一种具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法，属于光学薄膜材料技术领域。为了解决现有的工艺过程复杂、不易控制和反射波窄的问题，提供一种具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法，包括将5wt%～85wt%向列相液晶、5.0wt%～15wt%的手性化合物和8.0wt%～20wt%的液晶可聚合单体进行混配，再加入0.2wt%～1.5wt%的偶氮手性化合物和0.01wt%～10wt%光引发剂，得到混配液晶体系；然后，注入预先经过平面取向的液晶盒中，得到的薄膜样品；再在胆甾相温度内进行紫外光辐照，得到液晶薄膜材料。具有工艺简单、且胆甾相温度范围宽、易于操作和具有宽波反射的优点。

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的 制备方法，属于光学薄膜材料技术领域。

背景技术

液晶自从1888年发现以来，在近20年来得到蓬勃的发展。从开 始流行的电子表，到液晶电视、手机，再到现在的电子纸、电子书， 人们日常生活中液晶的应用越来越广泛。当液晶显示技术日新月异 的同时，节能环保又成为我们将要面对的新课题。

众所周知，绝大多数液晶自身不会发光，需要有背光源系统提 供光源，液晶显示器的亮度在一定程度上影响着图像的质量。由于 背光源系统占整个主机的电耗比重很高，因此增加背光源本身的亮 度非明智之举。使用光增亮膜可以显著增加液晶显示屏的光利用率 和亮度，从而降低液晶显示屏的背光源灯管的耗电量。另外，便携 式液晶显示器如笔记本电脑、手机等，节能为其重要需求，使用光 增亮膜不仅可以提升显示亮度而且可以增长待机时间，节能效果优 异，这种光增亮膜可以通过具有宽波反射特性胆甾相液晶薄膜来制 备。

胆甾相液晶分子独特的螺旋状结构决定了它特殊的光学特性， 例如选择性反射、圆二色性、旋光性等性质，使胆甾相液晶在诸多 领域有着广泛的应用，常常被用来制备具有节能环保功能的光学器 件。胆甾相液晶中，液晶分子的长轴旋转360度所经过的距离被称 为螺距P，P的大小与液晶中手性化合物的螺旋扭曲力成反比。胆甾 相液晶由于这种特殊的螺旋结构而具有选择性布拉格反射光学特 性。单一螺距的胆甾相液晶可反射入射光的反射波宽△λ=△nP， 其中△n为液晶的双折射率。由于胆甾相液晶的螺距稳定性（通常 情况下胆甾相液晶的螺距一般是低于1μm，并且最大不超过2μm） 和普通液晶平均折射率（普通液晶的平均折射率为1.5左右）的限 制，使得胆甾相液晶的反射波宽和反射波位均受到一定程度的限 制。在可见光范围内，单一螺距的胆甾相液晶的反射波宽通常在 150nm以下，存在反射波较窄的缺陷，而具有宽波反射特性的液晶 薄膜材料具有广泛的应用，通常是通过形成胆甾相的螺距梯度或者 螺距不均匀分布得到的。1996年，荷兰Philips公司的D.J.Broer 等人利用手性可聚合单体梯度扩散的原理制备了反射整个可见光 区域的单层胆甾相液晶高分子薄膜，并将之应用到液晶显示光增亮 膜上，这种方法，虽然一定程度上增加了反射的范围，但只能反射 整个可光光的波长范围，且该方法混合液晶对紫外光强度梯度的要 求相当严格，不利于实际操作控制。

发明内容

本发明针对以上现有技术中存在的问题，提供一种具有宽波 反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法，具有工艺简单，易 于操作以及得到的薄膜材料能够实现宽波反射的效果。

本发明的目的是通过以下技术方案得以实现的，一种具有宽 波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法，该方法包括以下 步骤：

A、将质量百分数为65wt%～85wt%的向列相液晶、质量百分 数为5.0wt%～15wt%的手性化合物、质量百分数为8.0wt%～20wt% 的液晶可聚合单体进行混配均匀，然后，再加入质量百分数为 0.2wt%～1.5wt%的偶氮手性化合物和质量百分数为0.01wt%～ 10wt%的光引发剂，混配，得到混配液晶体系；

B、将上述得到的混配液晶体系注入预先经过平面取向的液晶 盒中，得到相应的薄膜样品；

C、将步骤B得到的薄膜样品在胆甾相温度范围内进行紫外光 辐照，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有宽波反射 的聚合物稳定液晶薄膜材料。

