有机电致发光元件、有机电致发光器件、有机EL显示装置和有机EL照明

摘要

本发明的目的在于提供寿命长且为高效率的有机电致发光元件以及具有该元件的有机电致发光器件。本发明涉及依次具有阳极、发光层、2层以上的电子传输层和阴极的有机电致发光元件。该2层以上的电子传输层中的至少1层与该发光层相邻；该发光层含有发光材料和电荷传输材料；与该发光层相邻的电子传输层含有电荷传输材料；该发光层所含有的电荷传输材料与相邻于该发光层的电子传输层所含有的电荷传输材料可以为相同的材料，也可以为不同的材料。将该发光层所含有的电荷传输材料之中承担电子传输的电荷传输材料的电子亲和力设为EA1、将与该发光层相邻的电子传输层中所含有的电荷传输材料中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力设为EA2时，EA1与EA2满足下式(1)所表示的关系。并且，将该2层以上的电子传输层之中最接近阴极侧的电子传输层中所含有的电荷传输材料中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力设为EA3、将该阴极的功函设为WF时，EA3与WF满足下式(2)所表示的关系。式(1)：0.00eV≦｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV，式(2)：-1.60eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV。

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光元件、含有该元件的有机电致发光器件、有机EL显示 装置和有机EL照明。

背景技术

对于有机电致发光元件，正积极进行开发以将其用于显示屏或照明等用途。有机 电致发光元件通常由至少一反电极和夹在其间的有机发光层构成。对于有机电致发光 元件，通常通过向两电极间施加电场，分别将电子由阴极、将空穴由阳极注入发光层 中，该电子与空穴再结合，通过所生成的激子而发光。

但是，向发光层中注入电荷需要大量的能量，因而为了使有机电致发光元件高亮 度地发光，需要为高电压，而且元件的寿命较短。

于是，在专利文献1中公开了下述的技术：在发光层与电极之间设置2个以上的 电子传输层，对于各层的电子亲和力，使“发光层的电子亲和力<与发光层相邻的电 子传输层的电子亲和力<自发光层起第二相邻的电子传输层的电子亲和力<···自 发光层起第n相邻的电子传输层的电子亲和力”，由此来促进电荷注入、改善驱动耐 久性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-173588号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所公开的技术中，尚未得到具有充分性能的有机电致发光元 件，希望进一步开发出寿命长且为高效率的有机电致发光元件。本发明的课题在于提 供寿命长、发光效率高的有机电致发光元件以及具有该元件的有机电致发光器件、有 机EL显示装置和有机EL照明。

用于解决课题的手段

本发明人为了解决上述课题进行了深入研究。其结果，特别意外地发现，相比于 以往一直为人们所想到的“发光层的电子亲和力绝对值<与发光层相邻的电子传输层 的电子亲和力绝对值”，通过使“发光层的电子亲和力绝对值≧与发光层相邻的电子 传输层的电子亲和力绝对值”、且使“阴极功函的绝对值≧最接近阴极侧的电子传输 层的电子亲和力绝对值”，可使有机电致发光元件的寿命长且发光效率高，从而完成 了本发明。

即，本发明的第1要点在于一种有机电致发光元件，其为依次具有阳极、发光层、 2层以上的电子传输层和阴极的有机电致发光元件，该有机电致发光元件的特征在 于：该2层以上的电子传输层中的至少1层与该发光层相邻；该发光层含有发光材料 和电荷传输材料；与该发光层相邻的电子传输层含有电荷传输材料；该发光层所含有 的电荷传输材料与相邻于该发光层的电子传输层所含有的电荷传输材料可以为相同 的材料，也可以为不同的材料；将该发光层所含有的电荷传输材料之中承担电子传输 的电荷传输材料的电子亲和力设为EA1、将与该发光层相邻的电子传输层所含有的电 荷传输材料之中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力设为EA2时， EA1与EA2满足下式(1)所表示的关系；

将该2层以上的电子传输层之中最接近阴极侧的电子传输层所含有的电荷传输 材料之中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力设为EA3、将该阴极的 功函设为WF时，EA3与WF满足下式(2)所表示的关系。

式(1)：0.00eV≦｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV

式(2)：-1.60eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV

本发明的第2要点在于第1要点中的有机电致发光元件，其特征在于，上述EA1 与上述EA2满足下式(3)所表示的关系。

式(3)：0.00eV<｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV

本发明的第3要点在于第1或2要点中的有机电致发光元件，其特征在于，上述 EA3与上述WF满足下式(4)所表示的关系。

式(4)：0.00eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV

本发明的第4要点在于第1～3任意1个要点中的有机电致发光元件，其特征在 于，与上述发光层相邻的电子传输层含有与上述发光层所含有的电荷传输材料不同的 电荷传输材料。

本发明的第5要点在于第1～4任意1个要点中的有机电致发光元件，其特征在 于，上述发光层为通过湿式成膜法而制作的层。

本发明的第6要点在于一种有机电致发光器件(デバイス)，其在基板上具有发出 彼此不同颜色的光的两种以上的有机电致发光元件(素子)，该有机电致发光器件的特 征在于，该有机电致发光元件中的至少一种有机电致发光元件为第1～5要点中的任 意1个要点所述的有机电致发光元件。

本发明的第7要点在于第6要点中的有机电致发光器件，其特征在于，上述有机 电致发光元件中的全部有机电致发光元件为第1～5任意1个要点中所述的有机电致 发光元件。

本发明的第8的要点为第6或7要点中的有机电致发光器件，其特征在于，上述 有机电致发光元件中，至少两种有机电致发光元件所具有的与上述发光层相邻的电子 传输层是相同的。

本发明的第9要点在于一种有机EL显示装置，其特征在于，其含有第1～5任 意1个要点中所述的有机电致发光元件。

本发明的第10要点在于一种有机EL照明，其特征在于，其含有第1～5任意1 个要点中所述的有机电致发光元件。

发明的效果

根据本发明，可以提供寿命长、发光效率高的有机电致发光元件。

本发明的有机电致发光元件的电流效率高、驱动寿命长，因而认为其可应用于作 为平板·显示屏(例如OA(Office Automation)计算机用或壁挂电视机)或面发光体发挥 特征的光源(例如复印机的光源、液晶显示屏或计量表类的背光光源)、显示板、标识 灯中，其技术价值高。

附图说明

图1为示意性示出本发明有机电致发光元件的结构的一例的截面图。

具体实施方式

下面对本发明进行详细说明，但本发明并不限于以下的说明，可以在不脱离本发 明的要点的范围内进行各种变更来实施本发明。

〔有机电致发光元件〕

本发明的有机电致发光元件为至少依次具有阳极、发光层、2层以上的电子传输 层和阴极的有机电致发光元件，其特征在于：该电子传输层中的至少1层与该发光层 相邻；该发光层含有发光材料和电荷传输材料；与该发光层相邻的电子传输层含有电 荷传输材料；该发光层所含有的电荷传输材料与相邻于该发光层的电子传输层所含有 的电荷传输材料可以为相同的材料，也可以为彼此不同的材料；将该发光层所含有的 电荷传输材料中承担电子传输的电荷传输材料的电子亲和力设为EA1、将与该发光层 相邻的电子传输层所含有的电荷传输材料之中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材 料的电子亲和力设为EA2时，EA1与EA2满足下式(1)所表示的关系；将该电子传输 层中最接近阴极侧的电子传输层所含有的电荷传输材料之中电子亲和力绝对值最大 的电荷传输材料的电子亲和力设为EA3、将该阴极的功函设为WF时，EA3与WF 满足下式(2)所表示的关系。

式(1)：0.00eV≦｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV

式(2)：-1.60eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV

需要说明的是，在下文中，有时将电子亲和力简称为“EA”。

本发明的有机电致发光元件具有2层以上的电子传输层。所谓电子传输层指的是 具有电子传输性的电介质层。电子传输层由下述化合物形成，该化合物可使从阴极注 入的电子在提供电场的电极间效率良好地在发光层的方向进行传输。并且，在该电子 传输层中，有时将与该发光层相邻的电子传输层简称为“相邻电子传输层”、将最接 近阴极侧的电子传输层简称为“阴极侧电子传输层”。

需要说明的是，电子注入层指的是具有从阴极向电子传输层的电子注入性的非导 电体层，并且其指的是与本发明的电子传输层不同的层。另外，阴极指的是构成阳极 的异性极的电极。

[承担电子传输的电荷传输材料]

所谓“承担电子传输的电荷传输材料”指的是下述材料：在发光层中含有2种以 上的电荷传输材料的情况下，在通过电荷传输材料单层膜的Time of Flight(ToF)法测 定的电荷迁移率中观测到的、电子迁移率测定时的电荷检测量Q(e)相对于空穴迁移率 测定时的电荷检测量Q(h)之比“Q(e)/Q(h)”为最大的材料。

<电荷检测量之比“Q(e)/Q(h)”>

基于ToF法的电荷迁移率测定中的电荷检测量之比“Q(e)/Q(h)”可以通过下述方 法进行测定。

在半透明电极上将测定对象——电荷传输材料和反电极(対電極)成膜后，进行密 封，从而制作测定用样品。对于电荷传输材料的成膜方法，只要可得到良好的无定形 膜，湿式法与干式法均可。对于进行成膜的电荷传输膜材料的膜厚，只要在电荷转移 测定时发生电荷分离的场所～反电极为止的距离足够长、该距离不会对电荷传输性的 评价带来影响即可。具体地说，膜厚优选为500nm以上、更优选为1000nm以上。

接下来，按照半透明电极为阳极、反电极为阴极来施加一定的电场强度。从在膜 内部迁移的电荷自然扩散的影响小的方面考虑，优选电场强度大；但另一方面，从将 电荷拉到反电极的效果不会过强、容易对电荷损失等进行精确评价的方面考虑，优选 电场强度小。具体地说，电场强度优选为90kV/cm以上、更优选为120kV/cm以上， 并且另一方面优选为360kV/cm以下、更优选为310kV/cm以下。

在该状态下，从半透明电极侧对测定用样品照射单色光脉冲激光。对于激光照射 时的电场强度、激光的激发波长、脉冲宽度和每1脉冲的光量的条件与对测定电荷检 测量之比的对象样品进行空穴电荷量Q(h)与电子电荷量Q(e)测定时相同。对于每1 脉冲的光量，从过剩量电荷所产生的影响使电荷传输性被高估的可能性低的方面考 虑，优选每1脉冲的光量少，具体地说，优选为30μJ以下。

若对电荷传输材料膜进行光的照射，则在该膜的半透明电极侧发生电荷分离，空 穴向反电极侧发生迁移。通过利用示波器等测定该电流值来计算出空穴电荷量Q(h)。 接下来，按照使半透明电极为阴极、使反电极为阳极来施加一定的电场强度，进行同 样的操作，从而计算出电子电荷量Q(e)。然后，可通过求得二者之比来求出电荷检测 量之比“Q(e)/Q(h)”。

在进行空穴电荷量Q(h)与电子电荷量Q(e)的测定时，通过使激光照射时的电场 强度、激光的激发波长、脉冲宽度和每1脉冲的光量(激发能量)为相同条件，可使在 空穴电荷量Q(h)与电子电荷量Q(e)的测定时在各电荷分离中所产生的电荷量一定。 从而，电荷检测量之比“Q(e)/Q(h)”为表示更易流通空穴的材料还是更易流通电子的 材料的指标。即，电荷检测量之比“Q(e)/Q(h)”越大，则表示该材料易使电子流动的 性质。由此，在本发明的发光层含有两种以上的电荷传输材料的情况下，可将通过电 荷传输材料单层膜的ToF法测定的电荷迁移率中所观测的空穴迁移率测定时的电荷 检测量与电子迁移率测定时的电荷检测量之比Q(e)/Q(h)最大的材料判断为承担电子 传输的材料。

<阴极材料的功函>

阴极材料的功函通常可利用光电子分光法来求得。在利用光电子分光法进行的测 定中，在10^-8torr后半～10^-10torr的超真空下，对样品照射紫外线的单色光或X射线， 利用光电子增倍管等对于从金属表面飞出的电子进行检测，获得激发样品的能量与检 测出的电子数的相关性，由此可求得功函。特别是对于单质材料的功函，Michaeison, Hrbert B.在1977年进行了报告(J.Appl.Phys.,48.4729(1977))。具体以铝的情况为例 进行说明。在10^-9～10^-10torr的真空度下，在作为测定用台座的石英上进行铝的蒸镀， 由此来制作洁净的无定形铝薄膜。并且，在超真空下，以高压汞灯为光源，利用单色 器取出单色光，对样品表面进行照射。计算出从样品表面飞出的电子数，获得与光源 能量的相关性，从而计算出其值为4.28eV。另外，关于银、金、镍之类的金属的功 函，银为4.26eV、金为5.10eV、镍为5.15eV，这些功函值也分别作为极一般的值而 为人知。

[作用机制]

如上所述，本发明的有机电致发光元件的特征在于，发光层内的电荷传输材料之 中承担电子传输的电荷传输材料的EA的绝对值｜EA1｜大于或等于相邻电子传输层 内的电荷传输材料中EA的绝对值最大的电荷传输材料的EA的绝对值｜EA2｜，优 选｜EA1｜大于｜EA2｜。采用该构成所产生的作用机制推测如下。

在发光层内的电荷传输材料的EA(EA1)小于相邻电子传输层内的电荷传输材料 EA(EA2)、也即｜EA1｜-｜EA2｜<0eV的现有元件中，在发光层与相邻电子传输层 的界面处发生来源于EA间隙(ギャップ)的电子蓄积。如此蓄积的电子会引起发光层 与相邻电子传输层之间的界面发光层侧发生空穴蓄积；界面处发生复合受激态(エキ シプレックス)；等等。可认为，所产生的电荷引起界面附近的发光材料或电荷传输 材料的劣化，会导致元件寿命降低，进一步会阻碍发光层中激子的产生、引起激子的 消光，无法效率良好地取得界面附近发光层的发光。

与此相对，本发明的有机电致发光元件中，相比于｜EA1｜，｜EA2｜与其一致 或更小，因而发光层与相邻电子传输层之间蓄积的电子少，可抑制基于上述理由的元 件寿命降低和发光效率降低，由此可更进一步得到寿命长、发光效率良好的有机电致 发光元件。

