压敏粘合剂膜和使用该压敏粘合剂膜的背磨方法

摘要

本发明涉及一种压敏粘合剂膜和一种使用该压敏粘合剂膜的半导体晶片背磨方法。本发明提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备过程中具有优越的切割性能和粘合性能且具有优异的减震性能，其可以在半导体制备过程的晶片背磨中显著地提高生产效率。此外，本发明提供了兼具提供优异的耐水性和对晶片具有优越剥离性能和再剥离性能和润湿性的压敏粘合剂膜，还提供了使用该压敏粘合剂膜的背磨方法。

说明书

技术领域

本发明涉及一种压敏粘合剂膜和一种背磨方法。

背景技术

随着近来电子产品的小型化和轻型化的趋势，对于无引线、薄膜和高集成度的半导体封装芯片的需求不断增加。为了满足此需求，对在半导体封装芯片中包括的大直径薄膜晶片的需求也增加了。

为了有效应对大直径薄膜半导体晶片的趋势，重要的是精确控制背磨工艺(其为一种晶片研磨工艺)和切割工艺(其为一种重组工艺)。为此，需要能够控制这些工艺的高性能技术。背磨工艺是一种机械地或者化学地抛光具有高集成度互连电路的晶片表面以使晶片减薄的工艺。在此工艺中，例如，在8英寸晶片的情况下，通常将晶片研磨至约200μm至400μm，这大约是预处理厚度的一半。然而，随着对于薄膜晶片的需求，现在需要将晶片研磨至200μm以下，且因此常常使用保护膜，不仅用于在研磨过程中保护薄膜晶片，而且也作为处理薄膜晶片的增强物。此外，随着晶片直径的增加，在背磨工艺中经常发生晶片损坏，例如晶片污染和裂缝。在这方面，晶片加工保护膜的作用被认为是很重要的。

韩国注册专利第624293号公开了一种压敏粘合剂膜，其可以通过在特别的温度范围内限制基底膜的动态粘弹性(tanδ)而被用于加工具有不平坦的大表面形状的粘附体的背面。韩国专利公开第2006-47526号公开了一种半导体晶片压敏粘合剂保护膜，其中限定了其在具体温度下的储能模量以防止薄膜半导体晶片的损坏。

然而，虽然在上述常规技术中建议的压敏粘合剂膜可以防止在背部表面研磨的过程中损坏晶片，但在此工艺中，它们的性能在晶片的切割方面非常差。当保护膜的切割性能较差时，由于在联机进行的半导体加工工艺中膜切割失败，使得半导体加工工艺不连续进行，导致加工效率劣化。

发明内容

技术问题

本发明致力于解决现有技术中的上述问题，且本发明的目的是提供一种在半导体制备工艺中具有优异的可切割性、粘合性能、减震性能、剥离性能、耐水性和对于晶片的润湿性的压敏粘合剂膜，以及使用该压敏粘合剂膜的方法。

技术方案

为了实现上述目的，本发明提供了一种压敏粘合剂膜，其包括：

基底膜，其在23℃的温度下具有小于240Kg·mm的韧性(toughness)；以及

压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种背磨方法，其包括：

将根据本发明的压敏粘合剂膜粘合到半导体晶片上的第一步骤；以及

研磨其上粘附了压敏粘合剂膜的半导体晶片的背面的第二步骤。

有益效果

本发明提供了一种压敏粘合剂膜，由于该压敏粘合剂膜在半导体制备工艺中具有优越的可切割性和粘合性能且具有优异的减震性能，所以其可以显著地提高半导体制备工艺的生产效率。此外，本发明还提供了具有优越剥离性能和再剥离性能的压敏粘合剂膜，其在提供优异的耐水性的同时提供对晶片的润湿性。本发明还提供了使用该压敏粘合剂膜的背磨方法。根据本发明，当将保护膜粘附到晶片上，并根据晶片的形状切割该保护膜时，没有外来物质被引入到膜上，且由于干净的切削平面，毛刺的形成可以最小化。因此，根据本发明，可以解决可能在半导体加工中发生的操作延误，且可以最小化在膜切削平面中的毛刺形成，从而最小化由于在背磨工艺中水或者其他物质的引入导致的晶片的污染和损坏。此外，根据本发明，该膜因其优异的减震性能可以防止晶片被弯曲，从而解决在常规半导体加工中的一些问题并改进连续加工操作的效率。