本发明通过将向列相液晶、手性化合物和液晶可聚合单体混 配均匀，使得到的混配液晶具有很宽的N*相温度范围，本发明的 N*相温度范围能够达到0℃～85℃，具有很宽的温度范围，从而 可以使整个操作过程在较宽的温度范围内进行，不用刻意去控制 温度，只要保证在N*相温度范围即可，更易于实际控制，简化了 生产工艺。同时，本发明通过加入偶氮手性化合物与紫外光辐射 相结合作用，从而实现得到的薄膜材料具有宽波反射的效果。进 一步的讲，加入的偶氮手性化合物的螺旋扭曲力随着辐照紫外光 强度的增加而减小，而通过紫外光辐照时在液晶薄膜材料的上下 形成的紫外光强度梯度，使液晶薄膜材料体系内从上至下的偶氮 手性化合物的螺旋扭曲力不同，从而在液晶薄膜材料体系内形成 了从上到下依次减小的螺距变化的螺距梯度，使液晶薄膜的反射 波宽拓宽，使得到的薄膜能够实现具有宽波反射的效果。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，作为优选，步骤A中所述的原料的质量百分比为：

向列相液晶：70wt%～75wt%；手性化合物：8.0wt%～12wt%；

液晶可聚合单体：12wt%～16wt%；偶氮手性化合物：0.5wt%～ 1.0wt%；光引发剂：0.2wt%～4.8wt%。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，作为更进一步的优选，步骤A中所述的原料的质量百分比 为：

向列相液晶：75wt%；手性化合物：10wt%；液晶可聚合单体： 14wt%；偶氮手性化合物：0.4wt%；光引发剂：0.6wt%。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，步骤A中所述的手性偶氮化合物的螺旋扭曲力随着紫外光 强度的增加而减小。作为优选，步骤A中所述的手性偶氮化合物 选自以下化合物中的一种或几种：

式Ⅰ中所述n选自2、4、6、8、10或12；

式Ⅱ中所述n选自2、4、6、8、10或12；

式Ⅲ中所述n选自2、4、6、8、10或12。采用未端碳链为 偶数，是为了使偶氮手性化合物能够更好的与向列相液晶溶解一 起，提高偶氮手性化合物在向列相液晶中的溶解性。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，作为优选，步骤A所述的手性化合物选自手性化合物S811、 手性化合物R811、手性化合物R1011（ZLI-4572）、手性化合物 CB15和手性化合物S1011（ZLI-4571）中的一种或几种。作为更 进一步的优选，所述手性化合物为手性化合物S811，所述的手性 化合物S811的分子结构式如下：

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，所述手性化合物的相应结构式如下所示：

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，作为优选，所述的液晶可聚合单体选自手性或非手性液晶 性单体。能够聚合形成聚合物网络固定薄膜的螺距梯度。作为更 进一步的优选，所述的液晶可聚合单体选自以下化合物中的一种 或几种，但并不局限于以下化合物：

上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法 中，作为优选，所述的光引发剂选自安息香异丙醚（光引发剂651） 和二苯甲酮中的一种或两种。能够起到引发聚合物单体聚合的作 用。

上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法 中，作为优选，所述的向列相液晶选自向列相液晶SLC1717。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，步骤B可以采用以下方法代替：

用预先经过表面平行磨擦取向的塑料薄膜将上述步骤A得到 的混配液晶复合体系压成膜，再用间隔垫或者玻璃微珠控制液晶 层的厚度，制备得到相应的薄膜样品。

上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法 中，作为优选，步骤C中所述的紫外光的波长为365nm，紫外光 强度为1μW/cm²～5mW/cm²，紫外光辐照时间为1分钟～1小时。 作为进一步的优选，所述的紫外光强度为1mW/cm²～3mW/cm²， 紫外光辐照时间为30min～40min。

上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法 中，作为优选，步骤C中所述的紫外光辐照的温度为0℃～85℃。 紫外光辐照的温度选用胆甾相温度范围内，而本发明的胆甾相温 度范围宽，因此，更有利于操作。所述的胆甾相温度也可称为手 征向列相温度。更进一步的优选，步骤C中所述的紫外光辐照的 温度为35℃～45℃。

