功率IC、引线框以及包括该功率IC和引线框的封装结构

摘要

本发明提供一种功率IC、引线框以及包括该功率IC和引线框的封装结构，属于功率IC技术领域。其中一种功率IC包括集成在一起的第一功率二极管(D1)和第一NPN型功率三极管(TR2)；其中另一种功率IC包括集成在一起的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)以及触发二极管(DB)，该两种功率IC和另一带第二NPN型功率三极管的功率IC被具有三个小岛的引线框集成封装，形成用于驱动电子节能灯和电子镇流器的封装结构。以上两种功率IC容易制造成本低，并且其封装结构的结构简单、体积小、并且成本低，适用于电子节能灯和电子镇流器，尤其适用于结构紧凑型电子节能灯装置中应用。

说明书

技术领域

本发明属于功率IC(Integrated Circuit，集成电路)技术领域，涉 及用于驱动电子节能灯和电子镇流器的功率IC、引线框、以及封装结 构，其中该封装结构是通过该引线框将多个该功率IC集成封装形成 的功率IC。

背景技术

目前，电子节能灯、电子镇流器广泛用于照明，在电子节能灯和 电子镇流器中，需要使用专用的驱动单元来驱动灯管。

图1所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构实施例 示意图。该线路主要包括三部分：(a)整流电路20，(b)电子节能 灯和电子镇流器的灯管和电容30，以及(c)用于驱动电子节能灯和 电子镇流器的驱动电路模块10。电子节能灯装置运行时包括启动过程 和正常运行驱动过程，驱动电路模块10可以同时实现以上启动过程 和正常运行驱动。

其中，驱动电路模块10一般地至少包括二个高压功率器件TR1、 TR2和一个触发二极管DB(Trigger Diode)。TR1和TR2的集电极 和发射极之间均反向并联了一个功率二极管，分别为D2、D3，D2和 D3起阻尼作用。另外，驱动电路模块10还包括电阻R3、用于串联分 压的电阻R1和R2，以及与R2并联的功率二极管D1。其中，DB用 于在电子节能灯启动瞬间(即启动过程)提供TR2的开启电流，并且 其在电子节能灯正常照明工作时关闭；TR1和TR2主要用于电子节能 灯正常照明工作时(即正常运行驱动过程)交替导通，提供给电子节 能灯和镇流器驱动电流。在电子节能灯启动之前，电流可以流经R1、 R2和R3对启动电容C1进行充电，在启动电容C1充电到一定电压时， 可以因DB触发而导通，进而使TR2工作于放大区，提供较大的驱动 电流来启动电子节能灯和电子镇流器模块30。与此同时，启动电容 C1的电荷也可以通过R3、D1(而不是流经R2)和TR2得以加速释 放。

目前，通常是将图1所示的驱动电路模块10以及外围器件(例 如电阻、电感等)在一个PCB(印刷电路板)上实现，各分立元件(例 如TR1、TR2、DB、功率二极管、电阻等)通过人工的形式插入固定 在PCB板上，装配制造难，并且电路形式复杂、体积大、成本高，尤 其难以适用紧凑型电子节能照明装置的要求。

图2所示为现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构的又一 实施例示意图。相比于图1所示实施例，其主要差异在于采用IC芯 片90替代图1中所示的驱动电路模块10。但是，IC芯片90由于包 含多个高压器件，通常需要采用高压(例如600V以上)的SOI(Silicon On Insulator，绝缘衬底上硅)工艺，该工艺实现困难，成本高，因此， IC芯片90价格昂贵，市场认可度相对较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，减小电子节能灯装置的线路板体积 并降低其制造成本。

为解决以上技术问题，按照本发明的一方面，提供一种功率IC， 用于驱动电子节能灯和电子镇流器，所述功率IC包括集成在一起的 第一功率二极管和第一NPN型功率三极管；