附图说明

图1是一个拉伸曲线图；以及

图2和图3是根据本发明的一个实施方式的压敏粘合剂膜的横截面图。

<附图标记说明>

10：基底膜

20：压敏粘合剂层

30：可剥离膜

具体实施方式

本发明涉及一种压敏粘合剂膜，其包括：

基底膜，其在23℃的温度下具有小于240Kg·mm的韧性；以及

压敏粘合剂层，其形成于所述基底膜上。

以下将详述根据本发明的压敏粘合剂膜。

所述压敏粘合剂膜包括具有优化韧性的基底膜，所述韧性是在特定条件下的拉伸试验中测量的。

在此使用的术语“拉伸试验”是指，当标准化样品被施加的力以预定的速度拉伸时，通过施加于该样品上的力(力，应力)和该样品的伸长率之间的关系而测量该标准化样品的物理性能的试验。拉伸试验的结果可以通过拉伸曲线表达，拉伸曲线显示出相对于施加的力的样品的应变。拉伸曲线可以典型地分为：“负载对伸长率曲线”(图1中的左图)，其通过伸长率(mm)与施加的力(10³N)的关系表示；以及“应力对应变曲线”(图1中的右图)，其通过工程应变与工程应力的关系表示。

以上使用的术语“工程应力”和“工程应变”是指所施加的力和相应应变的标准化值，可由下式表示：

[等式1]

$\sigma =\frac{P}{A_o}$

[等式2]

$ϵ=\frac{l-l_o}{l_o}=\frac{\mathrm{\Delta l}}{l_o}$

在等式1和等式2中，σ表示工程应力(MPa)，P表示施加于样品上的力(N)，A_o表示样品的初始横截面积(mm²)，ε表示工程应变(mm/mm)，l_o表示样品的初始长度(mm)，以及l表示样品在拉伸试验以后的最终长度(mm)。

在本文中使用的术语“韧性”是指通过拉伸试验测得的值，具体而言，是指示材料的软硬程度的值。例如，韧性可以通过对绘制到样品被破坏为止的力(或者工程应力)-伸长率(或工程应变)曲线求积分而计算出来。

压敏粘合剂膜可以包括具有240Kg·mm以下，优选210Kg·mm以下的韧性的基底膜。此外，在本发明中，可以在23℃，优选在20℃至25℃，且更优选在约15℃至30℃下测量韧性。

例如，基底膜的韧性可以通过下述的方法测量。首先，制备具有预定尺寸膜的形状的样品作为基底膜以用于韧性测量。例如，样品可以为膜的形状，并具有约15mm的长度和约15mm的宽度。所述样品的尺寸，如长度和宽度，是指除了用于样品的固定而用胶带粘贴的部分以外的部分的尺寸。

当在上述条件下制备样品以后，将样品如下安装：样品的纵向与机器(拉力试验机)方向垂直，且在纵向上以约180mm/min至约220mm/min，优选约200mm/min的拉伸速度施加力。然后，通过应用膜(样品)的宽度和厚度，力相对于直到样品被拉断的距离的图就表示为伸长率(X轴)和拉伸强度(Y轴)的图。当拉伸曲线按上述方法得到时，拉伸模量可以由该曲线的初始斜率测量，且韧性可以通过该曲线的面积测量。

在本发明中，如果韧性不小于240Kg·mm，膜可能太硬，且由于基底膜的弹性模量的增加，其切割性能可能劣化。此外，如果基底膜的韧性过度增加，减震性能可能变弱，因此，例如当将该膜用于晶片背磨工艺时，膜的应力松弛效果可能劣化，导致研磨精密度下降或者晶片损坏。

