缺陷修复装置和缺陷修复方法

摘要

本发明涉及缺陷修复装置和缺陷修复方法。该缺陷修复装置包括缺陷检测单元、数据库、缺陷修复单元和控制单元。缺陷检测单元检查其上形成有重复图案的多层基板，并且提取关于重复图案中的缺陷的位置信息和关于缺陷的特征信息。多个缺陷修复技术被登记在数据库中。缺陷修复单元利用指定的缺陷修复技术来修复多层基板的缺陷。控制单元读取针对缺陷检测单元检测出的缺陷的缺陷修复技术，并且利用该缺陷修复技术来控制修复缺陷的缺陷修复单元。

说明书

技术领域

本发明涉及在制造显示装置的工艺中执行的缺陷修复技术。具体来讲，本发明涉及修复平板显示器(FDP)中诸如TFT(薄膜晶体管)基板之类的基板上形成的器件图案或布线图案的缺陷所需的缺陷修复装置和缺陷修复方法。

背景技术

目前，作为显示装置，常见的是诸如有机EL(电致发光)显示器和液晶显示器之类的所谓平板显示器。这些显示装置均由包括各种导电构件(例如包括薄膜晶体管(TFT)和电容器的元件)以及与元件电连接的多个布线(例如，信号布线和供电布线)的布线基板形成。

例如，在批量生产部分构成显示装置的布线基板的过程中，有时会由于外来物质而产生诸如短路和断路之类的所谓缺陷。短路意味着正常情况下分开的布线和元件彼此电连接。断路意味着正常情况下连通的布线和元件彼此分开。在批量生产的过程中，随着显示装置的尺寸增大，用作驱动显示装置的布线基板的TFT基板中产生的缺陷数量增多，这导致了产率降低。为了防止这种现象的发生，用于修复缺陷的缺陷修复工艺是必需的。

使用通过照射激光使短路部分断开的技术(激光修复)、通过激光CVD(化学气相沉积)方法使断开部分连通的技术等，作为修复诸如短路和断路之类缺陷的技术。

例如，已经提出了一种缺陷修复方法，在该方法中，基于缺陷坐标和基板上的CIM(计算机集成制造)信息来检查和选择缺陷修复技术，由此自动地修复缺陷(例如，参见日本专利申请特许公开No.2005-221974(下文中，被称作专利文件1))。

另外，本发明的发明人已经提出了一种缺陷修复方法，在该方法中，基板上的单位像素(布线部分)被分为多个区域并且为每个区域选择合适的修复技术，由此修复缺陷(例如，参见日本专利申请特许公开No.2008-159930(下文中被称作专利文件2))。

发明内容

然而，如在专利文件1中所公开的，在假设缺陷图像(可疑图像)和参考图案图像(参考图像)之间的差别图像被确定为缺陷范围而简单执行修复的情况下，如果没有获知缺陷的位置和类型以及基板上的缺陷部分的状况，则修复会失败。这是因为选择缺陷修复技术和选择各种参数取决于操作者的技术和经验，选择结果根据操作者的技术和经验而不同，所述各种参数例如照射缺陷的激光的脉冲周期、激光功率、激光的光斑形状及其振动周期。

在显示用的TFT基板等的情况下，与每个像素对应的布线部分除了信号布线和扫描布线之外还有多个供电布线，因此每个像素的布线密度显著增大并且像素结构显著复杂化。

例如，为了修复与相同布线接触产生的缺陷或者几乎在布线部分中的相同位置产生的缺陷，还必须根据设在其周围的部件类型或者部件的存在/不存在来选择缺陷修复技术。另外，在短路部分尝试通过(例如)激光照射而断开连接的情况下，必须防止由于热扩散而造成在其周围的薄膜晶体管(TFT)变形。

具体来讲，存在以下的情况：组成布线部分(像素)的布线的类型或位置很复杂，像有机EL显示屏；布线部分由一端驱动布线和两端驱动布线组成，该两端驱动布线例如两端连接到电源的供电布线。在这些情况下，缺陷修复技术的可选数量大大增加，这使得难以选择合适的修复技术。

如上所述，在平板显示器的面板制造工艺中，缺陷发生图案和用于处理这些图案的缺陷修复技术(修复工艺)的选择显著多样化。当多个部分不得不被照射激光以修复一个缺陷时，需要时间和功夫来设置激光照射条件(激光器工艺参数)，这导致操作效率的降低。

因此，在对面板制造流水线进行的缺陷修复工艺中，熟练的操作者检查缺陷并且现场确定缺陷修复技术，这样需要的周期时间太长。结果，出现的问题在于，缺陷修复工艺中的操作速度难以赶上整个流水线的批量生产速度。

为了避免这个问题，在大批量面板制造工厂中，装配了多个缺陷修复装置(修复装置)，并且负责操作缺陷修复装置的操作者数量增多。

然而，以上问题的对策造成的严重问题是利润显著降低，这是因为由于缺陷修复装置和操作者的数量显著增加导致制造成本和工时成本增加。

根据以上提及的情况，期望显著提高缺陷修复工艺中的操作效率并且提高缺陷修复质量。

根据本发明的一个实施例，检查其上形成有重复图案的基板，并且提取重复图案中的缺陷的位置信息和缺陷的特征信息。随后，基于基板的层结构，从数据库中读取针对检测出的缺陷的缺陷修复技术。然后，利用所读取的缺陷修复技术来修复缺陷的缺陷修复单元被控制。

具体来讲，控制单元将实际缺陷的区域信息(即第一区域信息)的组成和与重复图案中的缺陷对应的预先登记的区域信息(即第二区域信息)的组成进行比较，以基于比较结果从数据库中读取缺陷修复技术。

根据本发明的另一个实施例，从基板检测重复图案中的缺陷的位置信息和缺陷的特征信息，并且基于基板的层结构，从数据库中读取与检测出的缺陷相对应的缺陷修复方法(模板)。另外，基于所读取的缺陷修复技术来修复缺陷。结果，自动地选择基于上面形成有重复图案的基板的层结构的合适的缺陷修复方法，并且通过所选择的缺陷修复技术来执行缺陷修复。

如上所述，根据本发明的实施例，自动地选择基于上面形成有重复图案的基板的层结构的合适的缺陷修复方法。结果，缺陷修复工艺中的操作效率显著提高。另外，可以降低制造成本和工时成本，这是因为自动地选择基于基板的层结构的合适的缺陷修复方法并且自动地执行缺陷修复。

根据在附图中所示的下面对本发明最佳实施例的详细描述，本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得更清楚。