其中，所述第一功率二极管的阴极串联连接于所述第一NPN型 功率三极管的集电极，所述第一NPN型功率三极管用于启动所述电 子节能灯和电子镇流器，所述第一功率二极管用于在启动所述电子节 能灯和电子镇流器后加速释放启动电容的电荷。

具体地，所述功率IC包括：

N型衬底；

第一P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环；

第二P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第 一NPN型功率三极管的基极；

第二N型区域，其形成于所述第二P型区域上并用于形成所 述第一NPN型功率三极管的发射极；以及

第三P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第 一功率二极管的阳极。

按照本发明提供的功率IC的一实施例，所述功率IC还包括与所 述第一功率二极管、第一NPN型功率三极管集成在一起的第二功率 二极管；

其中，所述第二功率二极管的阳极连接于所述第一NPN型功率 三极管的发射极，所述第二功率二极管的阴极连接于所述第一NPN 型功率三极管的集电极。

具体地，所述功率IC包括：

N型衬底；

第一P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成分压环；

第二P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第 一NPN型功率三极管的基极；

第二N型区域，其形成于所述第二P型区域上并用于形成所 述第一NPN型功率三极管的发射极；

第三P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第 一功率二极管的阳极；以及

第四P型区域，其形成于所述N型衬底上并用于形成所述第 二功率二极管的阳极；

其中，所述第四P型区域与所述第二N型区域通过引出电极被连 接在一起。

较佳地，所述功率IC还包括：

形成于所述N型衬底上的第三N型区域，所述第三N型区 域用于实现所述第一功率二极管与所述第一NPN型功率三极管 之间的电场隔离。

较佳地，所述N型衬底包括形成于所述N型衬底背面的N+阱、 以及形成于所述N+阱上的N-阱。

较佳地，在所述第三N型区域与所述第二P型区域之间、以及在 所述第三N型区域与所述第三P型区域之间设置所述分压环。

较佳地，所述功率IC还包括用来限制所述第一NPN型功率三极 管的电场势垒扩展的截止环。

按照本发明提供的功率IC的又一实施例，其中，所述功率IC为 四端器件；其中，第一端从所述第一功率二极管的阳极引出，第二端 从所述第一NPN型功率三极管的发射极引出，第三端从所述第一NPN 型功率三极管的基极引出，第四端从所述第一NPN型功率三极管的 集电极引出。

较佳地，所述第一NPN型功率三极管的器件参数范围为：500V ≤V_CBO≤800V，150V≤V_CEO≤600V，0.1A≤I_C≤20A。

按照本发明的又一方面，提供一种功率IC，用于驱动电子节能灯 和电子镇流器，所述功率IC包括集成在一起的第一电阻、第二电阻 以及触发二极管；

其中，所述第一电阻与所述第二电阻串联连接用于实现分压，所 述触发二极管用于启动所述电子节能灯和电子镇流器。

其中，所述功率IC还包括与所述触发二极管串联连接的第三电 阻。

按照本发明提供的功率IC的一实施例，其中，所述第一电阻的 第二端连接于所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接于 第三电阻的第一端，所述触发二极管的第一端连接于所述第二电阻的 第二端或第三电阻的第一端。

其中，所述功率IC为5端器件，该5端分别从所述第一电阻的 第一端、所述第二电阻的第一端、所述第二电阻的第二端、所述触发 二极管的第二端、第三电阻的第二端引出。

按照本发明提供的功率IC的又一实施例，其中，，所述第一电 阻的第二端连接于所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连 接于第三电阻的第二端，所述触发二极管的第一端连接于所述第三电 阻的第一端。

其中，所述功率IC为4端器件，该4端分别从所述第一电阻的 第一端、所述第二电阻的第一端、所述第二电阻的第二端、所述触发 二极管的第二端引出。

按照本发明提供的功率IC的再一实施例，其中，所述第一电阻 的第二端连接于所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接 于所述触发二极管的第一端，所述触发二极管的第二端连接于所述第 三电阻的第二端。