在本发明中，只要基底膜的韧性在上述范围内，其下限没有特别的限制。然而，如果基底膜的韧性太小，可能发生膜的过度软化，导致当将膜缠绕在辊周围或者将缠绕的膜从辊上解下以粘合到晶片上时使晶片破裂或损伤。因此，在本发明中，基底膜的韧性可合适地调整为在60Kg·mm以上的范围内。

在根据本发明的压敏粘合剂膜中包括的基底膜优选具有小于700％，优选650％以下，更优选600％以下的伸长率(其通过拉伸试验测量)。如果伸长率不小于700％，在晶片粘合工艺中可能在晶片中发生破裂或损伤。在本发明中，对伸长率的下限没有特别限制，例如，其可以调整为在20％以上的范围内。

在压敏粘合剂膜中包括的基底膜优选在20℃的温度下具有1×10⁷Pa至1×10⁹Pa的储能模量。如果储能模量小于1×10⁷Pa，在晶片粘合工艺中可能发生晶片破裂或损伤。如果储能模量超过1×10⁹Pa，膜的切割性能和减震性能以及研磨精密度可能劣化，或者可能发生晶片损伤。

对在压敏粘合剂膜中包括的基底膜的结构就没有特别限制，只要其包括具有上述性能的膜。例如，如图2所示，压敏粘合剂膜可包括具有上述性能的基底膜的单层。基底膜也可包括两层或多层，且在此情况下，多层基底膜的一层或多层可以满足上述范围的要求，或者整个多层基底膜可具有在上述范围内的物理性能。

只要基底膜满足上述范围内的性能要求，在本发明中使用的该基底膜就没有特别限制。例如，在本发明中，可以使用由选自聚烯烃，如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物(其中，烷基可以是1至4个碳原子的烷基)、乙烯-α-烯烃共聚物或丙烯-α-烯烃共聚物；聚酯，如聚对苯二甲酸乙二酯或聚对苯二甲酸丁二酯；聚氯乙烯；聚酯弹性体；以及聚氨酯聚合物中的一种或多种组成的基底膜。在本发明中，对制备基底膜的方法没有特别限制，例如，可以通过(T模具)挤出法、吹涨法、流延法或压延法制备基底膜。

在本发明中，对基底膜的厚度没有特别限制，且基底膜可以形成为常规厚度。例如，在本发明的一个实施方式中，为了获得具有上述韧性的基底膜，基底膜的厚度可以控制在约50μm至300μm，或者约100μm至200μm的范围内。

在本发明的一个实施方式中，可以在基底膜上进行表面处理，如底漆处理或电晕处理，以改进与压敏粘合剂层的紧密粘合，且为了有效进行半导体加工，可以加上合适的颜色。

如图2所示，压敏粘合剂层包括在基底膜10上形成的压敏粘合剂层20。

只要压敏粘合剂层对于晶片表面低污染，并能在晶片研磨期间防止压敏粘合剂膜起皱，对该压敏粘合剂层20就没有特别限制。例如，在本发明中，可以使用硅压敏粘合剂、合成橡胶压敏粘合剂、天然橡胶压敏粘合剂或丙烯酸酯压敏粘合剂作为压敏粘合剂层20。

如果使用丙烯酸酯压敏粘合剂作为在基底膜上形成的压敏粘合剂，其可以包括由90至99.9重量份的(甲基)丙烯酸酯单体和0.1至10重量份的含有交联官能团的单体的共聚物。

对(甲基)丙烯酸酯单体没有特别的限制，例如，可以使用(甲基)丙烯酸烷基酯。在此情况下，如果在单体中包含的烷基基团成为过长的链时，压敏粘合剂的内聚强度劣化，且玻璃化转变温度(T_g)或压敏粘合性能可能变得难以控制。因此，希望使用具有1至12个碳原子的烷基基团的(甲基)丙烯酸烷基酯。这种单体的例子可包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯或(甲基)丙烯酸十四烷基酯，且在本发明中，它们可以单独使用或者以其两种或多种的混合物使用。如果丙烯酸酯压敏粘合树脂包括(甲基)丙烯酸酯单体，则其含量优选为10至99.9重量份。如果所述含量在10重量份以下，则压敏粘合剂的初始粘合强度很可能会劣化。如果所述含量超过99.9重量份，由于内聚强度劣化，耐久性可能变差。

