一种基于PVD技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法

摘要

本发明涉及一种基于PVD技术制备局部多晶硅薄膜钝化接触的方法。该方法通过在掺杂的晶体硅表面制备一定厚度的氧化层，在氧化层上面采用PVD的方法，利用掩膜在金属接触区域选择性制备一定厚度的多晶硅薄膜，金属化后，金属浆料仅接触局部钝化接触区域，该结构大大减少了金属接触区域的金属复合，可有效提高电池的开路电压；同时，局部钝化接触结构以外区域由于不含掺杂多晶硅层，相对于整面多晶硅薄膜结构电池，不会由多晶硅自身吸收而带来光学损失，避免了短路电流的损失，从而提高电池转换效率。