在上述的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法中，作为优选，所述液晶薄膜材料的厚度为10μm～300μm。

本发明的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方法 得到的液晶薄膜材料能够应用于液晶显示、智能玻璃及其相关领 域，具有广泛的应用价值。

综上所述，本发明与现有技术相比，具有以下优点：

1.本发明的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备 方法，通过利用偶氮手性化合物的螺旋扭曲力随辐照紫外光强度 的增加为减小的特点，通过紫外光辐照时在液晶薄膜样品的上下 形成的紫外光强度梯度，使液晶晶薄膜样品体系内上下的手性化 合物的螺旋扭曲力不同，从而在样品体系内形成了从上到下依次 减小的螺距变化的螺距梯度，使得到的液晶薄膜材料的反射波宽 和拓宽，使液晶薄膜材料的反射波宽拓宽，实现具有宽波反射的 效果。

2.本发明的具有宽波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制 备方法，所用的材料来源广泛、工艺简单、成本低廉，加工简便， 有利于大面积生产。

3.本发明的具有波反射的聚合物稳定液晶薄膜材料的制备方 法，通过控制向列相液晶、手性化合物和液晶可聚合单体的用量 的比例，使本发明的混晶具有很宽的N*相温度范围，从而使操作 温度条件更易于控制，易于操作，简单生产工艺。

附图说明

图1是本发明的偶氮手性化合物2C的螺旋扭曲力随紫外光 辐照时间的变化曲线图。

图2是本发明实施例1制备的液晶薄膜材料的反射波谱图。

图3是本发明实施例2制备的液晶薄膜材料的反射波谱图。

图4是本发明对照例1制备的液晶薄膜材料的反射波谱图。

具体实施方式

下面通过具体实施例，对本发明的技术方案作进一步具体的 说明，但是本发明并不限于这些实施例。

实施例1

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比将液晶性可聚合单体C6M/手性化合物S811/ 小分子向列相液晶SLC1717/光引发剂651/偶氮手性化合物2C的 复合体系按照质量比例15.00wt%/9.20wt%/75.00wt%/0.40wt% /0.40wt%进行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体 系，先将液晶复合体系在100℃条件下灌入上述预先经过表面平 行摩擦取向的液晶盒中，得到相应的薄膜材料样品，然后在40℃ 的条件下使用紫外光（紫外光的强度为1mw/cm²，紫外光的波长为 365nm）辐照30分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络， 得到具有宽波反射的液晶薄膜材料。将得到的液晶薄膜材料进行 测试，实验结果表明：制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料的可 覆盖1000nm～1600nm的反射范围，具体如图2所示。

本对照例中所用的向列相液晶（Nematic LC）SLC1717购买 自石家庄永生华清液晶有限公司（Yongsheng Huatsing Liquid  Crystal Co.,Ltd），所述的SLC1717的n_o=1.519，n_e=1.720， $\bar{n}=1.620\left(298K\right).$

本实施例中所述的手性化合物S811的结构式如下：

本实施例中所述的液晶性可聚合单体C6M的结构式如下：

本实施例中所述的光引发剂651的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物2C的结构式如下：

实施例2

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比，将原料液晶性可聚合单体C6M/手性化合物 S811/小分子向列相液晶SLC1717/光引发剂651/偶氮手性化合 物2C的复合体系按照质量比例15.00wt%/9.00wt%/75.00wt%/ 0.40wt%/0.60wt%进行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的液 晶复合体系，先将液晶复合体系在100℃条件下灌入上述预先经 过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得到相应的薄膜材料样品，然 后在40℃的条件下使用紫外光（所述紫外光的强度为3mw/cm²， 所述紫外光的波长为365nm）辐照30分钟后，使混配液晶体系 聚合形成高分子网络，得到具有宽波反射的液晶薄膜材料。将得 到的液晶薄膜材料进行测试，实验结果表明：制得液晶薄膜样品 的可覆盖900nm～2400nm的反射范围，具体如图3所示。

实施例3

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料85wt%的向列相液晶SLC1717、 5.0wt%的手性化合物R811、8.0wt%的液晶性可聚合单体、1.5wt% 的偶氮手性化合物和0.5wt%的光引发剂二苯甲酮进行共混，得到 具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体系在 100℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得 到相应的薄膜材料样品，然后在45℃的条件下使用紫外光（所述 紫外光的强度为1μw/cm²，所述紫外光的波长为365nm）辐照1 小时后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到液晶薄膜材 料。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料可覆盖 1000nm～1800nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例4