附图说明

图1是示出作为检查目标的基板结构例子的示意图；

图2是示出图1所示基板中的重复图案区域的示意图；

图3是示出平板显示器的布线基板的制造工艺的流程图；

图4是示出从缺陷检查工艺到缺陷修复工艺的具体流程的示意图；

图5是示出根据本发明第一实施例的缺陷修复装置的结构例子的示意图；

图6是示出图5所示的控制单元的内部结构的示意图；

图7是示出根据本发明第一实施例的缺陷修复工艺的流程图；

图8是示出根据本发明第一实施例的缺陷修复技术得到工艺的流程图；

图9是示出布线图案(布线部分)的示意图；

图10是示出缺陷图像的例子和模板例子的示意图；

图11是示出图9所示的布线图案的层结构的示意图；

图12A和图12B是分别示出需要断开的模板以及需要断开和连接的模板的示意图；

图13是示出了11中所示的布线图案的层结构的示意图；

图14是用于解释根据本发明第一实施例的层信息和标签(label)信息的示意图；

图15是用于解释根据本发明第一实施例的地图数据的示意图；

图16是用于解释根据本发明第一实施例的区域信息的示意图；

图17是用于解释根据本发明第一实施例的区域信息的示意图；

图18A和图18B是分别用于解释根据本发明第一实施例的第一模板的区域信息和用于解释根据本发明第一实施例的第二模板的区域信息的示意图；

图19是用于解释根据本发明第一实施例的缺陷区域的匹配率和不匹配率的示意图；

图20是用于解释根据本发明第一实施例的缺陷区域判断水平的示意图；

图21是用于解释根据本发明第一实施例的模板输出判断水平的示意图；

图22是示出根据本发明第一实施例的在模板输出判断水平高的情况下有效的模板例子(1)的示意图；

图23是示出根据本发明第一实施例的在模板输出判断水平高的情况下有效的模板例子(2)的示意图；

图24是示出根据本发明第一实施例的在模板输出判断水平高的情况下有效的模板例子(3)的示意图；

图25是示出根据本发明第一实施例在模板输出判断水平低的情况下有效的模板例子的示意图；

图26是示出在另一层被连接成等电位的情况下的布线图案例子的示意图；

图27是示出构成图26中所示的布线图案的多层的若干部分的示意图；

图28是示出图26中所示的布线图案的层结构的示意图；

图29是示出根据本发明第一实施例的层结构的示意图，该层结构包括通过组合特定层形成的区域；

图30是示出根据本发明第一实施例的层结构的示意图，该层结构包括通过取代层中的某一区域而形成的区域；

图31是用于解释根据本发明第一实施例的通过任意选择特定区域而形成的层的示意图；以及

图32是根据本发明第一实施例的被添加到图31中所示层的布线图案的层结构的示意图。

具体实施方式

下文中，将参照附图描述本发明的实施例。将按顺序对以下各项进行描述。

1.第一实施例

2.修改的例子

<1.第一实施例>

(概要)

在该实施例中将描述目标布线基板形成显示装置的情况，即，组成由TFT基板等构成的布线基板的大量布线部分形成为二维矩阵图案，从而与显示装置的像素对应。

图1是示出根据本发明的该实施例在平板显示器的制造工艺中作为修复目标的基板例子的示意图。

在该例子中，同时在基板3上形成用于4个平板显示器的布线基板1。将布线基板1划分为具有重复图案的区域(重复图案区域6(参见图2))(随后描述)、具有将重复图案区域6通过布线5连接到外部的外围电路4的区域(外围电路区域)以及设在重复图案区域6与外围电路区域之间边界的最外部的区域(最外部区域)。通过如下步骤获得重复图案区域6和最外部区域：将布线部分2形成为二维矩阵图案，以使其对应于平板显示器的像素。如图2中所示，重复图案区域6是从重复形成有布线部分2的区域中排除最外部区域以外的部分。

图3是示出平板显示器的布线基板的制造工艺的流程图，即，顺序地示出了布线图案形成工艺、缺陷检查工艺和缺陷修复工艺的流程。

在该实施例中，通过如下步骤执行布线部分形成工艺：在基板3上层压作为目标布线部分2的主要结构的扫描布线、层间绝缘膜、信号布线和供电布线(步骤S1、S2和S3)。另外，形成外围电路4和布线5，并且外围电路4和最外部区域中的布线部分2连接。可以在步骤S1至S3中的扫描布线、层间绝缘膜、信号布线和供电线的形成工艺之前或之后，执行外围电路4和布线5的形成工艺。

随后，对于在经受布线部分形成工艺之后传送的基板3进行光学检查工艺，在该光学检查工艺中，通过光学观测大量的布线部分2来检测缺陷布线部分2a(步骤S4)。当检测出缺陷部分2a时，缺陷布线部分2a在基板3上的位置信息被发送到缺陷修复装置的计算机(控制单元)。在光学检查工艺中，从包括图1中所示的缺陷布线部分2a的图像(缺陷图像)中，不仅缺陷布线部分2a的存在而且包括缺陷(图案缺陷、外来物质等)和缺陷位置的所谓图案缺陷分类信息被指明。另外，诸如缺陷尺寸和类型(材料、条件等)的缺陷特征被指明。

另外，在电学检查工艺中，检测在光学检查工艺中几乎检测不到的、除表面以外的区域中产生的缺陷(步骤S5)。

另外，在缺陷修复工艺中，通过读取缺陷位置信息，控制缺陷修复装置的载物台，使其移动到缺陷位置。然后，由观测系统检查缺陷，并且通过执行激光照射等修复缺陷(步骤S6)。根据基板3上的布线基板1上产生缺陷的区域，改变适用的修复方法。当该工艺结束时，TFT工艺(布线基板制造工艺)完成。

根据本发明，可以通过调用所存储的修复数据，非常有效地执行缺陷修复工艺。另外，可以通过选择适于缺陷位置的修复数据，自动执行缺陷修复工艺。

图4是示出图3中所示的从缺陷检查工艺到缺陷修复工艺的具体流程的示意图。

经过布线部分形成工艺的基板3被移动到光学检查装置11(第一步骤)，执行光学检查以识别缺陷，并且将检查结果21输出到缺陷信息管理系统12(第二步骤)。另外，基板3移动到电学检查装置13(第三步骤)，执行电学检查以识别缺陷，并且将检查结果22输出到缺陷信息管理系统12(第四步骤)。缺陷信息管理系统12产生由检查结果之一获得的缺陷信息或者通过将检查结果彼此相关联而获得的缺陷信息(第五步骤)，并且将缺陷信息记录在存储器上作为缺陷信息文件24。同时，将基板3从电学检查装置13移动到修复装置14(第六步骤)，并且修复装置14从缺陷信息管理系统12接收缺陷信息文件24。

修复装置14基于缺陷信息文件24的内容自动选择合适的修复技术(缺陷修复技术：模板)以进行修复，并且再将修复结果25(数据文件、修复后的图像等)输出到缺陷信息管理系统12(第七步骤)。在这种情况下，关于基板3所接收的缺陷信息文件24包括有关基板的层结构的信息。

此后，当有需要时，将基板3移动到电学检查装置13(第八步骤)，通过电学检查再次检查修复后的缺陷状况，并且如果需要的话再次将缺陷信息输出到缺陷信息管理系统12(第九步骤)。另外，缺陷信息经由缺陷信息管理系统12被发送到修复装置14，基板3被移动到修复装置14(第十步骤)，并且可以再次进行修复。

根据本发明的实施例，可以调用已被使用且预先登记的缺陷修复技术(缺陷修复工艺)的数据文件(模板)，其结果是可以非常有效地执行缺陷修复工艺。另外，检查缺陷的位置、尺寸、类型等，并且选择合适的修复数据，其结果是可以自动执行缺陷修复工艺。