其中，所述功率IC为4端器件，该4端分别从所述第一电阻的 另一端、所述第二电阻的第一端、所述触发二极管的第一端、所述第 三电阻的第一端引出。

较佳地，所述功率IC包括：

衬底；

形成于所述衬底中的体硅横向触发二极管；以及

以及形成于所述衬底之上的表面电阻；

其中，所述表面电阻用于形成所述第一电阻、第二电阻和第三电 阻。

较佳地，所述衬底中形成两个P型掺杂区域，每个所述P型掺杂 区域中形成一个N型掺杂区域，所述P型掺杂区域和N型掺杂区域 共同用于形成所述触发二极管。

较佳地，所述表面电阻为形成于所述衬底之上的多晶硅薄膜层。

较佳地，所述第一电阻的阻值范围为：10KΩ≤R1≤3000KΩ，所 述第二电阻的阻值范围为：10KΩ≤R2≤3000KΩ；所述第三电阻的阻 值范围为；0Ω≤R3≤100Ω；所述触发二极管的器件参数范围为：15V ≤V_BO≤60V，(V_BO1-V_BO)的绝对值小于6V。

按照本发明的还一方面，提供一种引线框，其包括小岛和若干引 脚，所述小岛包括：

第一小岛，用于放置带有第二NPN型功率三极管的第一功 率IC；

第二小岛，用于放置以上按照本发明的又一方面提供的第二 功率IC；以及

第三小岛，用于放置以上按照本发明的一方面提供的第三功 率IC；

其中，所述第一功率IC、第二功率IC以及所述第三功率IC共同 用于驱动电子节能灯和电子镇流器。

具体地，所述引线框包括7个引脚。

具体地，所述引线框可以为单列直排封装形式、双列直排封装、 小外形封装、或者芯片级封装的引线框。

较佳地，所述引脚中包括两个分别直接与第一小岛的岛面和第三 小岛的岛面连接的引脚。

较佳地，所述小岛还包括悬空辅助小岛。

较佳地，所述引线框被塑封固定后，每个所述小岛之间的连筋被 去除以实现所述小岛之间的隔离。

按照本发明的还一方面，提供一种封装结构，其包括：

引线框；

带有第二NPN型功率三极管的第一功率IC；

以上按照本发明的又一方面提供的第二功率IC；

以上按照本发明的一方面提供的第三功率IC；以及

结构匹配于所述引线框的封装体；

其中，所述引线框的小岛包括分别用于放置所述第一功率IC、第 二功率IC、第三功率IC的第一小岛、第二小岛、第三小岛；所述第 一功率IC、第二功率IC、第三功率IC分别被引线键合连接至引线框 的相应引脚以实现驱动电子节能灯和电子镇流器的功能。

本发明的技术效果是，由于驱动电路模块的两个高压型功率器件 TR1、TR2以及一个DB被分别在各个功率IC中分别分立形成，本发 明提供的功率IC不需要使用高压SOI技术，制备简单，成本相对较 低；另外，通过将三个分立的功率IC芯片以集成封装的形式固定在 本发明的引线框中封装成型后，其所形成的封装结构在能驱动电子节 能灯和电子镇流器的同时，其结构简单、体积小、并且成本低，适用 于电子节能灯和电子镇流器，尤其适用于结构紧凑型电子节能灯装置 中应用。

附图说明

从结合附图的以下详细说明中，将会使本发明的上述和其它目的 及优点更加完全清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。