并且，另一方面，在｜EA1｜-｜EA2｜为上述式(1)和(3)的上限以下的情况下， 发光层与相邻电子传输层的EA差小，电荷的授受平稳地进行，不易引起电子蓄积所 致的劣化。因此，使｜EA1｜-｜EA2｜为0.20eV以下。

另外，本发明的有机电致发光元件的特征在于，阴极功函(WF)的绝对值与阴极 侧电子传输层内的电荷传输材料中电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的 EA(EA3)的绝对值之差为一定值以下。采用该构成所产生的作用机制推测如下。

即，在｜EA1｜与｜EA2｜满足上述式(1)所表示的关系且｜WF｜-｜EA3｜为 -1.60eV以上、1.60eV以下时，从阴极向阴极侧电子传输层的电子注入障碍减小，可 效率良好地进行电子的注入。但是，在不满足上述式(1)或(2)的情况下，发光层与相 邻电子传输层之间蓄积的电子量也会增多，因而，在同时满足式(1)和(2)时，电子可 效率良好地进入到发光层，发光层附近不易发生电子的蓄积，可制成寿命长、发光效 率优异的元件。

<电子亲和力>

在本发明中，由单层膜吸收光谱计算出能带间隙(Eg)，电荷传输材料的电子亲和 力(EA)为由该能带间隙(Eg)与后述的电离势(IP)的值通过下式而计算出的值。

EA=IP-Eg

<电离势(IP)的测定方法>

电荷传输材料的电离势(IP)可以通过使用理研计量表株式会社制造的“AC-1”、 “AC-3”、Optel社制造的“PCR-101”、“PCR-201”等市售的电离势测定装置来进行 测定。

电离势(IP)测定用的样品可以通过利用湿式或干式法使该电荷传输材料在ITO基 板上成膜来制作。作为湿式成膜法，可以举出将该电荷传输材料溶于二甲苯、甲苯等 有机溶剂中并利用旋涂法进行成膜的方法等。另外，作为干式成膜法，可以举出真空 蒸镀法等。

<能带间隙(Eg)的测定方法>

能带间隙(Eg)是使用紫外-可视吸光度计通过薄膜吸收光谱的测定而得到的。具体 地说，在薄膜吸收光谱的短波长侧的开始上升(立ち上がり)部分引出吸收光谱与基线 的切线，由该两切线交点的波长W(nm)通过下式来求出。

Eg=1240÷W

即，例如，在该交点的波长为470nm的情况下的Eg为1240÷470=2.63(eV)。

对于表示该能带间隙的能量的测定，只要利用能够测定吸收光谱的装置进行测定 即可，对于装置的种类等没有特别限制，例如可使用日立制作所制“F4500”等。

表示能带间隙的能量测定用样品可通过利用湿式或干式法使该电荷传输材料在 玻璃基板上成膜来进行制作。作为湿式成膜法，可以举出将该电荷传输材料溶于二甲 苯、甲苯等有机溶剂中并利用旋涂法进行成膜的方法等。另外，作为干式成膜法，可 以举出真空蒸镀法等。

[发光层]

本发明的有机电致发光元件所具有的发光层含有至少一种以上的发光材料(具有 发光性质的材料)与一种以上的电荷传输材料。并且，发光层可以含有发光材料作为 掺杂剂材料、含有空穴传输材料或电子传输材料等电荷传输材料作为宿主(ホスト)材 料。进一步地，发光层也可以在无损于本发明效果的范围内含有其它成分。另外，在 利用湿式成膜法形成发光层的情况下，优选均使用低分子量材料。

｛发光材料｝

作为发光材料，可以应用通常作为有机电致发光元件的发光材料使用的任意公知 材料，没有特别限制，只要使用在所期望的发射光波长下发光、发光效率良好的物质 即可。作为发光材料，可以为荧光发光材料，也可以为磷光发光材料，从内部量子效 率的方面出发，优选磷光发光材料。并且，例如蓝色可使用荧光发光材料、绿色和红 色可使用磷光发光材料等，可将荧光发光材料与磷光发光材料组合使用。

需要说明的是，出于提高在下述溶剂中的溶解性的目的，优选降低发光材料分子 的对称性或刚性、或者导入烷基等亲油性取代基；其中所述溶剂为制备发光层形成用 组合物所使用的溶剂，该发光层形成用组合物被用于通过湿式成膜法形成发光层时。

作为发光材料，可以仅使用任意1种，也可以以任意组合和比例合用两种以上。

<荧光发光材料>

以下举出发光材料中的荧光发光材料的实例，但荧光发光材料并不限定于以下的 示例物。

作为提供蓝色发光的荧光发光材料(蓝色荧光色素)，可以举出例如萘、1,2-苯并 菲、二萘嵌苯、芘、蒽、香豆素、对双(2-苯基乙烯基)苯、芳基胺和它们的衍生物等。 其中优选蒽、1,2-苯并菲、芘、芳基胺和它们的衍生物等。

作为提供绿色发光的荧光发光材料(绿色荧光色素)，可以举出例如喹吖啶酮、香 豆素、Al(C₉H₆NO)₃等铝络合物和它们的衍生物等。

作为提供黄色发光的荧光发光材料(黄色荧光色素)，可以举出例如红荧烯、1,3- 二氢-2H-萘嵌间二氮杂苯-2-酮和它们的衍生物等。

作为提供红色发光的荧光发光材料(红色荧光色素)，可以举出例如DCM(4-(二氰 基亚甲基)-2-甲基-6-(对二甲氨基苯乙烯)-4H-吡喃)系化合物、苯并吡喃、若丹明、苯 并噻吨、氮杂苯并噻吨等呫吨；以及它们的衍生物等。

作为属于上述提供蓝色荧光的材料的芳基胺衍生物，从元件的发光效率、驱动寿 命等方面出发，更具体地说，优选下式(X)所表示的化合物。

[化1]

(式中，Ar²¹表示核碳原子数为10～40的取代或者无取代的缩合芳香环基，Ar²²和Ar²³各自独立地表示碳原子数为6～40的取代或者无取代的1价芳香族烃环基，p 表示1～4的整数。)

需要说明的是，本发明中的芳香环基可以为芳香族烃环基，也可以为芳香族杂环 基。

作为Ar²¹，具体地说，可以举出具有1个剩余化合价的萘、菲、荧蒽、蒽、芘、 二萘嵌苯、六苯并苯、1,2-苯并菲、苉(ピセン)、二苯基蒽、芴、苯并[9,10]菲、玉红 省(ルビセン)、苯并蒽、苯基蒽、双蒽、二蒽基苯或二苯并蒽等。此处，对于本发明 中的剩余化合价，如《有機化学·生化学命名法(上)》(修订第2版、南江堂、1992年 发行)中所记载，指的是可与其它剩余化合价形成键的化合价。

下面示出了作为荧光发光材料的芳基胺衍生物的优选具体例，但本发明的荧光发 光材料并不限于这些。下文中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基。

[化2]

[化3]

[化4]

[化5]

<磷光发光材料>

作为磷光发光材料，可以举出例如含有选自长周期型周期表(以下，只要没有特 别注明，在称为“周期表”的情况下，指的是长周期型周期表。)第7～11族中的金 属作为中心金属的Werner型络合物或有机金属络合物等。

作为选自周期表第7～11族中的金属，优选可以举出钌、铑、钯、银、铼、锇、 铱、铂、金等，其中更优选为铱或铂。

作为络合物的配位体，优选(杂)芳基吡啶配位体、(杂)芳基吡唑配位体等(杂)芳基 与吡啶、吡唑、菲咯啉等连结而成的配位体，特别优选苯基吡啶配位体、苯基吡唑配 位体。此处，(杂)芳基表示芳基或杂芳基。

作为磷光发光材料，具体地说，可以举出三(2-苯基吡啶)铱、三(2-苯基吡啶)钌、 三(2-苯基吡啶)钯、双(2-苯基吡啶)铂、三(2-苯基吡啶)锇、三(2-苯基吡啶)铼、八乙基 卟啉铂、八苯基卟啉铂、八乙基卟啉钯、八苯基卟啉钯等。

对于作为磷光发光材料的磷光性有机金属络合物，特别优选可以举出下式(III)或 式(IV)所表示的化合物。

ML_(q-j)L’_j    (III)

(式(III)中，M表示金属，q表示上述金属的价数。并且，L和L’表示二齿配位体。 j表示0、1或2的数。)

[化6]

(式(IV)中，M⁷表示金属，T表示碳原子或氮原子。R⁹²～R⁹⁵各自独立地表示取 代基。其中T为氮原子的情况下，无R⁹⁴和R⁹⁵。)

下面首先对式(III)所表示的化合物进行说明。

式(III)中，M表示任意的金属，作为优选的具体例，可以举出作为选自周期表第 7～11族的金属举出的上述金属等。

并且，式(III)中，二齿配位体L表示具有以下部分结构的配位体。

[化7]

上述L的部分结构中，环A1表示具有或不具有取代基的芳香环基。本发明中的 芳香环基可以为芳香族烃环基，也可以为芳香族杂环基。

作为该芳香族烃环基，可以举出具有1个剩余化合价的5或6元环的单环或2～ 5稠环等。

作为该芳香族烃环基的具体例，可以举出具有1个剩余化合价的苯环、萘环、蒽 环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并芘环、1,2-苯并菲环、苯并[9,10]菲环、 苊环、荧蒽环、芴环等。

作为该芳香族杂环基，可以举出具有1个剩余化合价的5或6元环的单环或2～ 4稠环等。

作为具体例，可以举出具有1个剩余化合价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯 并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、 吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃 并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡 嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、 苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环、甘菊环等。

并且，上述L的部分结构中，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环 基。

作为该含氮芳香族杂环基，可以举出具有1个剩余化合价的5或6元环的单环或 2～4稠环等。

作为具体例，可以举出具有1个剩余化合价的吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁二唑 环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡咯环、 呋喃并吡咯环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、 吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪 唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、喹唑啉酮环等。

作为环A1或环A2分别可以具有的取代基的示例，可以举出：卤原子；烷基； 链烯基；烷氧基羰基；烷氧基；芳氧基；二烷基氨基；二芳基氨基；咔唑基；酰基； 卤烷基；氰基；芳香族烃环基等。并且，在环A1为含氮芳香族杂环基的情况下以及 环A2可以具有芳香族烃环基作为取代基。

并且，式(III)中，二齿配位体L’表示具有以下部分结构的配位体。其中，在下式 中，“Ph”表示苯基。

[化8]

其中，作为L’，从络合物稳定性的方面出发，优选以下举出的配位体。

[化9]

作为式(III)所表示的化合物，进一步优选可以举出下式(IIIa)、(IIIb)、(IIIc)所表示 的化合物。

[化10]

(式(IIIa)中，M⁴表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，环A1表示具有 或不具有取代基的芳香族烃环基，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环 基。)

[化11]

(式(IIIb)中，M⁵表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，环A1表示具有 或不具有取代基的芳香环基，环A2表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。)

[化12]

(式(IIIc)中，M⁶表示与M同样的金属，w表示上述金属的价数，j表示0、1或2， 环A1和环A1’各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香环基，环A2和环A2’各自 独立地表示具有或不具有取代基的含氮芳香族杂环基。)

上述式(IIIa)～(IIIc)中，作为环A1和环A1’的芳香环基的优选例，可以举出苯基、 联苯基、萘基、蒽基、噻吩基、呋喃基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基、 异喹啉基、咔唑基等。

上述式(IIIa)～(IIIc)中，作为环A2和环A2’的含氮芳香族杂环基的优选例，可以 举出吡啶基、嘧啶基、吡唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、喹 啉基、异喹啉基、喹喔啉基、菲啶基等。

作为上述式(IIIa)～(IIIc)中的环A1和环A1’的芳香环基、环A2和环A2’的含氮 芳香族杂环基可以具有的取代基，可以举出：卤原子；烷基；链烯基；烷氧基羰基； 烷氧基；芳氧基；二烷基氨基；二芳基氨基；咔唑基；酰基；卤烷基；氰基等。

需要说明的是，这些取代基可以相互连结形成环。作为具体例，可以举出：环 A1所具有的取代基与环A2所具有的取代基结合、或者环A1’所具有的取代基与环 A2’所具有的取代基结合，从而可形成一个稠环。作为这样的稠环，可以举出7,8-苯 并喹啉基等。

其中，作为环A1、环A1’、环A2和环A2’的取代基，更优选可以举出烷基、烷 氧基、芳香族烃环基、氰基、卤原子、卤烷基、二芳基氨基、咔唑基等。

并且，作为式(IIIa)～(IIIc)中的M⁴～M⁶的优选例，可以举出钌、铑、钯、银、铼、 锇、铱、铂或金等。

下面示出上述式(III)和(IIIa)～(IIIc)所表示的有机金属络合物的具体例，但其并不 限于下述的化合物。

[化13]

[化14]

上述式(III)所表示的有机金属络合物中，特别优选具有2-芳基吡啶系配位体(即 2-芳基吡啶、其上结合任意取代基而成的配位体、以及其上缩合有任意基团而成的配 位体)作为配位体L和/或L’的化合物。

另外，国际公开第2005/019373号中记载的化合物也可以作为发光材料使用。

接下来，对式(IV)所表示的化合物进行说明。

式(IV)中，M⁷表示金属。作为具体例，可以举出作为选自周期表第7～11族中的 金属举出的上述金属等。作为M⁷，其中优选可以举出钌、铑、钯、银、铼、锇、铱、 铂或金，特别优选可以举出铂、钯等2价金属。

并且，式(IV)中，R⁹²和R⁹³各自独立地表示氢原子、卤原子、烷基、芳烷基、链 烯基、氰基、氨基、酰基、烷氧基羰基、羧基、烷氧基、烷基氨基、芳烷基氨基、卤 烷基、羟基、芳氧基、芳香环基。

进一步地，T为碳原子的情况下，R⁹⁴和R⁹⁵各自独立地表示与作为R⁹²和R⁹³而 举出的基团相同的取代基。并且，T为氮原子的情况下，无R⁹⁴和R⁹⁵。

并且，R⁹²～R⁹⁵可以进一步具有取代基。具有取代基的情况下，其种类没有特别 限制，可以将任意基团作为取代基。

进一步地，R⁹²～R⁹⁵中的任意2个以上的基团可以相互连结形成环。

下面示出了式(IV)所表示的有机金属络合物的具体例(T-1、T-10～T-15)，但其并 不限于下述的示例物。另外，在以下的化学式中，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基。

[化15]