在本发明的一个实施方式中，在(甲基)丙烯酸烷基酯组分中，(甲基)丙烯酸异冰片酯可作为必要组分包含于其中。(甲基)丙烯酸异冰片酯是一种具有低亲水性能的硬型单体。因此，如果将(甲基)丙烯酸异冰片酯包含在上述共聚物中，压敏粘合剂层可在具有高交联密度和低压敏粘合强度的同时具有高耐水性。此外，如果(甲基)丙烯酸异冰片酯与本发明中另一种具有低玻璃化转变温度的可共聚单体共聚合，有可能得到在作为晶片保护膜的应用中具有超强耐水性和对晶片的润湿性以及优异的再剥离性能的压敏粘合剂。

对压敏粘合剂层中的(甲基)丙烯酸异冰片酯的含量没有特别限制，例如，相对于100重量份的全部单体，(甲基)丙烯酸异冰片酯可以以约1至30重量份，优选5至25重量份包含于其中。如果所述含量在1重量份以下，可能劣化耐水性改进效果。如果所述含量超过30重量份，可能无法顺利剥离或者可能发生粘滑现象。

通过向共聚物中加入可以和多官能交联剂(将在下文中描述)反应的交联官能团，可包含在丙烯酸酯聚合物中的含有交联官能团的单体可以调整耐久可靠性、压敏粘合强度和内聚强度。

可被使用的含有交联官能团的单体的例子可包括含羟基的单体、含羧基的单体和含氮基的单体，但并不限于此。含羟基的单体的例子包括，(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙二酯或(甲基)丙烯酸2-羟基丙二酯。含羧基的单体的例子包括甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸或马来酸酐。含氮基的单体的例子包括(甲基)丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己内酰胺，但不限于此。在本发明中，它们可单独使用或以其二种或多种混合物使用。

含有交联官能团的单体优选以0.1至10重量份包含在上述共聚物中。如果所述含量小于0.1重量份，则压敏粘合剂的耐久可靠性很可能会劣化。如果所述含量超过10重量份，压敏粘合性能和/或剥离强度可能劣化。

根据本发明的丙烯酸共聚物可能另外包括具有高玻璃化转变温度的可共聚单体以增加额外的压敏粘合强度和内聚强度。只要可包括在丙烯酸共聚物中的可共聚单体能够实现上述的功能，对该可共聚单体就没有特别限制。例如，所述可共聚单体可以是如下表示的化合物：

[通式1]

其中，R₁至R₃独立地表示氢或烷基，R₄表示氰基；未取代的苯基或由烷基取代的苯基；乙酰氧基；或COR₅，其中，R₅表示未取代的氨基或者缩水甘油氧基或由烷基或者烷氧基烷基取代的氨基或者缩水甘油氧基。

在R₁至R₅的限定中，烷基或烷氧基是指1～8个碳原子的烷基或烷氧基，且优选为甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基。

由通式1表示的单体的具体例子包括但不限于，下列单体中的一种或两种以上：(甲基)丙烯酸酯，如(甲基)丙烯酸甲酯或(甲基)丙烯酸乙酯；含氮单体，如(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、N-甲基(甲基)丙烯酰胺或N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺；苯乙烯单体，如苯乙烯或甲基苯乙烯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；或者羧酸乙烯酯，如乙酸乙烯酯。当所述共聚单体被包含在所述丙烯酸压敏粘合树脂中时，其含量优选为小于20重量份。如果所述含量超过20重量份，则可能劣化压敏粘合剂组合物的弹性和剥离强度。