(缺陷修复装置的结构例子)

图5示出了对于布线基板执行缺陷修复工艺的缺陷修复装置(对应于修复装置14)的一个例子的结构示意图。

根据该实施例的缺陷修复装置200是所谓的激光修复装置的例子，该激光修复装置通过执行激光照射而使短路部分断开，但仅可以应用于能够通过激光CVD法等执行布线连接工艺的装置(例如，参见专利文件2中的图5)。缺陷修复装置200包括能够在物镜208和基板3之间应用激光CVD法的处理装置，在专利文件2的图5和图6及其描述中有详细公开。

缺陷修复装置200大致由控制单元201、缺陷修复单元202和缺陷检测单元203组成。

控制单元201通过通信接口(未示出)等连接到缺陷信息管理系统12，并且连接到显示器227和诸如键盘之类的输入装置228。控制单元201通过缺陷信息管理系统12预先获得缺陷检查装置300执行缺陷检测得到的结果(缺陷信息)，并且基于该缺陷信息来控制修复缺陷的缺陷修复单元202和细致观测缺陷的缺陷检测单元203。可以将MPU(微处理单元)或诸如个人计算机之类的计算机(处理单元)用于控制单元201。

在控制单元201中，向缺陷修复单元202的载物台控制单元207发出指令，上面安装有基板203的XY载物台205被移动，并且进行调解以使存在缺陷的像素正好置于物镜208下方。然后，移动调焦台210来调节物镜208与基板3之间的间隔，以使穿过光学透镜214g的光的聚焦点图像可以由缺陷检测单元203的图像摄取装置217摄到。应该注意的是，使用半反射镜215a和215b、光学透镜214a以及灯209进行的表面照明(epi-illumination)使得能够得到亮度合适的图像。拍摄到的包括缺陷部分的图像(缺陷图像)暂时存储在缺陷图像存储器218中。这里，像素对应于图1中所示的缺陷布线部分2a。

接着，控制单元201向载物台控制单元207发出指令来移动XY载物台205，以使像素图案变得与缺陷部分的像素完全相同的位置正好位于物镜208下方。然后，拍摄没有任何缺陷的图像(参考图像)，并将该图像存储在参考图像存储器219中。在这种情况下的像素对应于图1中所示的布线部分2。

缺陷提取单元(缺陷检测单元)220对存储在缺陷图像存储器218中的缺陷图像和存储在参考图像存储器219中的参考图像执行位置调节，并且产生差别图像，由此提取缺陷部分的图像。然后，缺陷提取单元220将所提取的缺陷部分图像输出到详细位置信息提取单元221和特征提取单元222。

详细位置信息提取单元221基于缺陷图像和XY载物台205的当前位置，计算所提取的缺陷在基板3上的精确位置，并且将计算结果信息发送到修复方法产生单元226。

特征提取单元222将缺陷的诸如颜色、尺寸、对比度和形状之类的各种特征信息项量化，并且将量化的信息项输出到控制单元201，所述各种特征信息项用于指明缺陷提取单元220所提取的缺陷的图案、形状等。

随后，基于分别由详细位置信息提取单元221和特征提取单元222得到的详细位置信息和特征信息，控制单元201从修复技术数据库225读取缺陷修复信息(修复处方信息)(随后详细描述)。利用缺陷修复信息，限定了缺陷修复单元202的修复机构204中各个单元的操作。

具体来讲，例如，基于来自详细位置信息提取单元221的详细位置信息，控制单元201确定缺陷部分在布线基板上的位置和状况及其层信息，并且执行控制，以便根据缺陷位置执行合适的缺陷修复工艺。

另外，如随后将详细描述的，基于模板与缺陷图像重叠所产生的缺陷修复信息，控制单元201在显示器227上显示修复技术(模板)。应该注意的是，根据情形，基于诸如缺陷的位置和特征之类的缺陷信息，控制单元201可以修复缺陷修复信息的修复对象的一部分。另外，在某些情况下，一个缺陷修复信息项可以包括多个修复技术。

当操作者判断显示器227上显示的修复技术并不适合时，操作者可以通过操作诸如键盘和鼠标之类的输入装置228(输入单元)来选择另一个修复技术，或者可以改变修复技术(缺陷修复信息)中的一部分或全部。此外，当修复方法产生单元226从修复技术数据库225读取多个缺陷修复技术时，这多个缺陷修复技术被显示在显示器227上，并且促使操作者选择这多个缺陷修复技术中的一个。随后，利用操作者通过操作输入装置228所选择的缺陷修复技术来执行缺陷修复。

在接收了从输入装置228输入的操作信号的情况下，控制单元201将缺陷修复技术的选择历史或者变化历史记录到修复技术数据库225上。修复技术数据库225中存储的修复技术用于今后的缺陷修复。

当缺陷修复技术被确定时，控制单元201根据所确定的缺陷修复技术向修复机构控制单元216发出指令，并且使修复机构204中的单元进行操作，由此修复缺陷。在修复机构204中，从激光光源213发出的激光束由光学透镜214b和214c校正，此后使该激光束穿过可变狭缝212，从而可以改变照射尺寸和照射角度。

可变狭缝212被称作(例如)XY-θ狭缝，具有沿着X方向和Y方向的矩形开口长度，并且基于来自修复机制控制单元216的驱动信号可被旋转θ度的角度并被驱动。

由可变狭缝212限定形状的激光束穿过光学透镜214d，并且被电流镜(galvano mirror)211a和211b反射。电流镜211a和211b是其角度可以二维变化的反射镜。通过基于修复机构控制单元216的控制来驱动电流镜211a和211b，可以调节激光束的光轴，即物镜208的视野内的激光束照射位置，而不用移动XY载物台205。

包括可变狭缝212以及电流镜211a和211b的缺陷修复装置200可以以足够的位置精度用激光束照射缺陷，因此可以精确地修复图案缺陷。

另外，由电流镜211a和211b反射的激光束穿过光学透镜214e和214f，并且由半反射镜215a反射，随后用穿过物镜208的激光束来照射基板3，由此修复缺陷。

缺陷检查装置300可以使用光学检查装置来搜索缺陷，因此可以修复导电状态正常的图案缺陷。

将更详细地描述控制单元201。

图6是示出了控制单元201内部结构的框图。控制单元201包括区域信息获得单元251、区域匹配率/不匹配率计算单元252、缺陷区域判断水平计算单元253、模板选择判断水平计算单元254、模板输出判断水平计算单元255、缺陷修复执行单元256和记录单元260。对于记录单元260，使用了诸如半导体存储器的非易失性存储器。随后将描述各个处理单元。

(缺陷修复工艺)

参照图7和图8中所示的流程图将描述缺陷修复装置200执行的缺陷修复工艺以及由上述结构组成的缺陷修复系统的一系列操作。图7是示出了一系列缺陷修复工艺的主要过程的流程图，并且图8是与缺陷修复工艺中的修复技术获得过程(步骤S17)相关的流程图。