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料65wt%的向列相液晶SLC1717、 10.0wt%的手性化合物R1011、20wt%的液晶性可聚合单体、0.2wt% 的偶氮手性化合物和4.8wt%的光引发剂二苯甲酮进行共混，得到 具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体系在 100℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得 到相应的薄膜材料样品，然后在35℃的条件下使用紫外光（所述 紫外光的强度为5mw/cm²，所述紫外光的波长为365nm）辐照40 分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有宽波反 射的液晶薄膜材料。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶 薄膜材料可覆盖1000nm～2200nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例5

本实施例的具有宽波反射的液晶薄膜材料的制备方法同实施 例4，这里不再赘述，区别仅在于所述的偶氮手性化合物采用以 下结构式的偶氮手性化合物代替。实验结果表明，制得的具有宽 波反射的液晶薄膜材料的可覆盖1000nm～1800nm的反射范围。

所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例6

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料70wt%的向列相液晶SLC1717、 15wt%的手性化合物CB11、12wt%的液晶性可聚合单体、1.0wt%的 偶氮手性化合物和2.0wt%的光引发剂安息香异丙醚进行共混，得 到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体系 在90℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒中， 得到相应的薄膜材料样品，然后在85℃的条件下使用紫外光（所 述紫外光的强度为2mw/cm²，所述紫外光的波长为365nm）辐照1 分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有宽波反 射的液晶薄膜材料。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶 薄膜材料的可覆盖1000nm～2000nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例7

本实施例的具有宽波反射的液晶薄膜材料的制备方法同实施 例6，这里不再赘述，区别仅在于所述的偶氮手性化合物和液晶 性可聚合单体采用以下结构式的偶氮手性化合物和液晶性可聚合 单体代替。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料 的可覆盖1000nm～1700nm的反射范围。

本实施例中所用的偶氮手性化合物的结构式如下：

本实施例中所用的液晶性可聚合单体的结构式如下：

实施例8

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料71.3wt%的向列相液晶SLC1717、 12wt%的手性化合物S1011、16wt%的液晶性可聚合单体、0.5wt% 的偶氮手性化合物和0.2wt%的光引发剂安息香异丙醚进行共混， 得到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体 系在100℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒 中，得到相应的薄膜材料样品，然后在50℃的条件下使用紫外光 （所述紫外光的强度为3mw/cm²，所述紫外光的波长为365nm） 辐照20分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有 宽波反射的液晶薄膜材料。实验结果表明，制得的具有宽波反射 的液晶薄膜材料的可覆盖1000nm～2000nm的反射范围。本实施例 中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例9

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料71.2wt%的向列相液晶SLC1717、 8.0wt%的手性化合物S1011、10wt%的液晶性可聚合单体、0.8wt% 的偶氮手性化合物、5.0wt%的光引发剂二苯甲酮和5.0wt%的光 引发剂安息香异丙醚进行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的 液晶复合体系，先将液晶复合体系在100℃条件下灌入上述预先 经过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得到相应的薄膜材料样品， 然后在20℃的条件下使用紫外光（所述紫外光的强度为3mw/cm²， 所述紫外光的波长为365nm）辐照40分钟后，使混配液晶体系 聚合形成高分子网络，得到具有宽波反射的液晶薄膜材料。实验 结果表明，制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料的可覆盖 1000nm～2200nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例10

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料70wt%的向列相液晶SLC1717、12 wt%的手性化合物CB15、14wt%的液晶性可聚合单体、1.2wt%的偶 氮手性化合物、0.8wt%的光引发剂二苯甲酮和2.0wt%的光引发 剂安息香异丙醚（光引发剂651）进行共混，得到具有很宽的N* 相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体系在100℃条件下 灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得到相应的薄 膜材料样品，然后在25℃的条件下使用紫外光（所述紫外光的强 度为4mw/cm²，所述紫外光的波长为365nm）辐照40分钟后，使 混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有宽波反射的液晶薄 膜材料。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料的 可覆盖1000nm～2000nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例11