这些发光材料可以单独使用一种，并且也可将两种以上以任意的组合和比例进行 使用。

<分子量>

只要不显著损害本发明的效果，本发明中的发光材料的分子量为任意的。本发明 中的发光材料的分子量优选为10000以下、更优选为5000以下、进一步优选为4000 以下、特别优选为3000以下。并且，本发明中的发光材料的分子量通常为100以上、 优选为200以上、更优选为300以上、进一步优选为400以上。

从如下方面考虑优选发光材料的分子量大：玻璃化转变温度、熔点、分解温度等 较高、发光层材料和所形成的发光层的耐热性优异的方面；以及不易产生由于气体发 生、再结晶化和分子迁移等所致的膜质降低、或不易产生与材料热分解相伴的杂质浓 度上升等方面。另一方面，从有机化合物的精制容易、易于溶解在溶剂的方面考虑， 优选发光材料的分子量小。

在本发明的发光层中，通常可含有0.01重量%以上、优选为0.05重量%以上、 进一步优选为0.1重量%以上的发光材料。并且，发光材料可含有通常为35重量%以 下、优选为20重量%以下、进一步优选为10重量%以下。需要说明的是，在合用2 种以上的发光材料的情况下，优选使它们的合计含量包含在上述范围内。

｛电荷传输材料｝

有机电致发光元件的发光层中，发光材料优选自具有电荷传输性能的宿主材料接 受电荷或能量而发光。因而，发光层通常含有例如作为该宿主材料使用的电荷传输材 料。电荷传输材料包括具有空穴传输性的化合物(有时称为空穴传输材料或空穴传输 性化合物)以及具有电子传输性的化合物(有时称为电子传输材料或电子传输性化合 物)。发光层可以含有空穴传输材料与电子传输材料这两者，也可以含有任意之一。 需要说明的是，发光层包含具有空穴传输性的化合物，但在不包含具有电子传输性的 化合物的情况下，在发光层中，只要具有空穴传输性的化合物可传输电子即可。

此处，作为电荷传输材料的示例，可以举出芳香族胺系化合物、酞菁系化合物、 卟啉系化合物、噻吩系化合物、苄基苯基系化合物、芴系化合物、腙系化合物、硅氮 烷系化合物、硅胺烷系化合物、磷酰胺系化合物、喹吖啶酮系化合物、苯并[9,10]菲 系化合物、咔唑系化合物、芘系化合物、蒽系化合物、菲咯啉系化合物、喹啉系化合 物、吡啶系化合物、三嗪系化合物、噁二唑系化合物、咪唑系化合物等。

这些电荷传输材料可以单独使用一种，并且可将两种以上以任意的组合以及比例 进行使用。

电子传输材料优选为具有电子传输性单元的化合物。所谓电子传输性单元(电子 传输单元)为对电子的耐久性优异、具有电子传输性的结构(单元)。另外，在发光层中 含有2种以上的电荷传输材料的情况下，该具有电子传输单元的化合物容易成为上述 承担电子传输的电荷传输材料。

本发明中的电子传输单元为电子易于进入到单元中并且易将已进入的电子稳定 化的单元。例如，吡啶环等由于氮原子的缘故，其环略微缺电子，容易接受电子，进 入到环中的电子呈非局域化，从而在吡啶环上稳定化。

作为具有上述这样性能的单元的结构，可以举出含有带sp²杂化轨道的杂原子的 单环或稠环。此处，出于易形成sp²杂化轨道、对电子的稳定性高、电子传输性高的 原因，杂原子优选氮、氧、硫和硒，特别优选氮。从电子传输性高的方面考虑，优选 电荷传输料料所拥有的具有sp²杂化轨道的杂原子数多。

下面举出电子传输单元的实例，但并不限于这些。

作为电子传输单元，具体地说，可以举出喹啉环、喹唑啉环、喹喔啉环、菲咯啉 环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环、噻二唑环、苯并噻二唑环、羟基喹 啉金属络合物、菲咯啉金属络合物、六氮杂苯并[9,10]菲结构、四氰基苯并喹啉结构 等。其中，出于对电子的稳定性高、电子传输性高的原因，优选可以举出喹啉环、喹 唑啉环、喹喔啉环、菲咯啉环、吡啶环、嘧啶环、哒嗪环、吡嗪环、三嗪环等，其中 从电气稳定性优异的方面考虑，优选可以举出喹啉环、喹唑啉环、吡啶环、嘧啶环、 三嗪环、1,10-菲咯啉环等。

需要说明的是，在上述电子传输单元为含有氮原子的6元环的单环或稠环的情况 下，优选氮原子的邻位和对位全部被芳香环所取代。

其理由如下。即，含有氮原子的6元环的邻位和对位为活性部位，通过将此处被 芳香环基取代，电子呈非局域化。由此，其经电子而稳定。

需要说明的是，在上述电子传输单元为含有氮原子的6元环的稠环的情况下，氮 原子的邻位和对位之中未形成稠环的一部分的部位被芳香环基所取代即可。

作为电子传输材料，由于对电子的稳定性高、电子传输性高的原因，更优选具有 下述(b)组(电子传输单元)中举出的环的衍生物的有机化合物。

(b)组

[化16]

(其中，上述(b)组所含有的环均在氮原子的邻位和对位全部具有芳香环基取代 基。)

上述(b)组中，对于氮原子的同一环状的2,4,6位碳原子上的取代了氢原子的芳香 环基没有特别限制。即，其可以为芳香族烃环基、也可以为芳香族杂环基，从对电氧 化具有优异的耐久性的方面考虑，优选为芳香族烃环基。芳香环基的碳原子数优选为 6～30，并且，芳香环基为稠环的情况下，该稠合的芳香环数优选为2～4。

此处，作为上述(b)组中含有的环结构所具有的优选取代基，可以举出卤原子， 以及进一步可以举出具有或不具有取代基的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为 2～10的链烯基或碳原子数为6～30的1价芳香族烃环基等。

并且，作为低分子量的电子传输材料，可以举出2,5-双(1-萘基)-1,3,4-噁二唑 (BND)、2,5-双(6’-(2’,2”-联吡啶))-1,1-二甲基-3,4-二苯基噻咯(PyPySPyPy)、红菲绕啉 (BPhen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP、浴铜灵)、2-(4-联苯基)-5-(对叔丁 基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、4,4’-双(9-咔唑)-联苯(CBP)等。

需要说明的是，在发光层中，电子传输材料可以仅使用一种，也可以以任意组合 和比例合用两种以上。

空穴传输材料优选为具有空穴传输性单元的化合物。所谓空穴传输性单元(空穴 传输单元)为对空穴的耐久性优异、具有空穴传输性的结构(单元)。

本发明中的空穴传输单元表示的是具有易于从发光层取出空穴的电离势并且对 空穴稳定的单元。

易于从发光层中取出空穴的电离势通常为5.4eV以上、优选为5.5eV以上、更优 选为5.6eV以上，并且另一方面，通常为6.3eV以下、优选为6.2eV、更优选为6.1eV 以下。

并且，对空穴稳定指的是，空穴传输单元即使为自由基状态也不易分解。其为这 样的情况：由于自由基阳离子被非局域化，从而即使为自由基状态也呈稳定化。

作为具有上述这样性能的单元的结构，可以举出含有带sp³轨道的杂原子的结构 或者碳原子数为4n系的芳香族稠环等。

下面举出空穴传输单元的实例，但并不限于这些。

作为空穴传输单元，具体地说，可以举出咔唑环、酞菁环、萘酞菁结构、卟啉结 构、三芳基胺结构、三芳基膦结构、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、芘环、苯二胺结构、 吡咯环、联苯胺结构、苯胺结构、二芳基胺结构、咪唑啉酮结构、吡唑环等。其中， 出于对空穴的稳定性优异、空穴传输性高的理由，优选为咔唑环、苯并呋喃环、二苯 并呋喃环、芘环、三芳基胺结构，更优选为咔唑环、苯并呋喃环、二苯并呋喃环、芘 环，特别优选为咔唑环、芘环。

作为空穴传输材料，出于对空穴的稳定性优异、空穴传输性高的理由，更优选具 有下述(a)组(空穴传输单元)中举出的任一环的衍生物的有机化合物。

(a)组

[化17]

这些环结构也可以具有取代基，作为优选的取代基，可以举出卤原子，以及进一 步可以举出具有或不具有取代基的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为2～10的链 烯基或碳原子数为6～30的1价芳香族烃环基等。

更具体地说，作为低分子量的空穴传输材料的示例，可以举出：以4,4’-双[N-(1- 萘基)-N-苯基氨基]联苯为代表的、含有2个以上叔胺且2个以上的缩合芳香环取代在 氮原子上的芳香族胺系化合物(日本特开平5-234681号公报)；4,4’,4”-三(1-萘基苯基 氨基)三苯胺等具有星爆结构的芳香族胺系化合物(Journal of Luminescence,1997年, Vol.72-74,pp.985)；由三苯胺的四聚体形成的芳香族胺系化合物(Chemical Communications,1996年,pp.2175)；2,2’,7,7’-四-(二苯基氨基)-9,9’-螺双芴等芴系化合 物(Synthetic Metals,1997年,Vol.91,pp.209)等。并且，可以使用后述的[空穴注入层] 中作为(低分子量的空穴传输材料)而示例出的化合物。

需要说明的是，在发光层中，空穴传输材料可以仅使用一种，也可以以任意组合 和比例合用两种以上。

<分子量>

只要不显著损害本发明的效果，本发明中的电荷传输材料的分子量为任意的。本 发明中的电荷传输材料的分子量通常为10000以下、优选为5000以下、更优选为4000 以下、进一步优选为3000以下。并且，本发明中的电荷传输材料的分子量通常为100 以上、优选为200以上、更优选为300以上、进一步优选为400以上。

从以下方面考虑优选电荷传输材料的分子量在上述范围内：玻璃化转变温度、熔 点、分解温度等较高、发光层材料和所形成的发光层的耐热性良好的方面；以及不易 产生由于再结晶化或分子迁移等所致的膜质降低、或不易产生与材料热分解相伴的杂 质浓度上升等；元件性能优异的方面；以及精制容易的方面。

<电子亲和力(EA)>

发光层中，上述那样的电荷传输材料可以仅含有1种，也可以含有2种以上。在 发光层中含有2种以上的电荷传输材料的情况下，优选主要承担电子传输的电荷传输 材料(电子传输材料)的EA大于主要承担空穴传输的电荷传输材料(空穴传输材料)的 EA。即，一般来说，在同一层含有2种以上的电荷传输材料的情况下，电子易附着 于EA大的材料，因而通过将EA大的电荷传输材料作为电子传输材料，可以制作发 光效率高·寿命长的元件。

对于本发明的发光层所含有的承担电子传输的电荷传输材料的EA的绝对值｜ EA1｜，从电子存在于传输电子的能级时化合物易于呈稳定状态的方面考虑，优选 该｜EA1｜较大；并且，另一方面，从因形成稳定自由基阴离子而不易对电荷的传输 或授受、激子的生成产生阻碍等方面考虑，优选该｜EA1｜较小。具体地说，｜EA1｜ 优选为2.40eV以上、更优选为2.50eV；另外还优选为3.30eV以下、更优选为3.20eV 以下。

在电荷传输材料的化学结构与｜EA｜之间，通常多认为有以下趋势。例如，在 为中心处具有呈芳香性的6元环单环的材料的情况下，｜EA｜倾向于以苯环(杂原子 0个)<吡啶环(杂原子1个)<嘧啶环(杂原子2个)<三嗪环(杂原子3个)的顺序增大。并 且，在为相同结构的芳香环的稠环的情况下，｜EA｜倾向于以苯环(单环)<萘环(2稠 环)<蒽环(3稠环)<1,2-苯并菲环(4稠环)的顺序增大。

在本发明的发光层中，可使电荷传输材料的含量通常为65重量%以上、优选为 80重量%以上、进一步优选为90重量%以上。并且，可使电荷传输材料的含量通常 为99.99重量%以下、优选为99.95重量%以下、进一步优选为99.9重量%以下。需 要说明的是，在合用2种以上的电荷传输材料的情况下，优选使它们的合计含量包含 在上述范围内。

｛发光层的形成｝

本发明的发光层优选通过湿式成膜法来形成，这是因为材料的利用效率高，并且 通过与在其阳极侧形成的空穴传输层适度混合，易于使空穴的注入性良好。

本发明中的湿式成膜法指的是，作为成膜方法、即涂布方法，采用例如旋涂法、 浸渍涂布法、模涂法、棒涂法、刮板涂布法、辊涂法、喷涂法、毛细管柱涂布法、喷 墨法、喷嘴印刷法、丝网印刷法、凹版印刷法、苯胺印刷法等湿式成膜的方法，使该 涂布膜干燥来进行膜形成的方法。这些成膜方法中，优选旋涂法、喷涂法、喷墨法、 喷嘴印刷法。

在通过湿式成膜法来形成发光层的情况下，通常将上述发光材料、电荷传输材料 以及根据需要使用的后述其它材料溶解在适当的溶剂中，使用由此制备出的发光层形 成用组合物进行成膜，从而形成发光层。

对于发光层的湿式成膜法中所用的溶剂，只要为发光材料和电荷传输材料等发光 层的形成中所用的材料良好地溶解或分散的溶剂，就没有特别限定。

关于溶剂的溶解性，优选在25℃、1气压下，对发光材料和电荷传输材料分别溶 解通常为0.01重量%以上、优选为0.05重量%以上、进一步优选为0.1重量%以上。

下面举出溶剂的具体例，但只要无损于本发明的效果，溶剂并不限于这些。

作为溶剂，可以举出例如：正癸烷、环己烷、乙基环己烷、十氢化萘、二环己烷 等链烷烃类；甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯、四甲基环己酮、四氢化萘等芳香 族烃类；氯苯、二氯苯、三氯苯等卤代芳香族烃类；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基 苯、苯甲醚、苯乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲 醚、2,4-二甲基苯甲醚、二苯基醚等芳香族醚类；乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、 苯甲酸乙酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯类；环己酮、环辛 酮、葑酮等脂环族酮类；环己醇、环辛醇等脂环族醇类；甲基乙基酮、二丁基酮等脂 肪族酮类；丁醇、己醇等脂肪族醇类；乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1- 单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚类；等等。