步骤S11：参数设置

设置缺陷修复装置200的参数。即，为缺陷修复装置200设置用于执行修复的上述基本信息项。

具体来讲，参数指的是与基板3相关的基本信息项，例如作为修复目标的基板3内图案的位置和数量、对准标记位置以及布线部分2的位置和数量。另外，基本信息还包括作为要自动修复的目标的缺陷的尺寸和状况、在基板3中执行的修复频率、诸如应该被优先修复的缺陷的特征之类的修复条件设置信息、布线图案的形状、修复技术数据库(适用于当有多个数据库时)等。在缺陷修复装置200中，对这些参数进行唯一地设置。

步骤S12：运送基板3并且设置输入信息

将基板3从外部运送到缺陷修复装置200内，并且基板3的之前工艺中的缺陷信息被输入。用缺陷修复装置200中设置的参数来检查所运送的基板3的信息和缺陷信息，并且确定作为修复目标的基板3的基本信息，从而对修复条件执行初始设置(例如，用于清零修复工艺计数)。

缺陷信息是光学检查所检测到的缺陷数量和缺陷检查装置300中的缺陷坐标或像素信息(包括关于缺陷是线缺陷还是点缺陷的信息)。可供选择的，通过将电学检查检测到的缺陷与光学检查检测到的缺陷相关联，得到缺陷信息。

步骤S13：缺陷信息设置

从每个基板3的缺陷信息项列表中，通过以下方法中的一种来选择并输入一个缺陷信息项：以所列次序执行修复、一起修复或分类特定的缺陷(例如，优先修复线缺陷)或者由缺陷修复装置200的操作者来选择任意一个缺陷。

步骤S14：检查缺陷信息

基于输入的基板3的缺陷信息列表，检查是否可以自动执行修复。具体来讲，可能存在输入的缺陷信息不足以执行自动缺陷修复的情况，并且检查是否出现这种情况。

例如，在不满足当前基板3的修复条件的情况下，具体来讲，例如，在点缺陷消除工艺没有执行特定次数的情况下、在修复工艺没有执行特定次数的情况下或者在缺陷已经受修复工艺的情况下，会难以执行自动缺陷修复。另外，例如，在没有限定缺陷坐标输入的情况下或者清楚限定了在图案外部不执行修复的情况下，不会执行自动缺陷修复。这些情况的细节公开在本发明申请人的日本专利申请特许公开No.2008-155263的图4等中。

步骤15：获得缺陷位置信息

当判定输入的缺陷信息是要修复的缺陷时，获得缺陷的详细坐标信息。具体来讲，由通过光学检查结果得到的缺陷坐标、通过电学检查结果得到的像素数量等，计算实际产生缺陷的位置。应该注意的是，步骤15的内容被表达为图17中的“获得子像素坐标”。

步骤S16：拍摄缺陷图像

当获得缺陷的详细位置时，移动XY载物台205，拍摄缺陷图像，并且获得图案中的详细缺陷信息。应该注意的是，步骤S16的内容被表达为图7中的“获得检查信息”。

步骤S17：缺陷修复技术获得工艺

该步骤是本发明的特征步骤。通过将从缺陷图像得到的详细缺陷信息与缺陷修复技术相互核对，从修复技术数据库225中检索出最佳缺陷修复技术，并且连同缺陷位置信息一起输出该最佳缺陷修复技术。应该注意的是，步骤S17的内容被表达为图7中的“获得修复技术”。将参照图8详细描述该步骤的工艺。

步骤S18：修复执行工艺

根据缺陷的实际位置来设置缺陷修复工艺，如果需要的话，进行位置校正，此后修复缺陷。这种情况下的修复执行结果被另外存储在例如记录单元260或者修复技术数据库225中。应该注意的是，步骤S18的内容被表达为图7中的“执行修复”。

步骤S19：修复判断工艺

在完成修复执行后，在摄得缺陷图像的位置的相同坐标和因素处拍摄修复后的图像。将这些图像相互比较，从而执行简单的判断，判断是否已经执行了适当的修复。

步骤S20：修复结果更新工艺

更新修复结果。更新内容包括关于是否已经适当执行了修复的判断结果、修复的详细内容、所执行的修复工艺的数量、所执行的点缺陷消除工艺的数量等。在更新了修复结果之后，再次检查缺陷信息列表，并且判断是否还留有未处理的缺陷或者是否完成了修复。基于该判断，确定是否通过另外输入另一个缺陷信息项来继续修复工艺，或者终止修复并且将基板3传送到外部。

在这种情况下，当确定仍然存在未处理的缺陷时，工艺返回到步骤S12。

步骤S21：传送基板、设置修复信息

在对于输入的基板3已修复了所有缺陷的情况下，或者在满足修复终止条件的情况下，传送基板3，并且将缺陷修复信息输出到缺陷信息管理系统12。修复终止条件是指修复执行特定次数或更多次数的条件、点缺陷消除工艺执行特定次数或更多次数的条件、对特定缺陷执行修复的条件等。

步骤S22：更新参数

在上述工艺中重新登记缺陷修复技术的情况下，或者在激光功率或要修复的缺陷的条件应该变化的情况下，存储在缺陷修复装置200的修复技术数据库225中的参数信息被更新，并且设置下一个基板3。

图8是示出了由控制单元201进行的缺陷修复技术获得工艺(步骤S17)的流程图。图8中的流程图与缺陷修复工艺中的修复技术获得工艺(具体来讲，区分优先次序工艺)相关。

首先，在步骤S31中，将缺陷信息从详细位置信息提取单元221和特征提取单元222输入到控制单元201，并且工艺前进至步骤S32。

接着，在步骤S32中，判断是否存在现有检测方法可适用的缺陷修复技术(模板)，并且根据判断结果，工艺前进至随后步骤。已经提出了多种现有检测方法，例如基于缺陷的位置信息、区域信息和特征信息来读取优先级较高的缺陷修复技术的方法(参见日本专利申请特许公开No.2007-163892)。另外，还提出了如下的方法：通过将布线基板划分为多个区域并且基于布线基板上包括缺陷的区域，读取缺陷修复技术(参见，日本专利申请特许公开No.2008-155263)。此外，也提出了如下的方法：基于布线图案的参考坐标和检测出的缺陷之间的位置关系，自动读取缺陷修复技术(参见专利文件2)。在存在缺陷修复技术的情况下，工艺前进至步骤S33。在没有缺陷修复技术的情况下，工艺前进至步骤S38。

在步骤S33中，判断是否登记了缺陷背景区域信息。如果登记了该区域信息，则工艺前进至步骤S34。如果没有登记该区域信息，则工艺前进至步骤S39。

在步骤S34中，检测缺陷区域判断水平，并且优先级被排序(分类或重新排列)，然后工艺前进至步骤S35。具体来讲，区域匹配率/不匹配率计算单元252计算缺陷与模板之间的匹配率和不匹配率，并且基于所得到的计算结果，缺陷区域判断水平计算单元253计算出缺陷区域判断水平。

在步骤S35中，模板选择判断水平计算单元254判断是否达到了适用的模板选择判断水平。如果达到了预定模板选择判断水平，则工艺前进至步骤S36。如果没有达到预定模版选择判断水平，则工艺前进至步骤S38。

