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或非闪存中的退化的早期检测

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摘要

本公开提供了或非闪存中的退化的早期检测。本公开中的本发明实施例描述了用于通过在读取操作期间估计一组NOR闪存单元的阈值电压(V

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-13

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C29/50 申请公布日:20120711 申请日:20111222

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-07-11

公开

公开

1. 与非闪存中的退化的早期检测方法和装置 [P] . 中国专利： CN102543211B . 2016.05.11
2. 与非闪存中的退化的早期检测 [P] . 中国专利： CN102543211A . 2012-07-04
3. EARLY DETECTION OF DEGRADATION IN NAND FLASH MEMORY [P] . 日本专利： JP2012133865A . 2012-07-12

机译： NAND闪存中的退化的早期检测
4. Early degradation detection in flash memory using test cells [P] . 美国专利： US8422303B2 . 2013-04-16

机译：使用测试单元对闪存进行早期退化检测
5. Early degradation detection in flash memory using test cells [P] . 美国专利： US2012163074A1 . 2012-06-28

机译：使用测试单元对闪存进行早期退化检测