图1是现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构实施例示意 图；

图2是现有技术中的电子节能灯装置的整体线路结构的又一实施 例示意图；

图3是图1所示电子节能灯装置的整体线路结构的驱动电路模块 部分的分拆示意图；

图4是集成功率三极管和保护功率二极管的功率IC；

图5是按照本发明提供的第一种功率IC的线路的实施例示意图；

图6是图5所示功率IC的截面结构示意图；

图7是按照本发明提供的第一种功率IC的线路的又一实施例示 意图；

图8是图7所示功率IC的截面结构示意图；

图9是按照本发明提供的第二种功率IC的线路实施例示意图；

图10是图9所示功率IC的截面结构示意图；

图11是按照本发明提供的第二种功率IC的线路的又一实施例示 意图；

图12是按照本发明提供的第二种功率IC的线路的再一实施例示 意图；

图13是用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块实施 例线路图；

图14是用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块的又 一实施例线路图；

图15是按照本发明提供的引线框实施例的结构示意图；

图16是图15所示的引线框被引线键合以后的结构示意图

图17是按照本发明提供的封装结构实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面介绍的是本发明的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本发 明的基本了解，并不旨在确认本发明的关键或决定性的要素或限定所要 保护的范围。容易理解，根据本发明的技术方案，在不变更本发明的实 质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其它实现方 式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本发明的技术方案的示例 性说明，而不应当视为本发明的全部或者视为对本发明技术方案的限定 或限制。

在附图中，为了清楚、放大了层和区域的厚度，但作为示意图不 应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。本文中所提及的“连接” 包括“电性连接”的意思；高压功率器件通常是指工作电压大于200V 的功率器件。

在以下实施例中，X坐标的方向为平行于衬底的表面中的一个方 向，Z坐标方向为垂直于衬底表面的方向，也即上下方向或厚度方向。 但是，本文中所提到的“上面”、“下面”、“底部”、“顶部”、“背面” 等是相对Z坐标方位而言的，并且它们是相对的概念，其可以根据功 率IC所放置方位的不同而相应地变化。

图3所示为图1所示电子节能灯装置的整体线路结构的驱动电路 模块部分的分拆示意图。驱动电路模块10中包括二个高压功率器件 TR1、TR2和一个触发器件DB，为实现图3所示驱动电路模块10的 功能并同时减小其体积、容易制备，如图3所示，将驱动电路模块10 有机地分拆为三部分电路，其中两部分电路分别带一个高压功率器件 (TR1、TR2)、另一部分电路带一个触发器件DB，该三部分电路可 以以三个功率IC形式分立地制备形成，以下分别描述各功率IC。

图4所示为集成功率三极管和保护功率二极管的功率IC。如图4 所示，功率IC19为三端功率器件，“a”端、“b”端和“c”端分别 从NPN型功率三极管TR1的集电极、基极和发射极引出，其中TR1 用于在正常运行驱动过程为电子节能灯和镇流器提供驱动电流，其为 高压型功率器件。功率IC19可以分立地制备形成，制备方法简单。

图5所示为按照本发明提供的第一种功率IC的线路的实施例示 意图。图6所示为图5所示功率IC的截面结构示意图。

请参考图5，功率IC11将功率三极管TR2、功率二极管D1和功 率二极管D3集成在一起，相对于图4所示的驱动电路模块10，TR2、 D1和D3之间的连接关系并未改变；TR2为NPN型的功率三极管， D3的阳极连接于TR2的发射极，D3的阴极连接于TR2的集电极； D1的阴极也连接于TR2的集电极。同样地，D3可以实现对TR2的 保护，D1可以用于在启动后为启动电容C1(如图1所示)的电荷提 供加速泄放路径，避免重复触发启动。如图5所示，该功率IC11可 以形成一个分立的4端(“1”、“2”、“3”和“4”)器件。

请参考图6，功率IC11同样地在常规半导体衬底上形成。在该实 施例中，半导体衬底为N型Si衬底，衬底包括在其底部的N+阱110 以及N+阱之上的N-阱111，N+阱110的掺杂浓度大约要相比于N- 阱111的掺杂浓度高4-8个数量级。N+阱110可以通过在N型Si 衬底的背面进行N型高掺杂层，“4”端容易从衬底背面引出并且串 联电阻低。