包含上述组分的共聚物优选具有-50至15℃的玻璃化转变温度。如果压敏粘合剂的玻璃化转变温度低于-50℃，则剥离强度会随着剥离速度大幅增加，其中在晶片加工工艺中的通常剥离速度约1.0m/min下的剥离强度增加了，导致晶片损坏。如果玻璃化转变温度超过15℃，则可能劣化对粘附体(如晶片)的润湿性，或者可能发生起皱。

在本发明中，共聚物优选具有50,000至700,000的重均分子量。如果重均分子量小于50,000，则由于低内聚强度可能发生迁移引起的污染。如果重均分子量超过700,000，则可能劣化压敏粘合性能。

在本发明中，对制备丙烯酸酯压敏粘合剂的方法没有特别限制，该丙烯酸酯压敏粘合剂可以通过常规聚合制备，如溶液聚合、光致聚合、本体聚合、悬浮聚合或乳液聚合。在本发明中，理想的是使用溶液聚合，且溶液聚合优选通过将引发剂加入均匀混合状态的单体中在50℃至140℃的聚合温度下进行。可以使用的引发剂的例子可包括基于偶氮的聚合引发剂，如偶氮二异丁腈和偶氮二环己腈；和/或过氧化物，如过氧化苯甲酰和过氧化乙酰，它们可以单独使用或者以两种或多种混合物使用。

除了上述组分以外，相对于100重量份的共聚物，根据本发明的压敏粘合剂可进一步包含0.1至10重量份的交联剂。交联剂可以根据其在压敏粘合剂中的用量调节压敏粘合剂的压敏粘合性能。交联剂还可以通过与在共聚物中包含的交联官能团反应而改进压敏粘合剂的内聚强度。

对可以在本发明中使用的交联剂没有特别限制，例如，可以使用常规交联剂，如异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物或者金属螯合化合物。

所述异氰酸酯交联剂可使用选自甲苯二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、四甲代苯二亚甲基二异氰酸酯、萘二异氰酸酯和它们与多元醇(如三羟甲基丙烷)的反应物中的一种或多种。环氧交联剂可使用选自乙二醇二缩水甘油醚、三缩水甘油基醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油基醚、N，N，N’，N’-四缩水甘油基乙二胺和甘油二缩水甘油基醚中的一种或多种。氮丙啶交联剂可使用选自N，N’-甲苯-2，4-二(1-氮丙啶羰基化物)(N，N′-toluene-2，4-bis(1-aziridinecarboxide))、N，N’-二苯甲烷-4，4’-二(1-氮丙啶羰基化物)(N，N′-diphenylmethane-4，4′-bis(1-aziridinecarbodixe))、三亚乙基蜜胺、二间苯二甲酰-1-(2-甲基氮丙啶)(bisisoprothaloyl-1-(2-methylaziridine))和三-1-氮丙啶基氧化膦(tri-1-aziridinylphosphine oxide)中的一种或多种。金属螯合交联剂可以使用选自通过使多价金属(如铝、铁、锌、锡、钛、锑、镁或钒)与乙酰丙酮或乙酰乙酸乙酯配位而制备的化合物中的一种或多种，但并不限于此。

相对于100重量份的共聚物，交联剂优选以0.1至10重量份包含于其中。如果含量小于0.1重量份，则由于压敏粘合剂的内聚强度的降低，在高温或高湿度条件下可能发生内聚破坏。如果所述含量超过10重量份，则由于夹层剥离或者起皱导致可能劣化耐久可靠性，或者可能劣化相容性或者弹性，。

在不影响本发明效果的范围内，根据本发明的压敏粘合剂进一步包括选自增粘树脂、低分子量环氧树脂、固化剂、紫外线(UV)稳定剂、抗氧化剂、着色剂、补强剂、消泡剂、表面活性剂、消泡剂、发泡剂、有机盐、增稠剂和抗静电剂中的一种或多种添加剂。

在本发明中，对在基底膜上形成压敏粘合剂层的方法没有特别限制。例如，在本发明中，该方法可包括利用杆式涂布机、刮刀涂布机、辊涂机、喷涂机、凹版涂布机、帘流式涂布机、逗号式涂布机(comma coater)和/或凸缘涂布机(lip coater)向基底膜的表面直接涂覆包含上述组分的涂层液体，然后使其干燥，或者向薄膜基底表面涂覆压敏粘合剂，使其干燥，将在薄膜基底表面上形成的压敏粘合剂层转移到基底表面，然后使其老化。

