用于测量磁场的传感器元件、磁场传感器和用于制造传感器元件的方法

摘要

一种用于测量磁场的传感器元件（42，42’），具有晶片结构（12），该晶片结构（12）具有半导体衬底（13）、绝缘层（14，14’）和半导体层（15，15’）。传感器元件具有穿过绝缘层（14，14’）穿通接触的凸模（16，16’），该凸模带有半导体衬底端面（17）、半导体层端面（18）和在半导体衬底（13）中的成对的平行的侧面（19；19’），其中所述端面（17，18）和侧面（19；19’）具有带有高导电性的区段（28，29，30），并且所述凸模（16，16’）在内部（27）中具有带低导电性的掺杂。