溶剂中，优选链烷烃类、芳香族烃类。

这些溶剂可以单独使用一种，并且也可以任意的组合以及比例使用两种以上。

并且，为了得到更为均匀的膜，优选以适当的速度从刚完成成膜后的液膜中蒸发 溶剂。因此，溶剂的沸点可以通常为80℃以上、优选为100℃以上、更优选为120℃ 以上。并且，溶剂的沸点可以通常为270℃以下、优选为250℃以下、更优选为沸点 230℃以下。

｛发光层形成用组合物的组成｝

本发明中的发光层形成用组合物中，可使发光材料的含量通常为0.01重量%以 上、优选为0.05重量%以上、进一步优选为0.1重量%以上。并且，可使发光材料的 含量通常为20重量%以下、优选为10重量%以下、进一步优选为5重量%以下。

本发明中的发光层形成用组合物中，可使电荷传输材料的含量通常为0.1重量% 以上、优选为0.5重量%以上、进一步优选为1重量%以上。并且，可使其含量通常 为20重量%以下、优选为10重量%以下、进一步优选为5重量%以下。

另外，发光层形成用组合物中的发光材料与电荷传输材料的含量之比(发光材料/ 电荷传输材料的重量比)以通常0.01以上、优选0.03以上为宜。并且，发光层形成用 组合物中的发光材料与电荷传输材料的含量之比(发光材料/电荷传输材料的重量比) 以通常0.5以下、优选0.2以下为宜。

只要不显著损害本发明的效果，本发明的发光层形成用组合物中的溶剂含量为任 意的。若发光层形成用组合物中的溶剂含量多，则粘性低、成膜作业性优异，从这方 面考虑是优选的。另一方面，若溶剂的含量少，则易于使成膜后除去溶剂而得到的膜 获得厚度、易于成膜，从这方面考虑优选溶剂的含量少。具体地说，相对于发光层形 成用组合物为100重量份，溶剂的含量可以优选为10重量份以上、更优选为50重量 份以上、特别优选为80重量份以上。并且，溶剂的含量可优选为99.95重量份以下、 更优选为99.9重量份以下、特别优选为99.8重量份以下。需要说明的是，在作为发 光层形成用组合物混合使用2种以上的溶剂的情况下，优选使这些溶剂的合计满足该 范围。

出于提高成膜性的目的，本发明中的发光层形成用组合物可以含有流平剂、消泡 剂等各种添加剂。

对于本发明的发光层形成用组合物中的发光材料、空穴传输材料、电子传输材料 等的总量——固体成分浓度，从不易产生膜厚不均的方面考虑，优选该固体成分浓度 较小；并且，另一方面，从不易在膜上产生缺陷的方面考虑，优选该固体成分浓度较 大。具体地说，可通常为0.01重量%以上、通常为70重量%以下。

关于发光层的形成，通常使这样的发光层形成用组合物在作为发光层下层的层 (通常为后述的空穴注入层或空穴传输层)上进行湿式成膜后，对所得到的涂膜进行干 燥、除去溶剂，由此来形成发光层。

｛膜厚｝

只要不显著损害本发明的效果，发光层的膜厚是任意的，从不易在膜上产生缺陷 的方面考虑，优选该膜厚较厚；并且，另一方面，从驱动电压易降低的方面考虑，优 选该膜厚较薄。具体地说，其可在通常为3nm以上、优选为5nm以上、并且通常为 200nm以下、优选为100nm以下的范围。

需要说明的是，有机电致发光元件中也可以设有2层以上的发光层。发光层为2 层以上的情况下，各层的条件如上所述，但仅与阴极侧相邻且具有电子传输层的发光 层满足与相邻电子传输层的EA相关规定即可。

[相邻电子传输层]

相邻电子传输层为在发光层与阴极之间与发光层相邻地设置的具有电子传输性 的电介质层。相邻电子传输层优选具有下述性质：将从阴极注入的电子传输到发光层 的电子传输性；防止传输到发光层的空穴泄漏到阴极侧的空穴阻止性或者防止在发光 层产生的激子的扩散的空穴缓和性。相邻电子传输层的形成方法并无限制。因而，可 通过湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。只要不显著损害本发明的效果，相邻电 子传输层的膜厚为任意的，但通常为0.3nm以上、优选为0.5nm以上，并且通常为 100nm以下、优选为50nm以下。

｛电荷传输材料｝

本发明中，相邻电子传输层中需要有电子传输性、对电子通电的耐性、以及对空 穴通电的耐性，因而作为形成相邻电子传输层的电荷传输材料，优选使用具有电子传 输性单元与空穴传输性单元的有机化合物。此处，如上所述，空穴传输单元为对空穴 的耐久性优异、具有空穴传输性的结构。并且，电子传输单元为对电子的耐久性优异、 具有电子传输性的结构。即，本发明的相邻电子传输层中，优选含有对电氧化还原的 耐久性优异的电荷传输材料。

对于相邻电子传输层所含有的电荷传输材料所具有的空穴传输单元和电子传输 单元的数目，只要电荷传输材料具有空穴传输性与电子传输性，该数目没有限制，从 电荷传输性高度的方面考虑，优选该数目较多；并且，另一方面，从精制容易性的方 面考虑，优选该数目较少。具体地说，空穴传输单元与电子传输单元分别优选为1 个以上，另外还优选为10个以下、更优选为5个以下。

关于空穴传输单元与电子传输单元数目的比例，可以为相同数目，也可以一方的 单元数目多于另一方的单元数目，优选电子传输单元的数目多于空穴传输单元的数 目。如此，在一方的单元数目多于另一方的单元数目的情况下，优选其差值为1个以 上，并且，另一方面，优选其差值为5个以下、更优选为3个以下。

关于空穴传输单元和电子传输单元所具有的结构和优选的具体例如上所述。

对于空穴传输单元与电子传输单元来说，只要各单元表现出空穴传输性和电子传 输性，两单元可以任意方式结合。具体地说，两单元可直接键合，也可在两单元之间 具有连结基团。

作为介于空穴传输单元与电子传输单元之间的连结基团，优选为具有或不具有取 代基的亚烷基、具有或不具有取代基的亚链烯基和具有或不具有取代基的2价芳香族 烃环基等。

亚烷基的碳原子数优选为1以上，另外还优选为10以下、更优选为8以下。作 为具体例，可以举出亚甲基、1,2-乙烯基、1,3-丙烯基、1,4-丁烯基、1,5-戊二烯基和 1,8-辛烯基等，其中，优选合成简便的亚甲基和1,2-乙烯基。

亚链烯基的碳原子数优选为2以上，另外还优选为10以下、更优选为6以下。 作为具体例，可以举出1,2-亚乙烯基、1,3-亚丙烯基、1,2-亚丙烯基和1,4-亚丁烯基等， 其中，出于通过分子平面性的提高而使共轭面变大、电荷呈非局域化、易于提高稳定 性的理由，优选1,2-亚乙烯基。

2价芳香族烃环基的碳原子数优选为6以上，另外还优选为30以下。2价的芳香 族烃环基具有稠环的情况下，进行缩合的环数目优选为5个以下。即，优选为单环和 2～5稠环、或者它们的2个以上连结而成的2价基团。此处，芳香族烃环为2个以 上的情况下，从环稳定性较高的方面考虑，优选为2～8个、更优选为2～5个。作为 2价芳香族烃环基的具体例，可以举出具有2价剩余化合价的苯环、萘环、菲环、蒽 环、苯并[9,10]菲环、1,2-苯并菲环、并四苯环、二萘嵌苯环、六苯并苯环等。其中， 从环稳定性较高的方面考虑，优选具有2价剩余化合价的苯环、萘环、蒽环、苯并[9,10] 菲环等。

以下述的结构式S1～S15来表示2价芳香族烃环基特别优选的具体例，但本发明 并不限于这些。

[化18]

连结基团可以具有取代基也可以不具有取代基，从通过提高对电子的稳定性来降 低分子的结晶性、易于提高膜稳定性的方面考虑，优选无取代，另一方面，从化合物 电气稳定性的方面考虑，也优选具有取代基。连结基团具有取代基的情况下，优选烷 基、芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷氧基、(杂)芳氧基、烷硫基、(杂)芳硫基、氰 基等(此处，所谓“(杂)芳基”意味着“芳基”与“杂芳基”这两者。)。其中，从化 合物稳定性的方面考虑，优选烷基。需要说明的是，此处，具有烷基作为取代基指的 是连结基团为亚烷基以外的基团的情况，具有芳香族烃环基作为取代基指的是连结基 团为芳香族烃环基以外的基团的情况。

烷基的碳原子数优选为1以上，另外还优选为20以下。作为具体例，可以举出 甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、己基、辛基、环己基、 癸基和十八烷基等，其中，出于原料容易获得、易于以低成本进行合成的理由，优选 甲基、乙基和异丙基，特别优选甲基和乙基。

作为取代基的芳香族烃环基的碳原子数优选为6以上，另外还优选为25以下。 对于作为取代基的芳香族烃环基的具体例，可以举出苯基、1-萘基、2-萘基等萘基； 9-菲基(フェナンチル)、3-菲基等菲基；1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基等蒽基；1-并四苯基 (ナフタセニル)、2-并四苯基等并四苯基；1-屈(クリセニル)基、2-屈基、3-屈基、4- 屈基、5-屈基、6-屈基等屈基；1-芘基等芘基；1-苯并[9,10]菲基等苯并[9,10]菲基； 以及1-晕苯基(コロネニル)等晕苯基；4-联苯基、3-联苯基等联苯基等。这些之中， 从化合物稳定性的方面考虑，优选苯基、2-萘基和3-联苯基等，出于容易精制的理由， 特别优选苯基。

作为取代基的芳香族杂环基的碳原子数优选为3以上，另外还优选为20以下。 对于作为取代基的芳香族烃环基的具体例，可以举出：2-噻吩基等噻吩基；2-呋喃基 等呋喃基；2-咪唑基等咪唑基；9-咔唑基等咔唑基；2-吡啶基等吡啶基；以及1,3,5- 三嗪-2-基等的三嗪基等。其中，从稳定性方面考虑，优选咔唑基、特别优选9-咔唑 基。烷氧基的碳原子数优选为1以上，另外还优选为20以下。作为具体例，可以举 出甲氧基、乙氧基、异丙氧基、环己氧基、十八烷基氧基等。

(杂)芳氧基的碳原子数优选为3以上，另外还优选为20以下。作为具体例，可 以举出苯氧基、1-萘基氧基、9-邻氨基苯甲氧基、2-噻吩基氧基等。

烷硫基的碳原子数优选为1以上，另外还优选为20以下。作为具体例，可以举 出甲硫基、乙硫基、异丙硫基、环己硫基等。

(杂)芳硫基的碳原子数优选为3以上，另外还优选为20以下。作为具体例，可 以举出苯硫基、1-萘硫基、9-邻氨基苯甲硫基、2-噻吩基硫基等。

作为相邻电子传输层所含有的电荷传输材料，例如优选为具有如下通式(5)～(7) 所示结构的化合物。

(A)_m-(L)_l-(B)_n  (5)

(B)-(L-A)_x      (6)

(A)-(L-B)_y      (7)

(式中，A表示具有或不具有取代基的碳原子数为1～30的空穴传输单元，B表 示具有或不具有取代基的碳原子数为1～30的电子传输单元，L表示具有或不具有取 代基的碳原子数为1～30的烃基，l表示0～3的整数，m和n各自表示1～4的整数。 l、m和/或n为2以上的情况下，以2个以上含有的L、A、B分别可以相同或不同。 并且，x和y表示1～4的整数，x或y为2以上的整数的情况下，以2个以上含有的 L-A、L-B分别可以相同或不同。)

需要说明的是，通式(5)和(6)中的A均表示1价基团，通式(7)中的A表示y价基 团。同样地，通式(5)和(7)中的B均表示1价基团，通式(6)中的B表示x价基团。通 式(5)中的(L)l表示m+n价基团，通式(6)～(7)中的L均表示2价基团。

此处，分别优选将A作为上述空穴传输单元、将B作为上述电子传输单元B、 将L作为上述连结基团进行详述。关于具体例和优选方式也是同样的。另外，L特别 优选为具有或不具有取代基的碳原子数为1～10的饱和烃基、碳原子数为2～10的不 饱和烃基或碳原子数为6～30的芳香族烃环基。

对于式(5)～(7)的结构，具体地说，在式(5)中l、m和n为1的情况下、式(6)中x 为1的情况下以及式(7)中y为1的情况下，式(5)～(7)的结构均为“A-L-B”。并且， 式(5)～(7)例如分别为如下式(5’)～(7’)那样的结构。

[化19]

下面列举出作为形成相邻电子传输层的电荷传输材料优选使用的化合物。

[化20]

[化21]

[化22]

[化23]

在本发明的相邻电子传输层中，上述电荷传输材料可以仅含有1种，也可以以任 意组合和比例含有2种以上。

<分子量>

从耐热性良好、不易导致气体产生、并且精制容易、易于高纯度化的方面考虑， 作为形成相邻电子传输层的电荷传输材料使用的有机化合物的分子量优选为以下范 围。即，通常为10000以下、优选为5000以下、更优选为4000以下、进一步优选为 3000以下，并且通常为100以上、优选为200以上、更优选为300以上、进一步优 选为400以上的范围。

<电子亲和力(EA)>

在相邻电子传输层中可以仅含有1种上述那样的电荷传输材料，也可以含有2 种以上。相邻电子传输层具有2种以上的电荷传输材料的情况下，优选主要承担电子 传输的电荷传输材料(电子传输材料)的EA大于主要承担空穴传输的电荷传输材料(空 穴传输材料)的EA。即，一般来说，在同一层含有2种以上电荷传输材料的情况下， 电子易附着于EA大的材料，因而通过将EA大的电荷传输材料作为电子传输材料， 可以制作发光效率高·寿命长的元件。

并且，对于本发明的相邻电子传输层所含有的电荷传输材料的EA的绝对值｜ EA｜来说，从电子存在于传输电子的能级时化合物易于呈稳定状态的方面考虑，优 选该｜EA｜较大；并且，另一方面，从因形成稳定自由基阴离子而不易对电荷的传 输或授受、激子的生成产生阻碍等方面考虑，优选该｜EA｜较小。具体地说，相邻 电子传输层中的电荷传输材料之中，EA的绝对值最大的电荷传输材料的EA(在相邻 电子传输层中仅含有1种电荷传输材料的情况下，为该电荷传输材料的EA；在含有 2种以上的电荷传输材料的情况下，为2种以上的电荷传输材料中的EA的绝对值最 大的电荷传输材料的EA)的绝对值｜EA2｜优选为2.30eV以上、更优选为2.40eV以 上，另外还优选为3.20eV以下、更优选为3.10eV以下。

