首页> 中国专利> 一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法

一种等离子体辐射引发接枝制备荷负电纳滤膜的方法

摘要

本发明提供了一种荷负电纳滤膜的制备方法。本发明采用低温等离子体辐照预活化-浸泡接枝液-低温等离子体辐照接枝的方法对截留分子量为6,000~20,000的聚砜或者聚偏氟乙烯超滤平板膜或中空纤维膜中的接枝改性制备纳滤膜,其制备过程为:首先通过低温等离子体对基膜预活化,增加基膜的表面能,使基膜的亲水性增强,然后将其浸泡在含有单体和交联剂的溶液中一定时间,取出干燥后再次在等离子体中辐照,通过自由基接枝共聚反应将单体接枝到基膜表面制得纳滤膜。所制备的纳滤膜带有负电荷,通量大,抗污染性好,使用寿命长;所使用的单体方便易得,价格低廉;低温等离子体仅对基膜表面改性,不会影响材料的本体性能,而且操作简单、方便易行,室温下即可完成。

著录项

  • 公开/公告号CN102068912A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津工业大学;

    申请/专利号CN201010576347.2

  • 发明设计人 魏俊富;王晓磊;赵孔银;张环;

    申请日2010-12-07

  • 分类号B01D67/00;B01D71/78;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300160 天津市河东区成林道63号

  • 入库时间 2023-12-18 02:30:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-28

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01D67/00 申请公布日:20110525 申请日:20101207

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01D67/00 申请日:20101207

    实质审查的生效

  • 2011-05-25

    公开

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