按照质量百分比称取原料75wt%的向列相液晶SLC1717、9.0 wt%的手性化合物CB15、15wt%的液晶性可聚合单体、0.4wt%的偶 氮手性化合物、0.6wt%的光引发剂安息香异丙醚（光引发剂651） 进行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，用预 先经过表面平行摩擦取向的塑料薄膜将上述得到的混配液晶复合 体系压成薄膜，再采用间隔垫或者玻璃微珠控制液晶层的厚度在 10μm～300μm的范围内，制备得到相应的薄膜样品，然后在45℃ 的条件下使用紫外光（所述紫外光的强度为1mw/cm²，所述紫外光 的波长为365nm）辐照30分钟后，使混配液晶体系聚合形成高 分子网络，得到具有宽波反射的液晶薄膜材料。实验结果表明， 制得的具有宽波反射的液晶薄膜材料的可覆盖1000nm～1800nm 的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例12

按照质量百分比称取原料70wt%的向列相液晶SLC1717、15 wt%的手性化合物CB15、12wt%的液晶性可聚合单体、1.0wt%的偶 氮手性化合物、2.0wt%的光引发剂安息香异丙醚（光引发剂651） 进行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，用预 先经过表面平行摩擦取向的塑料薄膜将上述得到的混配液晶复合 体系压成薄膜，再采用间隔垫或者玻璃微珠控制液晶层的厚度在 10μm～300μm的范围内，制备得到相应的薄膜样品，然后在45℃ 的条件下使用紫外光（所述紫外光的强度为1mw/cm²，所述紫外光 的波长为365nm）辐照30分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分 子网络，得到具有宽波反射的液晶薄膜材料。实验结果表明，制 得的具有宽波反射的液晶薄膜材料的可覆盖1000nm～1700nm的 反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

实施例13

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm～300μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比称取原料75wt%的向列相液晶SLC1717、 5.0wt%的手性化合物R1011、18wt%的液晶性可聚合单体、1.4wt% 的偶氮手性化合物和0.6wt%的光引发剂二苯甲酮进行共混，得到 具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系，先将液晶复合体系在 100℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向的液晶盒中，得 到相应的薄膜材料样品，然后在40℃的条件下使用紫外光（所述 紫外光的强度为2.0mw/cm²，所述紫外光的波长为365nm）辐照30 分钟后，使混配液晶体系聚合形成高分子网络，得到具有宽波反 射的液晶薄膜材料。实验结果表明，制得的具有宽波反射的液晶 薄膜材料的可覆盖1000nm～1900nm的反射范围。

本实施例中所述的液晶性可聚合单体的结构式如下：

本实施例中所述的偶氮手性化合物的结构式如下：

对照例1

首先将ITO玻璃清洗干净，制作内表面经过平行摩擦取向处 理的厚度为10μm的液晶盒，备用；

按照质量百分比将原料液晶性可聚合单体C6M、手性化合物 S811、小分子向列相液晶SLC1717和光引发剂651的复合体系按 照质量比例为15.00wt%：9.60wt%：75.00wt%：0.40wt%的比例进 行共混，得到具有很宽的N*相温度范围的液晶复合体系；先将液 晶复合体系在100℃条件下灌入上述预先经过表面平行摩擦取向 的液晶盒中，得到相应的薄膜材料样品，然后控制温度在40℃的 条件下使用紫外光（所述紫外光的强度为3mw/cm²，所述紫外光的 波长为365nm）进行辐照30分钟后，使混配液晶体系聚合形成 高分子网络，得到液晶薄膜材料。将得到的液晶薄膜材料进行测 试，实验结果表明：制得液晶薄膜材料的反射波位于1300nm左右， 并且反射波宽很窄（约130nm），具体如图4所示。

本对照例中所用的向列相液晶（Nematic LC）SLC-1717购买 自石家庄永生华清液晶有限公司（Yongsheng Huatsing Liquid  Crystal Co.,Ltd），所述的SLC-1717的n_o=1.519，n_e=1.720， $\bar{n}=1.620\left(298K\right).$

本对照例中所述的手性化合物S811的结构式如下：

本对照例中所述的液晶性可聚合单体C6M的结构式如下：

本实施例中所述的光引发剂651的结构式如下：

从图1中可以看出，本发明的偶氮手性化合物2C的螺旋扭曲 力（Helical Twisting Powers）随着紫外光辐照时间（irradiation  time）的延长而减小的变化图。

本发明中所描述的具体实施例仅是对本发明精神作举例说 明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例 做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离 本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施 例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神 和范围可作各种变化或修正是显然的。