在本发明中，理想的是在压敏粘合剂形成阶段通过适当的干燥和老化工艺调整压敏粘合剂层的交联结构。通过调整交联结构，可能得到具有弹性和强内聚力的压敏粘合剂层，从而改进如耐久可靠性的压敏粘合性能和压敏粘合剂膜的切割性能。具体而言，压敏粘合剂膜的压敏粘合剂层优选具有80至99％的交联密度。如果压敏粘合剂层的交联密度小于80％，则压敏粘合剂层的内聚强度劣化，且压敏粘合组分迁移至粘附体，如晶片上，导致残留物。如果交联密度大于99％，则剥离强度下降，由于在晶片加工中的喷水导致浸泡。

根据本发明的压敏粘合剂膜的压敏粘合剂层的厚度优选为0.5至50μm，更优选为1至30μm。如果厚度在此范围以外，则难以得到均匀的压敏粘合剂层，导致膜的物理性能不均匀。

在根据本发明的压敏粘合剂膜中，为了防止外部物质进入压敏粘合剂层，可以在压敏粘合剂层上形成可剥离膜。图3是显示出根据本发明的一个实施方式的压敏粘合剂膜的横截面图，其中，压敏粘合剂层20在基底膜10的一侧形成，且可剥离膜30在压敏粘合剂层20上形成。可剥离膜没有特别限制，例如，可以使用通过在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜或烯烃类膜的一侧或两侧上用硅或醇酸树脂脱模剂进行脱模处理而得到的膜。可剥离膜的厚度根据其用途适当的调整而没有特别的限制，其可以选自10至70μm的范围内。

根据本发明的压敏粘合剂膜可以在半导体晶片背磨过程中用作半导体加工膜，如保护膜。通过使用满足所述特殊物理性能要求的基底膜，本发明的压敏粘合剂膜显示出超强的切割性能和粘合性能，以及缓冲性能和减震性能，从而改进了在如晶片背磨的工艺中产品大规模生产的生产效率。

此外，本发明涉及一种背磨方法，包括：

将根据本发明的压敏粘合剂膜粘合到半导体晶片上的第一步骤；以及

研磨其上粘附了压敏粘合剂膜的半导体晶片的背面的第二步骤。

该背磨方法的特征在于使用根据本发明的压敏粘合剂膜作为晶片处理保护膜，对其他的具体处理条件没有特别地限制。例如，在本发明中，背磨工艺可以在将压敏粘合剂膜利用层压或热层压辊法粘合到晶片上并使其固定到研磨工具(如研磨机)上以后进行。如上所述，根据本发明的压敏粘合剂膜可以以其超强的对晶片的润湿性和优异的剥离性和耐水性能而有效地应用于背磨工艺。在根据本发明的研磨方法中，常规的半导体封装工艺(如晶片切割(wafer dicing)、管芯焊接(die-bonding)、引线焊接(wire-bonding)和封胶(molding))可以与背磨工艺连续进行，且对具体条件没有特别限制。

实施例

以下，将参考根据本发明的实施例和不根据本发明的对比实施例进一步详述本发明。然而，本发明的范围并不限于下面的实施例。

实施例1

制备包含丙烯酸异冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羟乙酯的单体混合物(100重量份)，从而使混合物中包含5重量份的丙烯酸异冰片酯(IBOA)，且由此混合物制备的树脂的玻璃化转变温度为-25℃。然后，聚合单体混合物以制备具有45wt％的固含量的丙烯酸酯压敏粘合树脂。然后，相对于100重量份的压敏粘合树脂，向制备的压敏粘合树脂中加入2重量份的异氰酸酯交联剂。将产物涂覆于韧性为137Kg·mm、20℃下储能模量为5×10⁷Pa、伸长率为434％、拉伸强度为139Kg/cm²的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜上，然后干燥，从而制备压敏粘合剂膜。使用以下方法评价该基底膜的韧性、储能模量、伸长率和拉伸强度。