并且，在电荷传输材料的化学结构与｜EA｜之间，通常多认为有上述趋势。

[EA1与EA2的关系]

本发明的有机电致发光元件的特征在于，EA1与EA2满足下式(1)所表示的关系、 优选满足下式(3)所表示的关系，其中，EA1为发光层所含有的电荷传输材料中承担 电子传输的电荷传输材料的电子亲和力，EA2为相邻电子传输层所含有的电荷传输材 料之中的具有绝对值最大的电子亲和力的电荷传输材料的电子亲和力。

式(1)：0.00eV≦｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV

式(3)：0.00eV<｜EA1｜-｜EA2｜≦0.20eV

即，本发明的有机电致发光元件的特征在于，发光层内的电荷传输材料的｜ EA1｜大于或等于相邻电子传输层内的电荷传输材料的｜EA2｜、优选｜EA1｜大 于｜EA2｜。

另外，关于采用该构成所产生的作用机制，如上述所推测，本发明中的｜EA1｜ -｜EA2｜以0.00eV以上、优选0.01eV以上、特别优选0.04eV以上为宜。并且，本 发明中的｜EA1｜-｜EA2｜以0.20eV以下、优选0.19eV以下、更优选0.17eV以下 为宜。

需要说明的是，本发明中，发光层所含有的电荷传输材料与相邻电子传输层所含 有的电荷传输材料可以为相同材料，也可以为不同材料，优选相邻电子传输层含有与 发光层所含有的电荷传输材料不同的电荷传输材料。其理由在于，对于发光层所含有 的电荷传输材料，要求为使发光材料效率良好地发光的特性，与此相对，在相邻电子 传输层中，通常以效率良好的电子传输与空穴的阻止或缓和为目的，因而所要求的材 料特性不同。

特别是在发光层和/或相邻电子传输层含有2种以上的电荷传输材料的情况下， 优选各层中EA最大的电荷传输材料彼此为不同的材料。其理由也在于，电子传输主 要是由各层中EA最大的电荷传输材料所承担的，如上所述，由于两层中电荷传输材 料所要求的性能不同，因而最佳材料自然也就不同。

为了制作发光层所含有的电荷传输材料与相邻电子传输层所含有的电荷传输材 料满足上述式(1)、优选满足上述式(3)的本发明的有机电致发光元件，可参照上述电 荷传输材料的化学结构与｜EA｜之间的趋势，暂且选择电荷传输材料的组合，对于 各电荷传输材料，按照上述方法测定EA，对发光层中所用的电荷传输材料与相邻电 子传输层中所用的电荷传输材料的组合进行选择，以使得发光层中所用的电荷传输材 料与相邻电子传输层中所用的电荷传输材料满足上述式(1)、优选满足上述式(3)的关 系。

[阴极]

阴极为发挥出向发光层侧层注入电子的作用的电极。

作为阴极的材料，通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属；铟和/或锡氧化物等 金属氧化物；碘化铜等卤化金属；炭黑；或聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电 性高分子等来构成。这些之中，为了效率良好地进行电子注入，优选功函低的金属， 例如使用锡、镁、铟、钙、铝、银等适当的金属或它们的合金。作为具体例，可以举 出镁-银合金、镁-铟合金、铝-锂合金等低功函的合金电极。

需要说明的是，阴极的材料可以仅使用一种，也可以以任意组合和比例合用两种 以上。

阴极的膜厚根据所需要的透明性的不同而不同。需要透明性的情况下，优选使可 见光的透过率通常为60%以上、优选为80%以上。在这种情况下，阴极的厚度通常 为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常为1000nm以下、优选为500nm以下的程 度。在可以为不透明的情况下，阴极的厚度为任意的，阴极与基板可以相同。并且， 在上述阴极上也可以进一步层积不同的导电材料。

此外，在为了保护由低功函金属(例如包含钠、铯等碱金属；钡、钙等碱土金属 等)形成的阴极而在其上进一步层积功函高、对大气稳定的金属层时，元件的稳定性 增加，因而优选。为了该目的，例如使用铝、银、铜、镍、铬、金、铂等金属。需要 说明的是，这些材料可以仅使用1种，也可以以任意组合和比例合用两种以上。

<功函(WF)>

从对大气、水分等具有稳定性的方面考虑，优选阴极的功函(WF)大，另外，从 对于阴极侧电子传输层的电子注入性的方面考虑，还优选阴极的功函(WF)小。具体 地说，WF优选为2.00eV以上、更优选为2.40eV以上，另外还优选为4.90eV以下、 更优选为4.80eV以下。

[阴极侧电子传输层]

阴极侧电子传输层为设于相邻电子传输层与阴极之间的电子传输层，在相邻电子 传输层与阴极之间具有2个以上的电子传输层的情况下，其为位于该最接近阴极侧的 电子传输层。

作为设于相邻电子传输层与阴极之间的电子传输层中所用的电子传输材料，通常 使用由阴极或阴极侧的相邻层进行的电子注入效率高、且可效率良好地传输所注入的 具有高电子迁移率的电子的化合物。作为满足这样的条件的化合物，可以举出例如： 8-羟基喹啉的铝络合物或锂络合物等金属络合物(日本特开昭59-194393号公报)、10- 羟基苯并[h]喹啉的金属络合物、噁二唑衍生物、二苯乙烯基联苯衍生物、噻咯衍生 物、3-羟基黄酮金属络合物、5-羟基黄酮金属络合物、苯并噁唑金属络合物、苯并噻 唑金属络合物、三苯并咪唑基苯(美国专利第5645948号说明书)、喹喔啉化合物(日本 特开平6-207169号公报)、菲咯啉衍生物(日本特开平5-331459号公报)、2-叔丁基 -9,10-N,N’-二氰基蒽醌二亚胺、三嗪化合物衍生物、n型氢化非晶态碳化硅、n型硫 化锌、n型硒化锌等。

另外，作为该电子传输层中所用的电子传输材料，通过在以红菲绕啉等含氮杂环 化合物或8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物为代表的电子传输性有机化合物中掺 杂钠、钾、铯、锂、铷等碱金属(记载于日本特开平10-270171号公报、日本特开 2002-100478号公报、日本特开2002-100482号公报等中)，可使所得材料兼具电子注 入传输性与优异的膜质，因而优选该材料。并且，在上述电子传输性有机化合物中掺 杂氟化锂、碳酸铯等无机盐也是有效的。

需要说明的是，设于相邻电子传输层与阴极之间的电子传输层的材料可以仅使用 一种，也可以以任意组合和比例合用两种以上。

对于设于相邻电子传输层与阴极之间的电子传输层的形成方法没有限制。因而， 可通过湿式成膜法、蒸镀法或其它方法来形成。

只要不显著损害本发明的效果，设于相邻电子传输层与阴极之间的电子传输层的 膜厚为任意的，通常为1nm以上、优选为5nm以上，并且通常为300nm以下、优选 为100nm以下的范围。

在阴极侧电子传输层含有2种以上的电荷传输材料的情况下，将具有绝对值最大 的电子亲和力的电荷传输材料的电子亲和力绝对值设为｜EA3｜。

对于本发明阴极侧电子传输层所含有的电荷传输材料的EA的绝对值｜EA｜来 说，从电子存在于传输电子的能级时化合物易于呈稳定状态的方面考虑，优选该｜ EA｜较大；并且，另一方面，从因形成稳定自由基阴离子而不易对电荷的传输或授 受、激子的生成产生阻碍等方面考虑，优选该｜EA｜较小。具体地说，相邻电子传 输层中的电荷传输材料中EA绝对值最大的电荷传输材料的EA(在相邻电子传输层中 仅含有1种电荷传输材料的情况下，为该电荷传输材料的EA；在含有2种以上的电 荷传输材料的情况下，为2种以上电荷传输材料中EA绝对值最大的电荷传输材料的 EA)的绝对值｜EA3｜优选为2.60eV以上、进一步优选为2.70eV以上，另外还优选 为3.30eV以下、更优选为3.20eV以下。并且，在电荷传输材料的化学结构与｜EA｜ 之间大体上发现上述的趋势的情况比较多。

[EA3与WF的关系]

本发明的有机电致发光元件的特征在于，阴极功函的绝对值｜WF｜与阴极侧电 子传输层内的电荷传输材料中的具有绝对值最大的电子亲和力的电荷传输材料的绝 对值｜EA(EA3)｜之差处于特定范围内，并且满足下式(2)所表示的关系。

式(2)：-1.60eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV

并且，该｜WF｜与｜EA3｜之差更优选满足下式(4)所表示的关系。

式(4)：0.00eV≦｜WF｜-｜EA3｜≦1.60eV

另外，关于该构成的作用机制，推测如上所述。

从阴极向阴极侧电子传输层的电子授受是从阴极的功函(WF)向阴极侧电子传输 层的承担电子传输的能级(具有绝对值最大的电子亲和力的电荷传输材料的电子亲和 力(EA3))进行的。并且，两者的差越小，电子越能平稳地在各能级间迁移。因此，其 差的绝对值为1.60eV以下、优选为1.50eV以下、进一步优选为1.40eV以下。并且， 在另一方面，与阴极功函的绝对值相比，阴极侧电子传输层的承担电子传输的能级的 绝对值越小，该阴极侧电子传输层越难以被还原，该阴极侧电子传输层越易稳定。因 此，｜WF｜-｜EA3｜为-1.60eV以上、优选为-1.00eV以上、进一步优选-0.5eV以上、 特别优选为0.00eV以上、最优选为0.80eV以上。并且，｜WF｜-｜EA3｜为1.60eV 以下、优选为1.50eV以下、进一步优选为1.40eV以下。

〔有机电致发光元件的层构成与形成方法〕

下面参照图1对本发明的有机电致发光元件的层构成及其一般的形成方法等实 施方式的一例进行说明。

图1为示出本发明有机电致发光元件10的结构例的截面示意图，在图1中，1 表示基板、2表示阳极、3表示空穴注入层、4表示空穴传输层、5表示发光层、6表 示空穴阻止层(相邻电子传输层)、7表示阴极侧电子传输层、8表示电子注入层、9表 示阴极。

[基板]

基板1构成有机电致发光元件的支持体。作为基板1，使用石英板或玻璃板、金 属板或金属箔、塑料膜或塑料片等。特别优选玻璃板；聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳 酸酯、聚砜等透明合成树脂板。在使用合成树脂基板的情况下，优选要留意气体阻隔 性。基板的气体阻隔性大时，有机电致发光元件不易由于透过基板的外气而产生劣化， 因此优选基板的气体阻隔性大。因此，在合成树脂基板的至少单面设置致密的氧化硅 膜等来确保气体阻隔性的方法也为优选的方法之一。

[阳极]

阳极2发挥出向发光层5侧的层中注入空穴的作用。

该阳极2通常由铝、金、银、镍、钯、铂等金属；铟和/或锡氧化物等金属氧化 物；碘化铜等卤化金属；炭黑；或聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚苯胺等导电性高分子 等构成。

通常，阳极2的形成大多通过溅射法、真空蒸镀法等方法来进行。另外，在使用 银等金属微粒、碘化铜等微粒、炭黑、导电性的金属氧化物微粒、导电性高分子微粉 末等来形成阳极2的情况下，也可以通过将这些微粒等分散在适当的粘结剂树脂溶液 中并涂布于基板1上来形成阳极2。进一步地，在导电性高分子的情况下，还可以通 过电解聚合在基板1上直接形成薄膜。并且也可在基板1上涂布导电性高分子来形成 阳极2(Appl.Phys.Lett.,60卷,2711页,1992年)。

阳极2通常为单层结构，但根据需要，也可以为由多种材料形成的层积结构。

阳极2的厚度根据所需要的透明性等来适宜选择即可。在需要透明性的情况下， 优选使可见光的透过率通常为60%以上、优选为80%以上。这种情况下，阳极2的 厚度通常为5nm以上、优选为10nm以上。并且，这种情况下，阳极2的厚度通常为 1000nm以下、优选为500nm以下的程度。在其可为不透明的情况下，阳极2的厚度 是任意的。可以使用兼具阳极2功能的基板1。另外，在上述阳极2的上面还可进一 步层积不同的导电材料。

出于除去附着于阳极2的杂质、调整电离势、提高空穴注入性的目的，优选对阳 极2表面进行紫外线(UV)/臭氧处理、或者氧等离子体、氩等离子体处理。

[空穴注入层]

空穴注入层3是从阳极2向发光层5传输空穴的层。空穴注入层3并非为本发明 有机电致发光元件中所必须的层，但在设有空穴注入层3的情况下，空穴注入层3 通常在阳极2上形成。

本发明的空穴注入层3的形成方法可以为真空蒸镀法、也可以为湿式成膜法，并 无特别限制。从减少暗斑的方面出发，空穴注入层3优选通过湿式成膜法来形成。

空穴注入层3的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常为1000nm 以下、优选为500nm以下的范围。

｛基于湿式成膜法的空穴注入层的形成｝

在通过湿式成膜法来形成空穴注入层3的情况下，通常，将构成空穴注入层3 的材料与适当的溶剂(空穴注入层用溶剂)混合来制备成膜用组合物(空穴注入层形成 用组合物)，采用适当的方法将该空穴注入层3形成用组合物涂布在相当于空穴注入 层下层的层(通常为阳极2)上来进行成膜、并使其干燥，由此来形成空穴注入层3。

<空穴传输材料>

空穴注入层形成用组合物通常含有空穴传输材料和溶剂作为空穴注入层3的构 成材料。

对于空穴传输材料来说，只要是通常用于有机电致发光元件的空穴注入层3的具 有空穴传输性的化合物即可，可以是聚合物等高分子化合物，也可以是单体等低分子 化合物，但优选为高分子化合物。

作为空穴传输材料，从阳极2到空穴注入层3的电荷注入势垒(電荷注入障壁)的 方面出发，优选为具有4.5eV～6.0eV的电离势的化合物。作为空穴传输材料的示例， 可以举出芳香族胺衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、低聚噻吩衍生物、聚噻吩衍生 物、苄基苯基衍生物、叔胺经芴基连结而成的化合物、腙衍生物、硅氮烷衍生物、硅 胺烷衍生物、磷酰胺衍生物、喹吖啶酮衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物、聚苯 乙炔衍生物、聚噻吩乙炔衍生物、聚喹啉衍生物、聚喹喔啉衍生物、碳等。