在步骤S36中，模版输出判断水平计算单元255检测模版输出判断水平并且对优先级进行排序。然后，工艺前进至步骤S37。

在步骤S37中，模版输出判断水平计算单元255判断是否达到适用的模版输出判断水平。如果达到了预定的模版输出判断水平，则工艺前进至步骤S39。如果没有到达预定的模版输出判断水平，则工艺前进至步骤S38。

在步骤S38中，根据来自输入装置228的操作者指令，编辑和登记新的缺陷修复技术，并且工艺前进至步骤S39。

在步骤S39中，缺陷修复执行单元256应用满足步骤S37中的条件的缺陷修复技术或者在步骤S39中编辑并登记的缺陷修复技术，并且将控制信号发送到缺陷修复单元202，由此控制缺陷修复的执行。一旦工艺完成，则工艺前进至步骤S40。

在步骤S40中，判断是否存在缺陷仍未修复的布线部分。此时，如果判断出存在缺陷没有修复的布线部分，则工艺返回到步骤S31，并且输入新的缺陷信息。另一方面，如果判断出不存在缺陷没有修复的布线部分，则一系列工艺都终止，并且工艺前进至随后步骤。

这里，图9是示出在布线基板1的重复图案区域6中形成的布线部分2(单位像素)示意结构的示意图。

例如，布线部分2分为与三原色RGB对应的三个区域(下文中，也称作“子区域”)2R、2G和2B。这三个子区域2R、2G和2B的结构的不同之处在于，这三个子区域2R、2G和2B包括不同的电容器(容性元件)45R、45G和45B。在该实施例中，形状(结构)部分不同的三个子区域2R、2G和2B用作例子，但是这三个子区域的形状(结构)当然也可以相同。

子区域2R、2G和2B被形成为具有大致相同的面积，并且具有如下结构：借助沿着与扫描线41垂直的方向延伸的层间绝缘膜(未示出)，在设于布线基板1(参见图1)上的扫描线1上布置信号布线42R、42G和42B、供电布线43R、43G和43、地电极(未示出)。信号布线42R、42G和42B的结构分别与电容器45R、45G和45B相对，电容器45R、45G、45B分别通过TFT元件44R、44G和44B的栅极连接到地电极(未示出)。

应该注意的是，图8仅示出了布线部分2中实际布线图案的示意图，因此包括与实际布线图案之间的不同点。

在具有如图9中所示的重复图案的布线图案(布线部分2)中，在可以根据像素中的缺陷位置而提供多个修复图案的情况下，要应用的缺陷技术可以根据条件而不同。在这种情况下，预先将关于哪一种缺陷技术用于哪种缺陷的信息登记在修复技术数据库225中作为模板。模板指的是缺陷修复信息(修复处方信息)的客观化(可视化)实体，即缺陷修复技术。

随后，如下技术是有效的：输入重复图案(布线部分2)的参考坐标和缺陷位置、从修复技术数据库22检索出最佳缺陷修复技术、将模板叠置在缺陷图像上并且应用缺陷修复技术。可以使用日本专利申请特许公开No.2007-163892中公开的技术作为利用模板的缺陷修复方法。

图10是示出布线部分中存在短路缺陷的缺陷图像例子的示意图。

缺陷图像中的缺陷50是布线部分(供电布线42G和42B)中短路缺陷的例子。首先，在详细位置信息提取单元221中，检测设在布线部分2和重复图案区域52的任意拐角处的参考坐标51。然后，基于与参考坐标51的相对位置，缩小重复图案上的缺陷50的位置和条件的范围。随后，控制单元201从修复技术数据库225中选择满足缺陷50的条件的已登记模板。

模板包括“缺陷对象”和“修复对象”，“缺陷对象”是缺陷的复制品，“修复对象”表示根据缺陷对象在布线部分上的位置及其特征要经受修复工艺的部分。例如，缺陷对象表示缺陷对象的位置、缺陷对象所属的区域、缺陷对象的尺寸和形状以及缺陷对象所处的电路。另外，修复对象表示照射缺陷的激光的位置、输出等。

在该例子中，关于造成布线间短路的缺陷50(即，缺陷对象50a、50b和50c)的缺陷修复技术，它们的最佳模板(1)至(3)被登记在修复技术数据库225中。

换言之，在该例子中，作为取决于缺陷50位置的缺陷修复技术，模板(1)至(3)被登记在修复技术数据库225中，并且从模板(1)至(3)中选择用于修复缺陷50的最佳模板。

模板(1)包括关于缺陷对象50a的修复对象60a，缺陷对象50a与缺陷50具有基本相同的条件，例如位置和尺寸。另外，模板(2)包括关于缺陷对象50b的修复对象60b，缺陷对象50b位于缺陷50的稍下方。另外，模板(3)包括关于缺陷对象50c的修复对象60c，缺陷对象50c位于远离缺陷50的下方。

在该例子中，选择包括缺陷对象50a的模板(1)作为用于修复缺陷50的最佳模板，缺陷对象50a与缺陷50具有几乎相同的条件，例如位置和尺寸。

然后，将读取到控制单元201的模板(1)显示在显示器227上。此时，以缺陷图像(布线图案)的参考坐标51为原点来转换模板(1)的参考坐标61，并且将修复对象60a叠置在缺陷图像的缺陷50上。在专利文件2中更详细地公开了坐标转换方法。

通过如上所述的重复图案区域中的缺陷修复方法，可以基于重复图案(布线部分)中缺陷的位置来选择最佳模板。结果，通过读取根据位置关系所选择的缺陷修复技术，可以自动地进行缺陷修复技术，因此可以避免手动执行确定这一棘手的任务。

应该注意的是，在从修复技术数据库225中读取修复工艺时对于缺陷没有合适的缺陷修复技术(模板)作为修复对象的情况下，基于预定的优先级等来选择次佳模板。例如，自动选择最高优先级(例如，最频繁使用)的缺陷修复技术的模板或者低难度水平的缺陷修复技术的模板，并且在显示器227上显示所选择的模板。然后，自动执行或者通过操作者视觉上确认然后再执行所显示模板的修复技术。

另外，在没有合适的关于缺陷的工艺设置文件(模板)作为目标的情况下，操作者可以操作输入装置228，以手动设置激光工艺条件，并且可以将其设置文件添加到修复技术数据库225。

(标题信息和对象信息)

在该实施例中作为模板显示的缺陷修复技术是包括标题信息和对象信息的数据文件，对象信息与标题信息相关联(参见日本专利申请特许公开No.2007-163892)。

应该注意的是，缺陷修复技术也被称作“缺陷修复信息(修复处方信息)”。

标题信息包括：缺陷修复技术的“处方名称(或处方号)”；“区域号”，该区域号表示缺陷所在的子区域；“子区域号”，该子区域号表示子区域；“参考像素号”，该参考像素号表示参考像素在基板3上的位置；“相邻像素号”，该相邻像素号表示参考像素的侧部、顶部和底部存在/不存在相邻像素及其位置；修复对象的“对象数”，该对象数表示其修复处方已被登记的缺陷和缺陷修复技术。