(1)韧性、伸长率和拉伸强度的测量

将基底膜切成如下尺寸：在测量机器(XP plus，TA(制造商))的机器方向上15mm，且在垂直于机器方向的方向上35mm，以制备样品。然后，将10mm的样品用胶带粘附在长度方向上(在垂直于机器方向的方向上)的顶部和底部。将样品用胶带粘附的顶部和底部(各10mm)固定到测量机器上。然后，通过以200mm/min的拉伸速度施加力直到样品断开，绘出了测得的力(Y轴)对距离(X轴)的图。然后，通过应用样品的宽度和厚度，将绘制的图表示为伸长率(X轴)和拉伸强度(Y轴)的图。然后，样品的拉伸模量和韧性由曲线的初始斜率和面积分别计算。此外，通过在相对于样品的长度方向上的中心部分应用1mm的切口同时以上述方式施加力，比较样品的韧性。

(2)储能模量的测量

通过将膜切成在测量机器的机器方向上30mm和在垂直于机器方向的方向上5mm的尺寸而制备样品。通过使用测量机器(动态粘弹性测量仪，Q800，TA(制造商))在1Hz的频率下同时将温度以3℃/min的速率在-10℃和100℃之间升高下测量制备的样品的储能模量。

实施例2至4和对比实施例1至3

基底膜的类型和物理性能改成如表1中所示，除了这些变化以外，以与实施例1中相同的方法制备压敏粘合剂膜。

[表1]

通过使用实施例和对比实施例制备的压敏粘合剂膜，按照以下的方法评价物理性能。

1.可切割性

使用晶片贴片机将在实施例和对比实施例中制备的压敏粘合剂膜(保护膜)粘合到8英寸的硅(Si)晶片上，并根据晶片形状使用扩展机(HS-1810，Hugle电子公司)切割。然后，将平台的高度设置为3，观察压敏粘合剂膜的切削平面。具体而言，以光学显微镜观察切割开始部分和中间部分以得到毛刺形成的程度以及因切割撕裂的任意面积，以基于如下标准对比切割性能。

○：当膜的切割开始部分以X50倍观察时，相对于以640×480的分辨率在面积部分中观察到的整个膜面积，通过撕裂形成的面积比例小于3％。

△：当膜的切割开始部分以X50倍观察时，相对于以640×480的分辨率在面积部分中观察到的整个膜面积，通过撕裂形成的面积比例为4％至7％。

×：当膜的切割开始部分以X50倍观察时，相对于以640×480的分辨率在面积部分中观察到的整个膜面积，通过撕裂形成的面积比例为8％以上。

2.保护膜的粘合性能

使用晶片贴片机(DS Precision Inc.DYWMDS-8’)将压敏粘合剂膜粘合到8英寸的硅晶片上，并观察晶片的表面以计算薄层气泡产生的部分，然后作出评价如下：○为3个气泡以下，△为4至7个气泡，且×为8个气泡以上。

3.晶片研磨性能

使用晶片贴片机将压敏粘合剂膜粘合到8英寸的硅晶片上以后，根据晶片形状使用扩展机切割膜，然后通过使用背磨仪(SVG-502MKII8)评价晶片损坏和裂缝的量。具体而言，进行5次研磨并作出评价：○为0晶片裂缝，△为1个晶片裂缝，且×为2个晶片裂缝以上。

上述方法中进行的测量结果如表2所示。

[表2]

由表2的结果可以看出，根据本发明的实施例在所有评价性能方面都显示出优异的结果，即切割性能、粘合性能和研磨性能，相反对比实施例显示出差的物理性能。

特别是，具有过高韧性的基底膜的对比实施例2，其在切割性能方面显示出非常差的结果，而具有过高伸长率和韧性的对比实施例3，其在切割性能、粘合性能和研磨性能方面显示出差的结果。