N-阱111中，可以构图掺杂形成多个P型区域112、一个P型区 域113、一个P型区域114以及一个P型区域115；P型区域113可以 与N-阱111一起形成PN结，从而形成功率二极管D1(如图中虚线 所示)；P型区域114也可以与N-阱111一起形成PN结，从而形成 功率二极管D3(如图中虚线所示)。进一步，P型区域115中，可以 构图掺杂形成上表层的N+掺杂区域116，该N+掺杂区域116、P型区 域115以及N-阱111可以分别用来形成NPN型功率三极管TR2的发 射极(E)、基极(B)、集电极(C)。根据图3所示电路设计的要 求，功率三极管TR2、功率二极管D1和D3会具体选择一定参数， 本领域技术人员可以根据器件参数要求，分别设计P型区域113、P 型区域114、P型区域115以及N+掺杂区域116的面积、深度(Z方 向的尺寸)、以及掺杂的浓度等，并可以相应选择N-阱111的掺杂浓 度。

在该实施例中，功率IC11还包括在N-阱111中表面掺杂形成的 N+掺杂区域117，N+掺杂区域117用于实现功率二极管D1和功率三 极管TR2之间的电场隔离，从而避免TR2工作在高电压的情况下对 D1中的电场产生应用。

在该实施例中，功率IC11还包括形成N-阱111中的N+掺杂区域 119，其用于形成截止环，截止环主要是用来限制TR2的电场势垒扩 展。在该实例中，两个N+掺杂区域119置于N-阱111的左右边沿末 端。

由于功率三极管TR2用于启动电子节能灯时，其必定是高压器件 (例如TR2可以工作在电网电压300V以上)，因此，在该实施例中， P型区域112用于形成分压环，该分压环可以用来提高TR2的CB间 PN结的反向耐高压能力。根据不同的耐压能力要求，可以在N-阱111 中形成不同个数的P型区域112，例如，在该实例中，在P型区域113 和P型区域114之间、P型区域115和N+掺杂区域119之间、P型区 域113和N+掺杂区域119之间分别设置P型区域112以形成分压环。 其中，在P型区域113和P型区域114之间，设置有两个P型区域112， N+掺杂区域117位于该两个P型区域112之间。

继续参阅图6，功率IC11的“4”端从衬底的背面的N+阱110上 引出(例如通过形成背面金属电极引出)；“1”端从P型区域113 (也即D1的阳极)引出；“2”端从P型区域115(也即TR2的基极) 引出，“3”端从P型区域114(也即D3的阳极)和N+掺杂区域116 (也即TR2的发射极)引出，因此，D3并联于TR2的集电极与发射 极之间。电极引出的具体方式不是限制性的，例如其可以通过构图形 成金属电极来实现。

需要说明是，P型区域112、113、114、115在掺杂浓度相同或基 本相同时，可以同时构图掺杂形成；但是它们也可以根据各自掺杂要 求而分步掺杂形成。N+掺杂区域116、117、119在掺杂浓度相同或基 本相同时，可以同时构图掺杂形成；同样地，它们也可以根据各自掺 杂要求而分步掺杂形成。

因此，由上可知，功率IC11可以形成一个4端的功率器件，并 且其只包括一个高压器件TR2，所集成的器件之间不需要通过特殊高 压SOI技术来制备，因此，容易制备并且成本低。

图7所示为按照本发明提供的第一种功率IC的线路的又一实施 例示意图。图8所示为图7所示功率IC的截面结构示意图。相比于 图5所示实施例的功率IC11，该功率IC12主要省去了并联于功率二 极管TR2的集电极与发射极之间的功率二极管D3，反映在图8所示 的截面结构上，主要差别在于省去了用于形成D3的阳极的P型区域 114(如图6所示)。因此，功率IC12的TR2相对容易因集电极和发 射极之间的电压反向偏置电压过高而损坏。功率IC12与功率IC11的 其它部分相同，在此不再一一赘述。

在以上功率IC11和功率IC12中，TR2的器件参数范围可以为： 500V≤V_CBO≤800V，150V≤V_CEO≤600V，0.1A≤I_C≤20A(I_C为集电 极电流)。

