一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅基扭曲多层石墨烯材料的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：采用化学气相沉积法在碳化硅基底上进行石墨烯材料的生长，以氢气作为载气，通入气态碳源，在1500‑1700℃和910‑990mbar下生长10‑45min，得碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，其中，相邻两层石墨烯之间形成了30°的扭曲夹角。本发明提供的在SiC衬底上生长石墨烯材料的方法，有助于制备表面均匀平坦、晶体质量高、电学特性优良的碳化硅基扭曲多层石墨烯材料，且具有无需衬底转移、易与Si基半导体工艺相结合的优点。