另外，在本发明中，所谓衍生物是指，例如若以芳香族胺衍生物为例，则该衍生 物包括芳香族胺本身和以芳香族胺为主骨架的化合物，其可以为聚合物、也可以为单 体。

作为空穴注入层3的材料使用的空穴传输材料可以单独含有这样的化合物中的 任意1种，也可以含有2种以上。在含有2种以上的空穴传输材料的情况下，其组合 是任意的，但优选将1种或2种以上的芳香族叔胺高分子化合物与1种或2种以上的 其它空穴传输材料合用。

在上述示例的材料中，从非晶质性、可见光的透过率的方面考虑，优选芳香族胺 化合物、特别优选芳香族叔胺化合物。此处，所谓芳香族叔胺化合物为具有芳香族叔 胺结构的化合物，其也包括具有芳香族叔胺来源的基团的化合物。

芳香族叔胺化合物的种类没有特别限制，从由于表面平滑化效果而带来的均匀发 光的方面考虑，更优选重均分子量为1000以上、1000000以下的高分子化合物(重复 单元连接而成的聚合型化合物)。作为芳香族叔胺高分子化合物的优选例，可以举出 具有下式(I)所表示的重复单元的高分子化合物。

[化24]

(式(I)中，Ar¹～Ar⁵各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香环基。Z^b表示选 自下述连接基团组中的连接基团。并且，Ar¹～Ar⁵中的键合在同一个N原子上的二 个基团可以相互键合而形成环。

<连接基团组>

[化25]

(上述各式中，Ar⁶～Ar¹⁶各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香环基。R⁵和 R⁶各自独立地表示氢原子或任意的取代基。)

作为Ar¹～Ar¹⁶芳香环基，从高分子化合物的溶解性、耐热性、空穴注入·传输性 的方面考虑，优选具有1个或2个剩余化合价的来源于苯环、萘环、菲环、噻吩环、 吡啶环的基团，更优选苯环、萘环。

Ar¹～Ar¹⁶芳香环基可以进一步带有取代基。作为取代基的分子量，通常为400 以下，其中优选为250以下左右。作为取代基，优选烷基、链烯基、烷氧基、芳香环 基等。

R⁵和R⁶为任意取代基的情况下，作为该取代基，可以举出烷基、链烯基、烷氧 基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳香环基等。

作为具有式(I)所表示的重复单元的芳香族叔胺高分子化合物的具体例，可以举出 国际公开第2005/089024号中记载的化合物。

并且，作为空穴传输材料，也优选为使作为聚噻吩衍生物的3,4-乙烯二氧噻吩 (3,4-ethylenedioxythiophene)在高分子量聚苯乙烯磺酸中聚合而成的导电性聚合物 (PEDOT/PSS)。并且可利用甲基丙烯酸酯等对该聚合物的末端进行封端。

另外，空穴传输材料也可以为下述[空穴传输层]一项中记载的交联性化合物。在 使用该交联性化合物情况下的成膜方法也是同样的。

只要不显著损害本发明的效果，空穴注入层形成用组合物中的空穴传输材料的浓 度是任意的。从膜厚均匀性的方面考虑，空穴注入层形成用组合物中的空穴传输材料 的浓度通常为0.01重量%以上、优选为0.1重量%以上、进一步优选为0.5重量%以 上，并且另一方面，通常为70重量%以下、优选为60重量%以下、进一步优选为50 重量%以下。从不易产生膜厚不均的方面考虑，优选该浓度小。并且，从不易在成膜 后的空穴注入层中产生缺陷的方面考虑，优选该浓度大。

<电子接受性化合物>

空穴注入层形成用组合物优选含有电子接受性化合物作为空穴注入层3的构成 材料。

电子接受性化合物优选为具有氧化力、具有接受来自上述空穴传输材料的单电子 的能力的化合物。具体地说，作为电子接受性化合物，优选电子亲和力为4eV以上 的化合物、更优选为5eV以上的化合物。

作为这样的电子接受性化合物，可以举出例如选自由三芳基硼化合物、卤化金属、 路易斯酸、有机酸、鎓盐、芳基胺与卤化金属的盐、芳基胺与路易斯酸的盐组成的组 中的1种或2种以上的化合物等。更具体地说，作为电子接受性化合物，可以举出： 4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、三苯基锍四氟硼酸盐等有机基团取 代的鎓盐(国际公开2005/089024号)；氯化铁(III)(日本特开平11-251067号公报)、过 二硫酸铵等高化合价的无机化合物；四氰基乙烯等氰化合物、三(五氟苯基)硼(日本特 开2003-31365号公报)等芳香族硼化合物；富勒烯衍生物；碘；聚苯乙烯磺酸离子、 烷基苯磺酸离子、樟脑磺酸离子等磺酸离子等。

这些电子接受性化合物可以通过对空穴传输材料进行氧化来提高空穴注入层3 的电导率。

空穴注入层3或空穴注入层形成用组合物中的电子接受性化合物相对于空穴传 输材料的含量通常为0.1摩尔%以上、优选为1摩尔%以上。但通常为100摩尔%以 下、优选为40摩尔%以下。

<其它构成材料>

作为空穴注入层3的材料，只要不显著损害本发明的效果，除了上述的空穴传输 材料、电子接受性化合物之外，也可以进一步含有其它成分。作为其它成分的示例， 可以举出各种发光材料、电子传输材料、粘结剂树脂、涂布性改良剂等。另外，其它 成分可以仅使用一种，也可以以任意组合和比例合用两种以上。

<溶剂>

湿式成膜法中所用的空穴注入层形成用组合物的溶剂中的至少一种优选为能够 溶解上述空穴注入层3的构成材料的化合物。并且，该溶剂的沸点可通常为110℃以 上、优选为140℃以上、进一步优选为200℃以上，并且可通常为400℃以下、进一 步优选为300℃以下。从干燥速度不会过快、膜质优异的方面考虑，优选溶剂的沸点 高。另外，从可进行低温干燥、不易对其它层或基板产生热影响的方面考虑，也优选 溶剂的沸点低。

作为溶剂，可以举出例如醚类溶剂、酯类溶剂、芳香族烃类溶剂、酰胺类溶剂等。

作为醚类溶剂，可以举出例如：乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、丙二醇-1- 单甲醚乙酸酯(PGMEA)等脂肪族醚；1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、苯甲醚、苯 乙醚、2-甲氧基甲苯、3-甲氧基甲苯、4-甲氧基甲苯、2,3-二甲基苯甲醚、2,4-二甲基 苯甲醚等芳香族醚等。

作为酯类溶剂，可以举出例如乙酸苯酯、丙酸苯酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、 苯甲酸丙酯、苯甲酸正丁酯等芳香族酯等。

作为芳香族烃类溶剂，可以举出例如甲苯、二甲苯、环己基苯、3-异丙基联苯、 1,2,3,4-四甲基苯、1,4-二异丙基苯、环己基苯、甲基萘等。

作为酰胺类溶剂，可以举出例如，N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺等。

此外，还可以使用二甲基亚砜等。

这些溶剂可以仅使用1种，也可以以任意组合和比例使用2种以上。

<成膜方法>

在将空穴注入层3湿式成膜时，通常，在制备空穴注入层形成用组合物后，通过 湿式成膜法将该组合物在相当于空穴注入层3下层的层(通常为阳极2)上进行涂布成 膜、并进行干燥，由此来形成空穴注入层3。

出于不易因组合物中产生结晶而导致膜缺损的理由，涂布时的温度优选为10℃ 以上、50℃以下。

只要不显著损害本发明的效果，涂布时的相对湿度并无限定，通常为0.01ppm以 上、80%以下。

涂布后，通常对空穴注入层形成用组合物的膜进行干燥。在干燥时，可以进行加 热，也可以不加热。若举出加热干燥时所使用的加热手段的实例，则可以举出洁净烘 箱、加热板、红外线、卤素加热器、微波照射等。其中，为了对膜整体均匀地施加热， 优选洁净烘箱和加热板。

对于进行加热的情况下的加热温度，只要不显著损害本发明的效果，优选在空穴 注入层形成用组合物中所用溶剂的沸点以上的温度进行加热。并且，在空穴注入层中 所用的溶剂为包含两种以上的混合溶剂的情况下，优选在至少一种溶剂的沸点以上的 温度进行加热。考虑到溶剂的沸点上升，在加热工序中，优选在120℃以上、优选在 410℃以下进行加热。

进行加热时，加热温度并无特别限制，在通过湿式成膜法进行与空穴注入层的阴 极侧相接的层的成膜的情况下，对于加热温度，优选在使涂膜呈充分不溶化的温度下 进行加热。加热时的加热时间优选为10秒以上，并且另一方面通常为180分钟以下。 从不易引起其它层成分的扩散的方面考虑，优选加热时间短；空穴注入层易变得均质 的方面考虑，优选加热时间长。加热也可以分2次以上来进行。

｛基于真空蒸镀法的空穴注入层3的形成｝

在通过真空蒸镀来形成空穴注入层3的情况下，例如，可以如下所述来形成空穴 传输层3。将1种或2种以上的空穴注入层3的构成材料(上述的空穴传输材料、电子 接受性化合物等)投入到设于真空容器内的坩埚中(在使用2种以上材料的情况下，投 入到各自的坩埚中)，用适当的真空泵将真空容器内排气至10^-4Pa左右。然后对坩埚 进行加热(在使用2种以上材料的情况下，对各坩埚进行加热)，控制蒸发量，使之蒸 发(在使用2种以上材料的情况下，各自独立地控制蒸发量进行蒸发)，在与坩埚对面 放置的基板1的阳极2上形成空穴注入层3。另外，在使用2种以上的材料的情况下， 也可以将它们的混合物投入至坩埚中，进行加热、蒸发，从而形成空穴注入层3。

只要不显著损害本发明的效果，蒸镀时的真空度并无限制。蒸镀时的真空度通常 为0.1×10^-6Torr(0.13×10^-4Pa)以上、9.0×10^-6Torr(12.0×10^-4Pa)以下。只要不显著损害本 发明的效果，蒸镀速度并无限制。蒸镀速度通常为秒以上、秒以下。只要 不显著损害本发明的效果，蒸镀时的成膜温度并无限制。蒸镀时的成膜温度优选在 10℃以上、50℃以下进行。

[空穴传输层]

空穴传输层4为从阳极2向发光层5进行传输的层。空穴传输层4并非为本发明 的有机电致发光元件所必须的层，在设有空穴传输层4的情况下，在有空穴注入层3 时，空穴传输层4可在空穴注入层3的上面形成；在无空穴注入层3时，空穴传输层 4可在阳极2的上面形成。

空穴传输层4的形成方法可以为真空蒸镀法、也可以为湿式成膜法，并无特别限 制。从降低暗斑的方面出发，优选通过湿式成膜法来形成空穴传输层4。

作为形成空穴传输层4的材料，优选为空穴传输性高、且可效率良好地传输所注 入的空穴的材料。因此，对于形成空穴传输层4的材料，优选电离势小、对于可见光 的透明性高、空穴迁移率大、稳定性优异、在制造时或使用时不易产生会成为陷阱(ト ラップ)的杂质。另外，在多数情况下，由于空穴传输层4要与发光层5接触，因而 优选其不会使来自发光层5的发光消光、优选不会在发光层5之间形成激态复合物而 使效率降低。

作为这样的空穴传输层4的材料只要是以往作为空穴传输层4的构成材料使用的 材料即可。作为空穴传输层4的材料，可以举出例如作为上述空穴注入层3中使用的 空穴传输材料而示例出的材料。并且可以举出芳基胺衍生物、芴衍生物、螺环衍生物、 咔唑衍生物、吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲 咯啉衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物、噻咯衍生物、低聚噻吩衍生物、稠合多环芳 香族衍生物、金属络合物等。

另外可以举出例如聚乙烯基咔唑衍生物、聚芳基胺衍生物、聚乙烯基三苯胺衍生 物、聚芴衍生物、聚亚芳香基衍生物、含有四苯基联苯胺的聚亚芳香基醚砜(ポリア リーレンエーテルサルホン)衍生物、聚亚芳香基1,2-亚乙烯基衍生物、聚硅氧烷衍 生物、聚噻吩衍生物、聚(对苯撑乙烯)衍生物等。它们可以为交替共聚物、无规聚合 物、嵌段聚合体或接枝共聚物中的任意一种。另外，也可以是在主链具有分枝并且具 有3个以上末端部的高分子、所谓的树状高分子。

其中，作为空穴传输层4的材料，优选为聚芳基胺衍生物、聚亚芳香基衍生物。

作为聚芳基胺衍生物，优选为含有下式(II)所表示的重复单元的聚合物。特别优 选由下式(II)所表示的重复单元形成的聚合物，这种情况下，各重复单元中的Ar^a或 Ar^b可以不同。

[化26]

(式(II)中，Ar^a和Ar^b各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香环基。)

作为Ar^a、Ar^b具有或不具有取代基的芳香族烃环基，可以举出例如：具有1价 或2价剩余化合价的苯环、萘环、蒽环、菲环、二萘嵌苯环、并四苯环、芘环、苯并 芘环、1,2-苯并菲(クリセン)环、苯并[9,10]菲环、苊环、荧蒽环、芴环等具有1价或 2价剩余化合价的6元环的单环或2～5稠环以及2个以上的这些环通过直接键合连 结而成的基团。

作为具有或不具有取代基的芳香族杂环基，可以举出例如：具有1价或2价剩余 化合价的呋喃环、苯并呋喃环、噻吩环、苯并噻吩环、吡咯环、吡唑环、咪唑环、噁 二唑环、吲哚环、咔唑环、吡咯并咪唑环、吡咯并吡唑环、吡咯并吡咯环、噻吩并吡 咯环、噻吩并噻吩环、呋喃并吡咯环、呋喃并呋喃环、噻吩并呋喃环、苯并异噁唑环、 苯并异噻唑环、苯并咪唑环、吡啶环、吡嗪环、哒嗪环、嘧啶环、三嗪环、喹啉环、 异喹啉环、噌啉环、喹喔啉环、菲啶环、苯并咪唑环、萘嵌间二氮杂苯环、喹唑啉环、 喹唑啉酮环、甘菊环等具有1价或2价剩余化合价的5或6元环的单环或2～4稠环 以及2个以上的这些环通过直接键合连结而成的基团。

