法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-02-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B35/622 授权公告日:20120905 终止日期:20121213 申请日:20091213
专利权的终止
2012-09-05
授权
授权
2010-09-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/622 申请日:20091213
实质审查的生效
2010-06-16
公开
公开
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法