合后的样品e(半导体纳米晶的质量:P3HT的 质量=1:8)、f(半导体纳米晶的质量:P3HT的质量=1:4)、g(半导体纳米晶的 质量:P3HT的质量=1:1)和h(半导体纳米晶的质量:P3HT的质量=8:1)。
步骤五、配制溶液
分别将步骤四混合后的样品在手套箱中用邻二甲苯溶解,得到混合后的样 品浓度为60mg/ml的溶液;将纯的P3HT用邻二甲苯溶解,得到浓度为15mg/ml 的溶液作为对照,在此浓度下得到的P3HT导电性最好;然后分别将混合后的样 品溶液和P3HT溶液进行磁力搅拌12h。
步骤六、旋涂
将步骤二清洗后的基片置于匀胶机上,旋涂上一层PEDOT:PSS,其中旋涂 条件为2000转/分钟的转速下旋涂40秒,PEDOT:PSS层的厚度为30纳米;将 旋涂了PEDOT:PSS层的基片在烘箱中150℃下烘干15分钟;
将烘干后的基片置于匀胶机上,将步骤五中配制的溶液以800转/分钟的转 速旋涂30秒,得到CuxSy:P3HT层;然后常温放置1小时,在氮气气氛下退火, 退火条件为120℃下进行10分钟。
步骤七、制备聚合物太阳能电池
用刮刀将步骤六得到的基片镀膜面上与ITO正交的边缘刮掉作为阳极,得 到如图5所示的ITO基片示意图;将基片放入真空镀膜机的蒸镀仓中,在表面 镀上一层厚度为20纳米的钙,然后在钙层上再镀上一层厚度为40纳米的铝, 得到如图6所示的聚合物太阳能电池,所述电池从下往上依次为ITO玻璃、 PEDOT:PSS层、CuxSy:P3HT层、钙层和铝层。
P3HT和PEDOT:PSS均为聚合物太阳能电池领域的常规物质。
其中,P3HT为3-己基噻吩聚合物,为p型半导体,主要应用于有机薄膜 晶体管和聚合物太阳能电池,但是导电性较差,影响到聚合物太阳能电池的效 率。
PEDOT为3,4-乙撑二氧噻吩单体的聚合物,PEDOT:PSS为一种用磺化聚苯 乙烯(PPS)掺杂的透明的导电聚合物,具有比ITO更高的功函数和平整的成 膜性能,因而作为空穴传输材料应用于导电玻璃ITO的表面修饰。
对实施例1~4得到的粉末状产物进行分析测试,结果如下:
形貌和尺寸表征:将实施例1、2得到的粉末状产物分别溶解在甲苯中得到 溶液,将溶液滴在铜网上,通过型号为JEM-2100F的透射电子显微镜(TEM) 进行检测,得到图1所示的TEM照片,其中(a1)、(a2)为实施例1的TEM 照片,(b1)、(b2)为实施例2的TEM照片,说明所述粉末状产物为球形纳米 晶,粒径均一,为6~12nm。实施例3、4的TEM照片与图1相似。
吸收光谱表征:将实施例1~4得到的粉末状产物分别溶解在四氯乙烯中得 到溶液,以光谱纯的四氯乙烯作为参比,在型号为UV-3600 SHIMADZU(岛津) 紫外-可见-近红外光度计仪器上进行测试,得到图2所示的吸收光谱图,其中曲 线a、b、c、d依次对应实施例1~4得到的粉末状产物。从光谱上可以看出,所 述粉末状产物在300-500nm范围内有带隙吸收,在800-2000nm范围内有较强的 吸收,吸收峰分别为1362nm、1313nm、1215nm、1252nm。
物相表征:将实施例1~4得到的粉末状产物分别在型号为Rigaku D/max 2500PC的X射线衍射仪上进行测试,扫描范围为10-80°,扫描速度为1°/min, 得到图3所示的XRD图,其中曲线a、b、c、d依次对应实施例1~4得到的粉 末状产物。所述粉末状产物在27.77°、32.33°、46.43°、55.00°的扫描角度 分别有四个较强的衍射峰,与立方晶型蓝辉铜矿Cu1.8S(PDF卡片号为24-0061) 相符,证明所述粉末状产物为CuxSy半导体纳米晶。
元素表征:将实施例1得到的粉末状产物在型号为S-4800扫描电镜附带的 X-射线能谱仪上进行测试,得到图4所示的EDS图,测试结果表明Cu原子与 硫原子之比为1.8:1,证明所述粉末状产物化学式为Cu1.8S,实施例2、3、4的 测试结果与实施例1相似。
综上所述,可知实施例1~4制备得到的粉末状产物化学式为Cu1.8S、尺寸均 匀、晶相单一,为本发明所述的一种p型CuxSy半导体纳米晶。
I-V曲线测试:将实施例5得到的聚合物太阳能电池在型号为keithley4200 的I-V曲线测试仪上进行测试,得到图7所示的I-V测试曲线图。测试结果表明 随着CuxSy半导体纳米晶与P3HT比例的增大,导电率逐渐升高。由于I-V曲线 的斜率与导电率成正比,斜率的绝对值越大,表明导电率越大,也就是导电性 能越好。说明CuxSy是一种良好的p型导电材料,将其与P3HT进行混合,可 以显著提高导电性能,从而有望提高聚合物太阳能电池的效率。
综上所述,以上仅为本发明的较佳实施例而已,并非用于限定本发明的保 护范围。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等, 均应包含在本发明的保护范围之内。
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