对象信息包括缺陷对象和修复对象，缺陷对象是缺陷的复制品，修复对象表示根据缺陷对象在布线部分2中的位置及其特征要经受修复工艺的部分。

换言之，对象信息是通过以下步骤得到的：将缺陷对象和修复对象彼此相关联，并且根据登记在标题信息中的若干对象来登记它们。应该注意的是，简单使用术语“登记”意味着登记到上述修复技术数据库225中。

对象信息包括：“处方名(或处方号)”，用于与处方标题相核对；“坐标”，该坐标表示对象在布线部分2中的位置；作为缺陷对象和修复对象的基本信息的“对象形状”、“角度”和“位置校正信息”。

应该注意的是，“校正信息”是用于通过与实际缺陷图像的缺陷位置进行比较来执行位置校正的信息，并且“角度”是XY载物台205上的缺陷与正常位置之间的旋转角度。

在该例子中，基于重复图案(布线部分2)中存在缺陷的区域的区域信息，适用的模板的范围缩小并且被最优化。下文中，重复图案中存在缺陷的区域(或者缺陷所占区域)被具体称作“缺陷区域”或“缺陷范围”。

(关于区域信息)

接着，将描述区域信息获得单元251进行的处理。

图11是示意性示出了图9中所示的重复图案(布线部分2)的层结构的示意图。

由于是多层结构，因此在一些情况下，在特定层下面设有另一层。因此，可能存在某一区域难以从重复图案的图像70中只识别出特定层的结构。例如，当同时存在由单层形成的区域、由多个不同层组成的区域等时，难以识别出层结构。

在图9所示的缺陷的例子中，必须登记如图12A和图12B中所示的两类缺陷修复技术。

在图12A中所示的缺陷50d中，布线部分2的供电布线43G和供电布线43B断开，从而消除了短路。模板为此包括用于断开连接的修复对象60d。

图12B中所示的缺陷50e将布线部分2的供电布线43G和供电布线43B短路，并且与扫描布线41G重叠。在这种情况下，在扫描布线41下方设有另一层。因此，当直接用激光照射缺陷50e时，下层上的扫描布线41可能不期望地断开。换言之，只通过利用修复对象65e1和65e2断开供电布线43B的上部和下部，然后利用连接用的修复对象66将它们连接起来，就可以消除短路。

图13是示出图11中所示的布线图案(布线部分2)的重复层的示意图。在该图中，各层中带圈的数字表示其标签的标签ID。

在该例子中，例如，布线部分2由7层1至7(图像71至77)组成。对于每一层，设置叠置层的次序(ID：识别信息)和层名称作为层信息，并且为各个区域(标签)分配ID，由此登记标签信息。标签表示层中的一部分，在该部分中，与诸如布线、电极和接触孔之类的元件相对应的特定区域或位置被设置为层中的单独区域。层信息包括层的识别信息、属性信息等，并且可以从诸如CAD图案或手动输入信息之类的设计电路信息中获得层信息。当接收到所传送的基板3时，获得层信息和标签信息。

图14是示出图13中所示的层4(图像74)的示意图。在层4中设有7个标签。

在层信息中设有

(1)层ID；

(2)层名称；以及

(3)层中区域(标签)的数量。

在该例子中的层4中，将“(1)层ID：4”、“(2)层名称：层4”和“(3)层中区域(标签)的数量：7”登记作为层信息。

另外，在标签信息中例如设有

(1)标签ID；和

(2)层ID(标签所属的)。

在图14中所示的层4中的标签7中，将“(1)标签ID：7”和“(2)层ID：4”登记作为标签信息。

另外，如图15中所示，所登记的所有层和标签的信息项被重复展开为图案中的坐标值(相对于参考坐标的相对坐标)，从而创建地图数据。

在地图数据中，登记有

(1)坐标；和

(2)现有标签信息(层ID：标签ID)。

在图15中所示的点81的情况下，从图13中所示的已登记的层组中，例如，登记“(1)坐标：(256，266)”和“(2)现有标签信息：(层4：标签1)、(层5：标签3)和(层7：标签3)”。

图16是示出了在获得特定范围的区域信息的情况下的例子的示意图。

当要获得特定范围的区域信息时，扫描要获得的整个范围内的地图数据的坐标信息，以得到区域信息作为输出值。例如，在图16中所示的区域82中，从图13中所示的已登记的层中，将“(层1：标签2)、(层2：标签3)、(层3：标签3)、(层4：标签3，标签7)、(层6：标签3)和(层7：标签3)”输出作为区域中的标签信息。

图17是示出了在获得重复图案区域以外的区域的区域信息的情况下的例子的示意图。

对于重复图案区域以外的区域，其区域信息通过以下步骤得到：除了从重复图案区域的方向之外，沿着周围的8个方向移动图像数据。因此，对于与多个重复图案叠置的区域(缺陷)，也可以设置并获得区域信息。

例如，将描述如图17中所示的与两个重复图案70A和70B重叠的缺陷83的情况。重复图案70A在重复图案的范围内，即，在中央范围(的重复图案)内。另一方面，重复图案70B在中央范围内的重复图案70A附近的范围内。

在该例子中，从图13中所示的已登记层组中，将“中央范围(层1：标签2)、(层7：标签5)和向下范围(层1：标签1)、(层7：标签2)”登记作为区域中的标签信息(层ID：标签ID)。

接着，将地图数据的区域信息登记作为除了登记在模板中的缺陷信息之外的信息。例如，图12A和图12B中所示的两类模板的区域信息项如图18A和图18B中所示。

关于图18A中所示的缺陷50d，从图13中所示的已登记层组中，将“中央范围(层4：标签2，标签3)”登记作为缺陷范围的区域信息。另外，关于图18B中所示的缺陷50e，从图13中所示的已登记层组中，将“中央范围(层1：标签2)、(层4：标签2，标签3)和向下范围(层1：标签1)、(层4：标签2，标签3)”登记作为缺陷范围的区域信息。

为了实际地将缺陷与模板进行核对，以与模板相同的方式来扫描(分析)缺陷范围，获得在缺陷范围内存在的区域信息，由此进行比较。为了进行比较，限定下面的判断条件，并且组合这些判断条件来确定优先级。

(关于区域匹配率和区域不匹配率)

接着，将描述由区域匹配率/不匹配率计算单元252执行的处理。

当将实际缺陷范围和由模板假定(设置)的缺陷范围彼此进行比较时得到的比较信息中的匹配率和不匹配率定义如下。

区域匹配率：

区域匹配率表示包含在缺陷区域中的模板区域信息的比率。当用DefDataSize表示缺陷区域信息项的数量并且用DefComSize表示包含在模板区域信息项中的缺陷区域信息项的数量时，区域匹配率RerRank表示如下。

RerRand＝(DefCompSize/DefDataSize)×100

区域不匹配率：

区域不匹配率表示未包含在缺陷区域信息中的模板区域信息的比率。当用TempDataSize表示模板区域信息项的数量并且用DefCompSize表示包含在模板区域信息项中的缺陷区域信息项的数量时，区域不匹配率PerWas表示如下。