从溶解性、耐热性的方面考虑，优选Ar^a和Ar^b各自独立地为选自由具有1价或 2价剩余化合价的苯环、萘环、蒽环、菲环、苯并[9,10]菲环、芘环、噻吩环、吡啶 环、芴环组成的组中的环、或2个以上的苯环连结而成的基团(例如联苯基(二聚苯基) 或三聚苯基(三联苯基))。

其中，优选具有1价剩余化合价的由苯环衍生的基团(苯基)、2个苯环连结而成 的基团(联苯基)和由芴环衍生的基团(芴基)。

作为Ar^a和Ar^b中的芳香环基可以具有的取代基，可以举出烷基、链烯基、炔基、 烷氧基、芳氧基、烷氧基羰基、二烷基氨基、二芳基氨基、酰基、卤原子、卤烷基、 烷硫基、芳硫基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、氰基、芳香环基等。

作为聚亚芳香基衍生物，可以举出在其重复单元中具有下述基团的聚合物，所述 基团为在上述式(II)中作为Ar^a或Ar^b而示例出的具有或不具有取代基的芳香环基等亚 芳香基。

作为聚亚芳香基衍生物，优选为具有由下式(V-1)和/或下式(V-2)形成的重复单元 的聚合物。

[化27]

(式(V-1)中，R^a、R^b、R^c和R^d各自独立地表示烷基、烷氧基、苯基烷基、苯基 烷氧基、苯基、苯氧基、烷基苯基、烷氧基苯基、烷基羰基、烷氧基羰基或者羧基。 t和s各自独立地表示0～3的整数。t或s为2以上的情况下，一分子中所含有的2 个以上的R^a或R^b可以相同也可以不同，相邻的R^a或R^b相互间可以形成环。)

[化28]

(式(V-2)中，R^e和R^f各自独立地与上述式(V-1)中的R^a、R^b、R^c或R^d的含义相同。 r和u各自独立地表示0～3的整数。r或u为2以上的情况下，一分子中所含有的2 个以上的R^e和R^f可以相同也可以不同，相邻的R^e或R^f相互间可以形成环。X表示 构成5元环或6元环的原子或原子组。)

作为X的具体例，为-O-、-BR-、-NR-、-SiR₂-、-PR-、-SR-、-CR₂-或它们键合 而成的基团。另外，R表示氢原子或任意的有机基团。本发明中的有机基团指的是包 含至少一个碳原子的基团。

另外，作为聚亚芳香基衍生物，除了具有由上述式(V-1)和/或上述式(V-2)形成的 重复单元外，优选还进一步具有下式(V-3)所表示的重复单元。

[化29]

(式(V-3)中，Ar^c～Ar^j各自独立地表示具有或不具有取代基的芳香环基。v和w 各自独立地表示0或1。)

作为Ar^c～Ar^j的具体例，与上述式(II)中的Ar^a和Ar^b相同。

上述式(V-1)～(V-3)的具体例和聚亚芳香基衍生物的具体例等可以举出日本特开 2008-98619号公报所记载的物质等。

在通过湿式成膜法形成空穴传输层4的情况下，与上述空穴注入层3的形成同样 地在制备空穴传输层形成用组合物后进行湿式成膜，之后进行干燥。

在空穴传输层形成用组合物中，除了上述空穴传输材料以外，还含有溶剂。所使 用的溶剂与上述空穴注入层形成用组合物中使用的溶剂相同。另外，成膜条件、干燥 条件等也与形成空穴注入层3的的情况相同。

在通过真空蒸镀法形成空穴传输层4的情况下，其成膜条件等也同样地与形成上 述空穴注入层3的情况相同。

空穴传输层4除了上述空穴传输材料以外还可以含有各种发光材料、电子传输材 料、粘结剂树脂、涂布性改良剂等。

空穴传输层4也可以为将交联性化合物交联而形成的层。交联性化合物为具有交 联性基团的化合物，其通过交联形成网状高分子化合物。

若举出该交联性基团的实例，则可以举出：具有1价剩余化合价的氧杂环丁烷、 环氧等环状醚；乙烯基、三氟乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、肉桂酰 基等不饱和双键衍生的基团；具有1价剩余化合价的苯并环丁烯等。

交联性化合物可以是单体、低聚物、聚合物中的任意一种。交联性化合物可以仅 具有1种，也可以以任意的组合和比例具有2种以上。

作为交联性化合物，优选使用具有交联性基团的空穴传输材料。作为空穴传输材 料，可以举出上述示例的材料等；作为具有交联性基团的空穴传输材料，可以举出交 联性基团键合在这些空穴传输材料的主链或侧链上而成的材料等。特别优选交联性基 团藉由亚烷基等连接基团而键合在主链上。并且，作为空穴传输材料，特别优选为包 含具有交联性基团的重复单元的聚合物。作为空穴传输材料，特别优选为具有下述重 复单元的聚合物，该重复单元为交联性基团直接或藉由连接基团键合在上述式(II)或 式(V-1)～(V-3)上而成的重复单元。

作为交联性化合物，优选使用具有交联性基团的空穴传输材料。若举出空穴传输 材料的实例，则可以举出：吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、喹 啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物、酞菁衍生物、卟啉衍生物等含氮芳香族化合 物衍生物；三苯胺衍生物；噻咯衍生物；低聚噻吩衍生物、稠合多环芳香族衍生物、 金属络合物等。其中，作为空穴传输性化合物，优选吡啶衍生物、吡嗪衍生物、嘧啶 衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、菲咯啉衍生物、咔唑衍生物等含氮芳香族衍生物； 三苯胺衍生物、噻咯衍生物、稠合多环芳香族衍生物、金属络合物等，进一步特别优 选三苯胺衍生物。

为了使交联性化合物交联来形成空穴传输层4，通常将交联性化合物溶解或分散 在溶剂中来制备空穴传输层形成用组合物，通过湿式成膜使其成膜来进行交联。

在空穴传输层形成用组合物中，除了交联性化合物之外，还可以含有促进交联反 应的添加物。若举出促进交联反应的添加物的实例，则可以举出：烷基苯酮化合物、 酰基氧化膦化合物、茂金属化合物、肟酯化合物、偶氮化合物、鎓盐等聚合引发剂和 聚合促进剂；稠合多环烃、卟啉化合物、二芳基酮化合物等光敏剂等。

并且，在空穴传输层形成用组合物中还可以含有流平剂、消泡剂等涂布性改良剂； 电子接受性化合物；粘结剂树脂等。

空穴传输层形成用组合物中含有通常为0.01重量%以上、优选为0.05重量%以 上、进一步优选为0.1重量%以上的交联性化合物。并且，空穴传输层形成用组合物 中含有通常为50重量%以下、优选为20重量%以下、进一步优选为10重量%以下的 交联性化合物。

通常在以这样的浓度使含有交联性化合物的空穴传输层形成用组合物在下层(通 常为空穴注入层3)上进行成膜后，通过加热和/或光等活性能量照射使交联性化合物 发生交联，从而形成网状高分子化合物。

成膜时的温度、湿度等条件与上述空穴注入层的湿式成膜时相同。

成膜后的加热方法没有特别限定。作为加热温度条件，通常为120℃以上、优选 为400℃以下。

加热时间通常为1分钟以上、优选为24小时以下。加热手段没有特别限定。作 为加热手段，可以使用将具有成膜后的层的层积体载置于加热板上或在烘箱内进行加 热等手段。作为加热方法，具体地说，例如可以使用在加热板上以120℃以上、加热 1分钟以上等条件。

作为在利用光等活性能量照射进行交联的情况下的活性能量照射的方法，可以举 出：直接使用超高压水银灯、高压水银灯、卤素灯、红外灯等紫外·可见·红外光源进 行照射的方法；或者使用内置有上述光源的掩模对准器、输送带型光照射装置进行照 射的方法等。对于光以外的活性能量照射，可以举出使用例如照射由磁控管产生的微 波的装置、也即所谓微波炉进行照射的方法等。作为照射时间，优选设定为用于降低 膜的溶解性所必需的条件，通常照射0.1秒以上、优选照射10小时以下。

加热和光等活性能量照射中，对于各方法及条件，可以分别单独或组合进行。组 合的情况下，实施的顺序没有特别限定。

如此形成的空穴传输层4的膜厚通常为5nm以上、优选为10nm以上，并且通常 为300nm以下、优选为100nm以下。

[发光层]

发光层5为如下的层：在施加电场的电极之间通过从阳极2注入的空穴与从阴极 9注入的电子的再结合而被激发、构成主要发光光源的层。对于发光层5，通常在有 空穴传输层4的情况下，其可在空穴传输层4上形成；在无空穴传输层4、有空穴注 入层3的情况下，其可在空穴注入层3上形成；在既无空穴传输层4亦无空穴注入层 3的情况下，其可在阳极2上形成。

关于发光层的构成材料和形成方法等如上所述。

[空穴阻止层]

在发光层5与后述的电子注入层8之间可以设有空穴阻止层6。空穴阻止层6为 电子传输层中的还进一步承担阻止从阳极2迁移来的空穴到达阴极9的作用的层。空 穴阻止层6为在发光层5上以与发光层5阴极9侧的界面相接的方式进行层积的层。 本发明的有机电致发光元件中，空穴阻止层并非为必需的构成层，在与发光层相邻地 设置空穴阻止层的情况下，该空穴阻止层为相邻电子传输层。

该空穴阻止层6具有如下作用：阻止从阳极2迁移的空穴到达阴极9的作用、以 及将从阴极9注入的电子效率良好地在发光层5的方向进行传输的作用。

作为构成空穴阻止层6的材料所要求的物性，可以举出电子迁移率高且空穴迁移 率低、能隙(HOMO、LUMO之差)大、激发三重态能级(T1)高等。作为满足这样的条 件的空穴阻止层6的材料，可以举出例如：双(2-甲基-8-羟基喹啉络)(苯酚络)铝、双 (2-甲基-8-羟基喹啉络)(三苯基三苯基硼络)铝等混合配位体络合物；双(2-甲基-8-喹啉 络)铝-μ-氧-双-(2-甲基-8-羟基喹啉)铝双核金属络合物等金属络合物；二苯乙烯基联苯 衍生物等苯乙烯基化合物(日本特开平11-242996号公报)；3-(4-联苯基)-4-苯基-5(4- 叔丁基苯基)-1,2,4-三唑等三唑衍生物(日本特开平7-41759号公报)；浴铜灵等菲咯啉 衍生物(日本特开平10-79297号公报)等。此外，国际公开第2005/022962号中记载的 至少具有1个2,4,6位被取代的吡啶环的化合物也优选作为空穴阻止层6的材料。

另外，空穴阻止层6的材料可以仅使用一种，也可以以任意组合和比例合用两种 以上。

对空穴阻止层6的形成方法并无限制。因此，空穴阻止层6可以利用湿式成膜法、 蒸镀法或其它方法来形成。

只要不显著损害本发明的效果，空穴阻止层6的膜厚为任意的。空穴阻止层6 的膜厚通常为0.3nm以上、优选为0.5nm以上，且通常为100nm以下、优选为50nm 以下。

[电子传输层]

电子传输层7为设于发光层5与后述的阴极9之间的层。在本发明的有机电致发 光元件中具有2层以上的电子传输层7的情况下，其中位于最接近阴极侧的层为阴极 侧电子传输层。并且，在不设有上述空穴阻止层6而设有2层以上的电子传输层的情 况下，其中与发光层相邻的层为相邻电子传输层。

关于电子传输层7的构成材料和形成方法等如上述阴极侧电子传输层中所记载。

[电子注入层]

在电子传输层7与后述的阴极9之间可以设有电子注入层8。电子注入层8为从 阴极9向电子传输层7注入电子(对电子的受授进行辅助)的层。电子注入层8由无机 盐等绝缘体(无电子传输性)形成。

作为电子注入层8，可以举出锂(LiF)、氟化镁(MgF₂)、氧化锂(Li₂O)、碳酸铯 (II)(CsCO₃)等(参照Applied Physics Letters,1997年,Vol.70,pp.152；日本特开平 10-74586号公报；IEEE Transactions on Electron Devices,1997年,Vol.44,pp.1245；SID 04 Digest,pp.154等)。

由于电子注入层8为无机绝缘体，因而为了效率良好地进行电子注入，优选以极 薄膜的形式进行使用，其膜厚通常为0.1nm以上、优选为5nm以下。

另外，电子注入层8的材料可以仅使用一种，也可以以任意组合和比例合用两种 以上。

电子注入层8的形成方法并无限制。因而，可以利用湿式成膜法、蒸镀法或其它 方法来形成。

[阴极9]

阴极9为发挥出将电子注入到发光层5侧的层(电子注入层8或发光层5等)的作 用的电极。阴极9承担着与电路导通的作用，该电路从电源向有机电致发光元件供给 电力。

关于阴极9的构成材料和形成方法等，如上述阴极的说明中所记载。

[其它层]

在不脱离其宗旨的范围内，本发明的有机电致发光元件也可以具有其它构成。具 体地说，例如，只要不损害其性能，在阳极2与阴极9之间也可以具有除上述说明的 层以外的任意层，并且也可以省略上述说明中的层。只是，在所有情况下，在发光层 与阴极之间与发光层相邻地设置的电子传输层为相邻电子传输层、在阴极与发光层之 间与阴极相邻地设置的电子传输层为阴极侧电子传输层。

作为除上述说明的层以外可以具有的层，可以举出例如电子阻止层。

设有电子阻止层的情况下，通常设在空穴注入层3或空穴传输层4与发光层5 之间。电子阻止层通过阻止从发光层5迁移来的电子到达空穴注入层3而增大了发光 层5内空穴与电子的再结合概率，具有将所生成的激子限制在发光层5内的作用、以 将由空穴注入层3注入的空穴效率良好地在发光层5的方向传输的作用。在使用磷光 材料或使用蓝色发光材料作为发光材料的情况下，设置电子阻止层是特别有效的。

作为电子阻止层所要求的特性，可以举出空穴传输性高、能隙(HOMO、LUMO 之差)大、激发三重态能级(T1)高等。此外，在本发明中，通过湿式成膜法来制作发光 层5作为本发明的有机层的情况下，对于电子阻止层也要求湿式成膜的适合性。作为 这样的电子阻止层中所用的材料，可以举出以F8-TFB为代表的二辛基芴与三苯胺的 共聚物(国际公开第2004/084260号)等。