图9所示为按照本发明提供的第二种功率IC的线路实施例示意 图。图10所示为图9所示功率IC的截面结构示意图。

请参考图9以及图3，功率IC13的线路中包括驱动电路模块10 中的电阻R1、R2、R3和触发二极管DB部分，因此，驱动电路模块 10的线路被分成三部分，分别用来形成功率IC13、功率IC11、功率 IC19(如图3所示)，其中，两个高压功率器件TR1、TR2和DB被 分立地制造，其分别位于功率IC19、功率IC11、功率IC13中，因此， 同一功率IC中最多仅存在一个高压器件，不需要通过特殊高压SOI 技术来制备，因此，功率IC19、功率IC11、功率IC13制备成本均较 低。

继续参考图9，R1、R2、R3和DB之间的连接关系相比于图3 中的连接关系，并不发生实质变化。R1、R2、R3依次串联连接，在 R1的起始端(相对于连接R2的另一端)引出“5”端；在R1和R2 之间引出“6”端；在R2和R3之间引出“A”端；触发二极管DB 的一端连接于“A”端，并从DB的另一端引出形成“8”端；从R3 的另一端引出形成“7”端；因此，在该实施例中，功率IC13是一个 五端器件(“5”端、“6”端、“7”端、“8”端、“A”端)。其 中，R1、R2用于串联分压；R3用于与DB一起形成C1(图1所示) 的电容放电回路以使TR2工作于放大区，R3的阻值相对远小于电阻 R1和R2；DB用于使TR2工作于放大区从而启动电子节能灯和电子 镇流器。具体地，R1和R2的阻值范围可以为(10-3000)KΩ(千 欧姆)，R3的阻值范围可以为(0-100)欧姆，DB的器件参数范围 可以为：V_BO(Breakover Vo1tage，击穿电压)在15-60V，|V_BO1- V_BO|(击穿电压对称性)的绝对值小于6V。本领域技术人员，可以 根据具体电路功能要求来具体选择器件参数值。需要说明的是，在又 一实例中，与DB串联连接的R3可选择为0欧姆，也即省去R3，此 时驱动电路模块同样能够工作。

参考图10，功率IC13同样地在半导体衬底上形成。在该实施例 中，半导体衬底为N型Si衬底130，在N型Si衬底130中，通过表 层掺杂形成两个P型掺杂区域134a和134b，P型掺杂区域134a和134b 可以同步构图掺杂形成；然后在两个P型掺杂区域134a和134b中掺 杂分别形成N型掺杂区域135a和135b，优选地，N型掺杂区域135a 和135b可以同步构图掺杂形成。两个P型掺杂区域134a和134b在X 方向的间隔距离为D1，D1可以根据具体的DB器件参数要求来设计； N型掺杂区域135a与P型掺杂区域134a在X方向的最小间距也可以 根据具体的DB器件参数要求来设计。两个N型掺杂区域135a和135b、 两个P型掺杂区域134a和134b以及衬底130可以共同形成触发二极 管DB，也即体硅横向(与X方向基本相同)触发二极管。该触发二 极管DB同样为功率器件。

在该实施例中，采用表面电阻技术形成电阻R1、R2和R3。继续 参考图10，在P型掺杂区域134a的表面之上构图形成多晶硅薄膜层 131、132和133，多晶硅薄膜层131、132和133也即表面电阻，多 晶硅薄膜层131、132和133分别用来形成电阻R1、R2和R3，根据 不同电阻值，可以设计多晶硅薄膜层的形状和/或掺杂浓度。多晶硅薄 膜层131、132和133形成在P型掺杂区域134a的上方的结缘介质层 上，并且三者之间通过表面金属连接，其中，R2和R3之间的连接端 (也即A端)同时可以通过表面金属连接至P型掺杂区域135a(图 中未示出)，从而实现DB与R2或R3之间的电性连接。

进一步，如图10所示，在多晶硅薄膜层131的左端引出金属电 极形成“5”端，在多晶硅薄膜层132的左端引出金属电极形成“6” 端，在多晶硅薄膜层133的左端引出金属电极形成“A”端，在多晶 硅薄膜层133的右端引出金属电极形成“7”端，在N型掺杂区域 135b引出金属电极形成“8”端，从而形成了如图9所示线路功能的 功率IC13。