PerWas＝|((DefCompSize-TempDataSize)/TempDataSize)×100|

区域匹配阈值：

区域匹配阈值是区域匹配率的阈值，并且用作除了区域匹配率之外的下一项的缺陷区域判断水平的决定因素。随着模板和缺陷的区域结构之间的匹配率变高，模板的输出优先级增加。

区域不匹配阈值：

区域不匹配阈值是区域不匹配率的阈值，并且用作除了不区域匹配率之外的下一项的缺陷区域判断水平的决定因素。随着模板和缺陷的区域结构之间的匹配率变高，模板的输出优先级增加。当在模板和缺陷的区域结构之间存在大量不匹配的组件时，模板的输出优先级减小。

在图19中所示的例子中，左图示出了模板，而右图示出了实际缺陷。在这种情况下，缺陷区域的匹配率和缺陷区域的不匹配率被如下确定。

在左侧模板的缺陷范围90和右侧实际缺陷的缺陷范围100内，在层4、6和7(参见图13中所示的已登记层组)中存在不匹配点。

缺陷区域信息项的数量(DefDataSize)：7

模板区域信息项的数量(TempDataSize)：6

与模板匹配的缺陷区域信息项的数量(DefcompSize)：5

因此，

区域匹配率(PerRank)和不匹配率(PerWas)被如下确定。

PerRank＝(DefCompSize/DefDataSize)×100≈71.4

PerWas＝|((DefCompSize-TempDataSize)/TempDataSize)×100|≈16.6

(关于缺陷区域判断水平)

接着，将描述由缺陷区域判断水平计算单元253进行的操作。

缺陷区域判断水平是当基于上述区域匹配率和区域不匹配率将缺陷范围与设在模板中的缺陷范围进行比较时得到的比较信息的判断水平。如下将判断水平分级。随着判断水平提升，缺陷的特征更接近模板的特征。

区域判断水平S：被比较的区域结构信息项彼此完全相配。

区域判断水平A：所有的缺陷区域结构信息项都包含在模板区域结构信息项中，但是存在大量的模板区域信息项(标签元件)。

区域判断水平B：

(1)所有的模板区域信息项都包含在缺陷区域结构信息项中，但是存在大量的缺陷区域信息项，或者

(2)区域匹配率高于区域匹配阈值，并且区域不匹配率低于区域不匹配阈值(存在残留缺陷的可能性)

区域判断水平C：被比较的一些区域结构信息项彼此相配，但是匹配率不满足区域判断水平B的标准(不是包含所有的模板区域信息项并且不满足阈值的标准)，并且模板具有一些没有包括在缺陷区域信息项中的区域信息项(存在缺陷位置可能不对应于实际缺陷位置的可能性)。

区域判断水平D：被比较的区域结构信息项完全不匹配(存在缺陷与模板中设置的缺陷不同的可能性)。

图20是示出在区域匹配阈值被设置为70％并且区域不匹配阈值被设置为30％的情况下区域判断水平(6个)例子的示意图。应该注意的是，在图20中，在区域判断水平B(2)中，区域匹配率和区域不匹配率分别是71.4％和16.6％，而在区域判断水平C中，区域匹配率和区域不匹配率分别是50％和50％。

在图20中，缺陷范围90是模板所设置的区域(参见图19)，并且缺陷范围101至106是实际缺陷范围。

缺陷范围101的情况：

实际缺陷的缺陷范围101包含在模板的缺陷范围90中，并且被比较的区域结构信息项彼此完全匹配。因此，确定区域判断水平为“S”。

缺陷范围102的情况：

实际缺陷的缺陷范围102包含在模板的缺陷范围90中，但是基于区域匹配率或区域不匹配率，确定区域判断水平为“A”。

缺陷范围103的情况：

实际缺陷的缺陷范围103与模板的缺陷范围90重叠，并且所有的模板区域结构信息项都包含在缺陷区域结构信息项中。然而，存在大量的缺陷区域结构信息项，由此区域判断水平被确定为“B(1)”。

缺陷范围104的情况：

实际缺陷的缺陷范围104与模板的缺陷范围90重叠，但是区域匹配率高于区域匹配阈值并且区域不匹配率低于区域不匹配阈值。因此，区域判断水平被确定为“B(2)”。

缺陷范围105的情况：

模板的缺陷位置与实际缺陷的位置不同。被比较的区域结构信息项部分彼此匹配，但是匹配率不满足判断水平B的标准，并且模板包括没有包含在缺陷区域结构信息项中的区域信息项。因此，区域判断水平被确定为“C”。

缺陷范围106的情况：

模板的缺陷位置与实际缺陷位置完全不同，并且被比较的区域结构信息项根本不匹配。因此，区域判断水平被确定为“D”。

在上述缺陷区域判断水平中的区域判断水平S和A中，缺陷的所有区域结构信息项都包含在模板的区域结构信息项中，并且模板的区域信息项(标签元件)的数量等于或大于缺陷的数量。因此，在区域判断水平S和A下，能够可靠地修复缺陷。

(关于模板选择判断水平)

接着，将描述由模板选择判断水平计算单元254进行的处理。

模板选择判断水平设置输出模板的区域结构信息项的匹配条件。模板选择判断水平如下所述地分级。随着判断条件越严格，检测率降低，但是认为缺陷修复技术更准确。另外，在选择判断水平A和B中，当存在多个要输出的候选模板时，优先输出处于较高选择判断水平的模板。

选择判断水平S：

从输出候选中排除与区域判断水平S下的模板不同的模板。

选择判断水平A：

区域判断水平A的模板被设置为输出候选。缺陷被修复，但是可能执行不必要的修复工艺。

选择判断水平B：

在被比较的区域结构信息项在至少一点(对于区域判断水平C)匹配的情况下，将模板设置为输出候选。不完全确保对缺陷的修复，但是可能会根据设置已登记的模板缺陷区域的方式来修复缺陷。

(关于模板输出判断水平)

接着，将描述由模板输出判断水平计算单元255进行的处理。

当基于模板选择判断水平来检测作为输出候选的多个模板时，比较所检测的模板的缺陷的位置信息项，以确定要输出的模板的优先级次序。应该注意的是，可以由操作者手动切换下列输出判断水平。

高输出判断水平：

随着模板中设置的缺陷和实际缺陷的重叠区域越大，优选地输出该模板。另外，在模板没有与实际缺陷重叠的缺陷的情况下，即使在确定模板的选择判断水平为“S”时也删除模板。

低输出判断水平：

满足以下条件的模板被优选输出：该模板具有重心坐标与实际缺陷的重心坐标接近的缺陷。

图21是示出在输出判断水平为高的情况下、存在多个处于相同区域判断水平的模板时确定优先级次序的例子的示意图。

在该例子中，针对输入的实际缺陷91的区域选择三个模板。设在各个模板中的缺陷111、112和113与实际缺陷的区域偏离较大距离，并且具有以所述次序与实际缺陷重叠的较小区域。在这种情况下，以包含缺陷111的模板、包含缺陷112的模板和包含缺陷113的模板为次序设定模板的优先级，并且输出判断水平为高。因此，分别确定包含缺陷111和缺陷112的模板为输出候选。即，即使区域判断水平为高，当设在模板中的缺陷没有与实际缺陷重叠时，模板的优先级次序降低。