图11所示为按照本发明提供的第二种功率IC的线路的又一实施 例示意图。在该实施例中，功率IC14相比于图9所示功率IC13具有 基本相同的功能，主要变化在于电阻R3的位置，其中，R1、R2、R3、 DB依次串联连接，“7”端是从R2和R3之间引出，因此省去了如 图9所示的“A”端。功率IC13的截面结构与图10所示截面结构基 本相同，在此不再赘述。

图12所示为按照本发明提供的第二种功率IC的线路的再一实施 例示意图。在该实施例中，功率IC15相比于图9所示功率IC13具有 基本相同的功能，主要变化在于电阻R3的位置，其中，R1、R2、DB、 R3依次串联连接，“7”端是从R2和DB之间引出，因此省去了如 图9所示的“A”端，“8”端是从R3的一端引出。功率IC15的截面 结构与图10所示截面结构基本相同，在此不再赘述。

以上所述及的功率IC13、14或15可以形成为一个4端的功率器 件，并且其只包括一个高压器件DB，所集成的器件之间不需要通过 特殊高压SOI技术来制备，因此，容易制备并且成本低。

以图4、图5、图9所示实施例的功率IC组合连接，可以形成如 4所示线路的驱动电路模块10，具体地，功率IC19的a端与功率IC13 的5端连接在一起用于形成图3所示的“1”端，功率IC19的b端、 c端分别形成图3所示“2”端和“3”端，功率IC13的6端连接于功 率IC11的D1的阴极，功率IC11的1端连接于R2和R3之间，功率 IC13的8端与功率IC11的3端连接在一起形成图3所示的“5”端， 功率IC11的2端和4端分别用于形成图3所示的“6”端和“4”端， 功率IC13的7端用于形成图3所示的“7”端。

以图4、图5、图11所示实施例的功率IC组合连接，可以形成 图13所示的用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模块实施 例线路图。以图4、图5、图12所示实施例的功率IC组合连接，可 以形成图14所示的用于驱动电子节能灯和电子镇流器的驱动电路模 块的又一实施例线路图。

进一步地，以图4、图5、图9所示实施例的功率IC为例，将三 个分立的功率IC11、13、19芯片集成地封装在一起形成一个独立系 统的封装结构。因此，相比于现有技术的多个器件在PCB板上插件形 成的形成，其结构形式大大简化，体积大大缩小(其体积可以与图2 所示IC芯片90的体积相当)，尤其适合于紧凑型电子节能灯装置。

图15所示为按照本发明提供的引线框实施例的结构示意图。在 该实施例中，该引线框40用来同时封装三个功率IC，例如，功率IC11、 13和19。如图15所示，引线框40是适应于单列直排封装形式的引线 框，其包括三个小岛411、412、413，小岛411、412、413分别用于 固定功率IC19、13、和11，小岛411、412、413可以通过打凹形成， 小岛的具体形式以及排列位置不受图示实施例限制。引线框40还包 括7个引脚(421至427)，在该实例中，引脚421至427分别对应 实现图3所示的电路的“2”、“1”、“3”、“7”、“5”、“4”、 “6”端的功能。其中，引脚422直接电性连接于小岛411，因此，与 小岛411接触的芯片背面电极可以从引脚422输入或输出信号；同样， 引脚426电性连接于小岛413，与小岛413接触的芯片背面电极可以 从引脚422输入或输出信号。需要说明的是，三个小岛的具体形状以 及在引线框中的排列位置不是受图示实施例限制，本领域技术人员可 以根据所需要封装的功率IC19、13、和11的具体形状来对应设计小 岛的形状以及位置。同样地，引脚的排列也不受图示实施例限制。