如上所述，在输出判断水平设置为高的情况下，即使当模板的缺陷接近实际缺陷时，如果其缺陷没有与实际缺陷重叠，也删除该模板。这对于如下情况是有效的：模板中登记的缺陷位置被精细设置从而使修复点的数量最小化的情况(图22)、缺陷区域被广泛限定并且要修复的缺陷被共享从而使已登记模板的数量最小化的情况(图23)、以及假定包含缺陷的区域难以修复的情况(图24)。

图22(上图、中图和下图)分别示出了针对缺陷122a、122b和122c在合适位置设置缺陷121a、121b和121c(缺陷对象)的三个模板，缺陷122a、122b和122c具有相同的区域信息但是分别产生于不同的位置。

在图23中所示的模板中设有缺陷123(缺陷对象)，缺陷123形成得长从而对应于长缺陷124，该长缺陷124的形状如同连起来的图22中所示的三个缺陷。应该注意的是，当登记了大的缺陷范围时，与实际缺陷的匹配率降低。随着已登记的缺陷范围越小，与实际缺陷的匹配率增大。

图24中所示的缺陷125与扫描布线41及供电布线43B和43G重叠，并且位于难以修复并应该仔细处理的区域内(参见图12)。在这种情况下，除了缺陷的位置和尺寸之外，还要考虑层结构。结果，用于断开连接的缺陷对象127-1和127-2以及用于连接的缺陷对象126选择被设置的模板，从而使得可以在不损坏布线图案的情况下执行适当的修复。

另外，在输出判断水平为低的情况下，当一个缺陷修复技术可以应用于广泛范围时或者当缺陷的位置可被确定时是有效的。

在图25中所示的例子中，缺陷128位于电容器45G内。在该例子中，缺陷128完全位于特定的层区域内，并且可以容易地指明层结构。因此，降低了对复杂输出判断水平的需要。

另外，在输出判断水平为低的情况下，以与缺陷重心坐标的距离为次序来选择所有的模板。还可以从这些模板中选择在另一条件下优先级次序为高的模板。可供选择地，还可以在操作者检查显示器127上显示的对应模板时，即，在操作者将模板作为字典来查询时，执行修复。

根据以上实施例，在已登记的重复图案中构造的已登记区域信息被定义，并且比较实际缺陷和缺陷修复技术(模板)之间的区域信息项(组成成分)，其结果是可以从已登记的缺陷修复技术中自动选择最佳缺陷修复技术并且执行该技术。

另外，通过即使已登记的缺陷修复技术在电学定义方面与缺陷匹配时也删除不合适的缺陷修复技术，防止了缺陷修复技术被错误检出，并且可以输出合适的缺陷修复技术。

另外，即使当存在用于特定缺陷的多种缺陷修复技术时，通过将区域信息登记在缺陷范围内并且将其与模板的区域信息进行比较，可以从针对电学上相同缺陷的缺陷修复技术中，以优先级的次序选择最佳缺陷修复技术。结果，改进了缺陷修复的准确性。

即，在本发明的实施例中，当然可以使用基板中的特定电路信息。但是，本发明的实施例专用于独有区域判断，该区域判断除了电路信息和表面缺陷信息之外还设置布线部分中的任意区域，这对于缺陷修复技术是最佳的。

<2.修改的例子>

(第一修改例子：等电位区域和组合区域)

图26是其中多个布线图案形成在基板3上的重复图案的图案图示，其与图11的不同之处在于，不同的层(例如，层4和另一层)通过接触孔131等连接以形成等电位表面。

在图27中，左图示出了基于层4(图像74，参见图13)示出的层(图像135A)的例子。在该例子中，用其中层4的布线132G和132B与另一层的布线133G和133B通过接触孔131彼此连接的区域，表示供电布线。

另一方面，在图27中，右图示出基于层4(图像74，参见图13)示出的层(图像135B)的例子。在该例子中，层4的布线132G和132B与另一层的布线133G和133B通过接触孔131彼此连接，其结果是得到了等电位区域。布线132G1和132B1是等电位的，布线132G1和132B1被分别设为与构成供电布线的布线132G和132B相对。

图28是示出了与图26和图27中所示的例子相对应的布线部分2的层结构(已登记的层组)的示意图。

在这些例子中，与图13中所示的层结构不同，增加了包括布线133G和133B的层(图像141)。另外，添加了其中形成有接触孔131的层(图像142)，以替代层5(图像75，参见图13)。

在布线图案的情况下，将通过组合特定层得到的区域登记作为用于判断的区域，或者用现有层替代等电位区域而被登记，其结果是可以简化地图数据的检索并且可以缩小数据区域。通过除了图13中所示的现有层之外，还将通过图29中右图所示的接触孔连接的区域(通过组合特定标签得到的区域)登记作为用于判断的区域，得到图28中所示的已登记层组。

图30是示出基于图29中左图所示的等电位区域来取代图13中所示的现有层中的区域的已登记层组的示意图。

(第二修改例子：任意区域的指定)

图31是示出了任意选择特定区域的例子的示意图。即，从布线部分2的图像70中选择TFT元件44R、44G和44B并且登记新的区域161R、161G和161B，从而形成层160。图32示出了向图13中所示的现有层结构添加另外形成的层160的状态。

该层用于将存在/不存在任意区域的信息登记在特定坐标中，因此可以不根据电路设计信息来对区域执行判断。因此，布线图案中的特定组件的区域被组合，并且设置用于缺陷修复的独有区域以供判断，其结果是可以提高模板的检测准确性。另外，在没有电路信息的情况下利用通过拍摄从实际图像能得到的区域而得到的图像作为替代，可以检索模板。

上述实施例是用于执行本发明的优选实施例的具体例子，因此施加了在技术上期望的各种限制。然而，本发明不限于以上实施例，只要以上实施例不包括特别限制本发明的描述。因此，例如，以上描述中所使用的材料和所使用的材料量、处理时间、处理顺序、各种参数的数值条件等只是期望的例子。另外，以上描述的附图中的尺寸、大小、位置关系等是示意性的并且只是实施例的例子。本发明不限于以上实施例，并且在不脱离本发明思想的情况下可以进行各种变化或修改。

另外，在以上实施例中，描述了对平板显示器的玻璃基板上形成的设计图案执行缺陷修复的情况，但是修复目标不限于该例子。例如，根据本发明的缺陷修复可以应用于作为修复目标的基板上形成的预定图案，例如半导体晶片、光掩模和磁盘。

图6中所示的控制单元201通过由诸如MPU之类的处理单元执行非易失性存储器上记录的程序而实现了预想的功能。可选择地，可以通过使用单独的程序来实现图6中所示的功能块。另外，可以通过一个程序来实现多个功能块。另外，可以通过使用硬件来实现图6中所示的功能块。

另外，修复技术数据库225可以不设在缺陷修复装置200中，而设在远程服务器中。通过借助诸如LAN和因特网之类的网络对修复技术数据库225进行访问，可以获得缺陷修复技术。

本申请包含与2008年10月22日在日本专利局提交的日本优选权专利申请JP 2008-272528中公开的主题相关的主题，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。