在该实施例中，引线框40还包括辅助悬空小岛414，该辅助悬空 小岛414用于实现小岛412和413上的芯片之间的引线连接的过渡， 其有利于提高产品的可靠性并可有效降低封装成本。辅助悬空小岛 414可以与小岛411、412、413一起打沉形成。

在引线框40被封装体固定后(例如塑封后)，需要将小岛之间 的连筋去掉以实现小岛之间的隔离，如图15所示，按照虚线将连筋 去除，从而可以实现小岛411、412、413、414之间的电性隔离(通 过物理隔离实现了电性隔离)。同样，为实现引脚之间的隔离，引线 框40被封装体固定后，引脚之间连筋也需要按图中的虚线去除。

进一步需要说明的是，虽然以上实施例仅给出了单列直排封装形 式对应的引线框，这是根据本发明的芯片的具体要求而设计的封装结 构形式，其相对结构简单且成本低。但是本领域技术人员可以根据以 上教导启示，在其它封装形式的引线框中设计出三个小岛结构的引线 框，以同时用来封装三个功率IC以实现图3所示驱动电路的功能， 例如，在其它实施例中，引线框还可以为DIP(Double In-line Package， 双列直排封装)、SOP(Small Outline Package，小外形封装)引线框、 CSP(Chip Scale Package，芯片级封装)等等。

图16所示为图15所示的引线框被引线键合以后的结构示意图。在 该实施例中，小岛411、412、413上分别固定功率IC19、13、和11， 结合图4、图5和图9所示，功率IC19的a端直接通过引脚422引出， 功率IC19的b端引线键合于引脚421，功率IC19的c端引线键合于 引脚423；功率IC13的5端引线键合于小岛411的岛面上从而从引脚 422引出，功率IC13的6端引线键合于小岛413的岛面上从而从引脚 426引出，功率IC13的7端引线键合于引脚427，功率IC13的8端 引线键合于引脚425；功率IC11的1端与功率IC13的A端均通过引 线引出键合于同一处辅助悬空小岛414，以实现两端的电性连接，功 率IC11的2端引线键合于引脚427，功率IC11的3端引线键合于引 脚425，功率IC11的4端直接通过引脚426引出。从而，将三个分离 功率IC芯片封装在一起可以实现图3所示的驱动电路模块10的功能。 引线键合所使用的材料可以为金丝、铜丝或铝丝，优选地为铜丝。

图17所示为按照本发明提供的封装结构实施例的结构示意图。 在该实施例中，封装结构由图16所示的引线框(带功率IC11、13、 19)封装成型后形成，功率IC11、13、19按照图16所示形式引线键 合后，以封装体(例如塑封体)填充固定，进而可以形成图17所示 的DIP封装结构。因此，该封装结构包括以上所述的两种功率IC(例 如功率IC11和13)和图4所示的功率IC、引线框40以及结构匹配 于所述引线框的封装体(图中未示出)，其形成为一个功率集成器件。 因此，其具有集成度高的特点，并在实现驱动电子节能灯和电子镇流 器的同时，可以大大简化电子节能灯的线路布局，降低原材料成本以 及人工成本。

需要说明的是，对于图3所示的驱动电路模块的具体电路形式， 本领域技术人员可以对其作出一些非实质性的变化或改进，例如增加 或减少某一元件(非高压型功率器件)，还例如，将电阻R1变化为 两个电阻之和等于R1的电阻，这些均不是驱动电路模块作出突出的 实质的变化。因此，在此情况下，本领域技术人员完全可以根据以上 教导和启示实现以上所描述的方案，达到基本相同的技术效果。

以上例子主要说明了本发明的两种功率IC、引线框以及封装结 构，尽管只对其中一些本发明的实施方式进行了描述，但是本领域普 通技术人员应当了解，本发明可以在不偏离其主旨与范围内以许多其 他的形式实施。因此，所展示的例子与实施方式被视为示意性的而非 限制性的，在不脱离如所附各权利要求所定义的本发明精神及范围的 情况下，本发明可能涵盖各种的修改与替换。