另外，电子阻止层的材料可以仅使用一种，也可以以任意组合和比例合用两种以 上。

对电子阻止层的形成方法并无限制。因而，电子阻止层可通过湿式成膜法、蒸镀 法或其它方法来形成。

另外，在以上说明的层构成中，也可以以相反顺序进行基板以外的构成要件的层 积。例如，若为图1的层构成的话，则基板1上可以依阴极9、电子注入层8、阴极 侧电子传输层7、空穴阻止层6(相邻电子传输层)、发光层5、空穴传输层4、空穴注 入层3、阳极2的顺序设置其它构成要件。

进而，也可以通过在至少一方具有透明性的2片基板之间层积基板以外的构成要 件来构成本发明的有机电致发光元件。

另外，还可以形成对除基板以外的构成要件(发光单元)进行多段重叠而成的结构 (层积多个发光单元而成的结构)。在该情况下，若设置例如由五氧化钒(V₂O₅)等形成 的电荷发生层(Carrier Generation Layer：CGL)来代替各段间(发光单元间)的界面层(阳 极为ITO、阴极为Al的情况下为这2层)，则段间的势垒减少，从发光效率·驱动电 压的方面考虑是更为优选的。

进一步地，本发明的有机电致发光元件可以构成为单一的有机电致发光元件，也 可以适用于2个以上的有机电致发光元件配置成阵列状的构成，还可以适用于阳极与 阴极配置成X-Y矩阵状的构成。

并且，只要不显著损害本发明的效果，上述各层还可以包含所说明的成分以外的 成分作为材料。

〔有机电致发光器件〕

本发明的有机电致发光器件为在基板上具有发出彼此不同颜色的光的两种以上 有机电致发光元件的有机电致发光器件，其特征在于，该有机电致发光元件中的至少 一种有机电致发光元件为下述有机电致发光元件，该有机电致发光元件的发光层的电 荷传输材料与相邻电子传输层的电荷传输材料满足上述式(1)、优选满足式(3)；阴极 材料的功函与阴极侧电子传输层的电荷传输材料满足上述式(2)。

在该有机电致发光器件中，优选全部有机电致发光元件为本发明的有机电致发光 元件；并且，有机电致发光元件之中，优选至少两种有机电致发光元件所具有的相邻 电子传输层为相同的材料构成，更优选为相同的材料构成且为相同膜厚。其理由在于， 相比于形成与各有机电致发光元件相邻的相邻电子传输层的情况，在制造有机电致发 光器件时，上述情况可期待成本的降低。特别是在通过蒸镀法形成相邻电子传输层的 情况下，无需为各有机电致发光元件设置用于形成相邻电子传输层的掩模，在制造有 机电致发光器件时，会使成本具有非常大幅的降低。

〔有机EL显示装置〕

本发明的有机EL显示装置使用上述本发明的有机电致发光元件。对于本发明有 机EL显示装置的型号、结构并无特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件按 照常规方法进行组装。

例如，可以利用“有机EL显示屏”(Ohmsha、平成16年8月20日发行、时任 静士、安達千波矢、村田英幸著)中记载的方法来形成本发明的有机EL显示装置。

〔有机EL照明〕

本发明的有机EL照明使用上述本发明的有机电致发光元件。关于本发明有机EL 照明的型号、结构并无特别限制，可以使用本发明的有机电致发光元件通过常规方法 进行组装。

实施例

下面通过实施例来更具体地说明本发明，但只要不超出其要点，本发明并不限定 于以下实施例的记载。

另外，元件制作中所用的材料分别如下进行合成。

·P1和H1···基于日本特开2009-287000号公报所记载的方法进行合成。

·eH-3和eH-7···基于日本特开2006-188493号公报所记载的方法进行合成。

·hH-1···基于日本特开2011-26237号公报所记载的方法进行合成。

·D-1···基于日本特开2010-202644号公报所记载的方法进行合成。

·D-2···基于日本国日本特愿2010-225230号所记载的方法进行合成。

·eH-11···基于日本特开2005-268199号公报所记载的方法进行合成。

·eH-4···基于日本特开2010-235708号公报所记载的方法进行合成。

这些以外的材料通过组合以下的反应路线[A]～[H]进行合成。

[A]Cz-Ar偶联(参考文献：欧州专利申请公开第1820801号说明书)

[化30]

[B]NH-Ar偶联(参考文献：J.Org.Chem.,Vol.64,No.15,1999)

[化31]

[C]Ar-Ar偶联(参考文献：Chemical reviews,95(7),2457-2483.)

[化32]

[D]硼酸合成(参考文献：Journal of the American Chemical Society，112(22), 8024-34(1990))

[化33]

[E]Ar-B偶联(参考文献：J.Org.Chem.,60(23),7508-10(1995))

[化34]

[F]与嘧啶骨架的偶联反应(参考文献：J.Org.Chem.,66,7125-7128(2001))

[化35]

[G]吡啶环形成反应(参考文献：J.Chem.Soc.,Perkin Trans.1,3258-3264(2001))

[化36]

[H]与三嗪骨架的偶联反应(参考文献：Org.Lett.,Vol.10,No.5,2008)

[化37]

具体地说，eH-8可如下述反应路线所示进行合成。并且，可通过相同的方法得 到eH-1、eH-2、eH-5、eH-6。

[化38]

hH-2可如下述反应路线所示进行合成。并且，也可通过相同的方法得到hH-3。

[化39]

HB-1可如下述反应路线所示进行合成。

[化40]

HB-2可如下述反应路线所示进行合成。

[化41]

HB-4可如下述反应路线所示进行合成。

[化42]

eH-9可如下述反应路线所示进行合成。并且，也可通过相同的方法得到eH-10 和eH-11。

[化43]

HB-3可如下述反应路线所示进行合成。

[化44]

D-3可如下述反应路线所示进行合成。

[化45]

〔电荷传输材料的电子亲和力(EA)的测定〕

在下述的实施例和比较例中，对于发光层、作为相邻电子传输层的空穴阻止层、 以及作为阴极侧电子传输层的电子传输层中所用的电荷传输材料，按以下方法进行电 子亲和力(EA)的测定。

首先，针对在玻璃基板上以70nm的厚度堆积ITO透明导电膜而成的基板(三容 真空社制造、溅射成膜品)，依次利用表面活性剂水溶液进行超声波清洗、利用超纯 水进行水洗、利用超纯水进行超声波清洗、利用超纯水进行水洗，之后利用压缩空气 进行干燥，随后施以紫外线臭氧清洗。

制备各电荷传输材料(hH-1～hH-3、eH-1、eH-2、eH-4～eH-10、HB-1～HB-4、 Alq₃)的1重量%甲苯溶液，在该清洗后的基板上通过旋涂法按下述条件进行成膜，从 而得到膜厚50nm的电荷传输材料的膜。并且，对于一部分材料(eH-3和eH-11)，将 上述清洗后的基板搬入到真空蒸镀装置内，进行粗排气后，使用低温泵排气至装置内 的真空度为3.0×10^-4Pa以下，通过真空蒸镀法在基板上层积电荷传输材料来得到电荷 传输材料的薄膜。蒸镀时的真空度保持在2.2×10^-4Pa以下，蒸镀速度控制在秒的范围，在基板上形成膜厚50nm的膜。

对于这些样品，使用Optel社制造的“PCR-101”，在抽真空至10Torr以下的状 态下进行电离势IP的测定。

采用以同样工序进行成膜的样品，使用日立社制造分光荧光光度计“F-4500”， 对透过光光谱、即薄膜吸收光谱进行测定，在其短波长侧的开始上升部分引出吸收光 谱与基线的切线，由该两切线交点的波长W(nm)通过下式计算出能带间隙Eg。

Eg=1240/W

通过电离势IP与能带间隙Eg之和来计算出电子亲和力绝对值EA。结果如下述 表1所示。

[表1]

后述的实施例和比较例中的发光层中，在发光层中使用两种以上的电荷传输材料 的情况下，将具有最大电子亲和力的电荷传输材料作为电子传输材料(e-host)、将具有 最小电子亲和力的电荷传输材料作为空穴传输材料(h-host)。

需要说明的是，在发光层中仅使用一种电荷传输材料的情况下，在表述上记载为 电子传输材料。

〔电荷检测量之比Q(e)/Q(h)的测定〕

发光层中所用的电荷传输材料的电荷检测量之比“Q(e)/Q(h)”按如下所示进行测 定。

与上述的电子亲和力(EA)的测定同样地，对基板(三容真空社制造、溅射成膜品) 进行清洗。制作各电荷传输材料(hH-1～hH-3和eH-1～eH-8)的10重量%氯仿溶液， 利用旋涂法在下述条件下在该清洗后的基板上进行成膜，从而得到膜厚2μm的电荷 传输材料的膜。对于这些样品，按照ITO电极为阳极、反电极为阴极来施加电场强 度160kV/cm，在该状态下，hH-1～hH-3、eH-1、eH-2和eH-4～eH-8的光源使用日 本激光器社制造的“Brio(Nd：YAG脉冲激光器)”(激发波长355nm、脉冲宽度4ns)， eH-3的光源使用Spectra Physics社制造的“VSL-337ND-S(氮激光器)”(激发波长 337nm、脉冲宽度<4ns)，利用ND过滤器将每1脉冲当的光量调整为20μJ，从ITO 电极侧进行照射，使用示波器(Tektronix社制造的“TDS2022”)对此时流经的电流值 进行测定，从而计算出空穴电荷量Q(h)。另外，按照ITO电极为阴极、反电极为阳 极来进行同样的操作，从而计算出电子的电荷量Q(e)。由其比求出电荷检测量之比 “Q(e)/Q(h)”。结果如下述表2所示。

[表2]

〔特性评价用元件的制作和评价〕

[实施例1]

制作图1所示的有机电致发光元件。

首先，在玻璃基板上1以70nm的厚度堆积ITO透明导电膜，以2mm宽度的条 纹进行图案化，对于形成有ITO阳极2的基板(三容真空社制造、溅射成膜品)，依次 利用表面活性剂水溶液进行超声波清洗、利用超纯水进行水洗、利用超纯水进行超声 波清洗、利用超纯水进行水洗，之后利用压缩空气进行干燥，施以紫外线臭氧清洗。

接下来，制备含有2.0重量%的具有下述(P1)所示重复结构的空穴传输性高分子 化合物以及0.8重量%下述(A1)所示4-异丙基-4’-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐 的苯甲酸乙酯溶液(空穴注入层形成用组合物)。

[化46]

在下述所示的成膜条件下，通过旋涂法使该空穴注入层形成用组合物在上述ITO 基板上进行成膜，进一步在下述所示的烘干条件下进行烘干，从而得到膜厚30nm的 空穴注入层3。

<成膜条件>

旋涂器转速        2250rpm

旋涂器旋转时间    30秒

旋涂气氛  大气气氛下

烘干条件  大气气氛下，230℃，1小时

其后，制备下述(H1)所表示的空穴传输性高分子化合物的1重量%环己基苯溶液 (空穴传输层形成用组合物)，在下述所示的成膜条件下将其旋涂在空穴注入层3上进 行成膜，通过烘干进行交联处理，形成膜厚15nm的空穴传输层4。

[化47]

<成膜条件>

旋涂器转速        1500rpm

旋涂器旋转时间    120秒

旋涂气氛  氮气气氛下

烘干条件  氮气气氛下，230℃，1小时

接下来，在形成发光层5时，使用以下所示的发光材料(D-1)和(D-2)与电子传输 材料(eH-1)(承担电子传输的电荷传输材料)和空穴传输材料(hH-1)，制备下述所示组成 的发光层形成用组合物。

[化48]

<发光层形成用组合物组成>

溶剂        环己基苯

成分浓度    (D-1)：0.25重量%

(D-2)：0.35重量%

(eH-1)：1.25重量%

(hH-1)：3.75重量%

使用该发光层形成用组合物，在以下所示条件下通过旋涂法在空穴传输层4上进 行成膜，在下述所示烘干条件下进行烘干处理，从而来形成膜厚60nm的发光层5。

<成膜条件>

旋涂器转速        1500rpm

旋涂器旋转时间    120秒

旋涂气氛  氮气气氛下

烘干条件  氮气气氛下，230℃，10分钟

接下来，将进行了空穴注入层3、空穴传输层4和发光层5的湿式成膜的基板搬 入到真空蒸镀装置内，进行粗排气后，使用低温泵排气至装置内的真空度为3.0× 10^-4Pa以下。在将真空度保持在2.2×10^-4Pa以下的状态下，在发光层5上以蒸镀速度 秒进行膜厚10nm的上述结构式(eH-1)所示化合物的层积，由此形成空穴阻 止层6(相邻电子传输层)。

接下来，在将真空度保持在2.2×10^-4Pa以下的状态下，在空穴阻止层6上对三(8- 羟基喹啉)铝(Alq₃)进行加热，以蒸镀速度秒进行膜厚20nm的层积，由此 来形成电子传输层7(阴极侧电子传输层)。

此处，将进行蒸镀至电子传输层7为止的元件由有机层蒸镀用腔室传送至金属蒸 镀用腔室中。将作为阴极蒸镀用掩模的2mm宽条纹状荫罩按照与阳极2的ITO条纹 正交的方式密合在元件上来进行设置。与有机层蒸镀时同样地将装置内排气至真空度 为1.1×10^-4Pa以下。

其后，在将真空度保持在1.0×10^-4Pa以下的状态下，通过使用钼舟进行加热，以 蒸镀速度秒将氟化锂(LiF)在电子传输层7上以膜厚0.5nm进行层积，由 此来形成电子注入层8。接下来，同样地在将真空度保持在2.0×10^-4Pa的状态下，通 过使用钼舟进行加热，以蒸镀速度秒对铝进行膜厚80nm的蒸镀，由此来 形成阴极9。上述电子注入层8和阴极9蒸镀时的基板温度保持在室温。需要说明的 是，铝的WF为4.28eV(参照J.Appl.Phys.,48.4729(1977))。

接着，为了防止元件在保存中由于大气中的水分等而劣化，按以下所记载的方法 进行密封处理。

在氮气手套箱中，在23mm×23mm尺寸玻璃板的外周部以1mm的宽度涂布光固 化性树脂30Y-437(ThreeBond社制造)，在中央部设置吸水片材(dynic社制造)。搬入 结束了阴极形成的基板，按照进行了蒸镀的面与干燥剂片材对向的方式贴合基板。其 后，仅对涂布有光固化性树脂的区域进行紫外光照射，使树脂固化。

按以上方式来得到具有2mm×2mm尺寸的发光面积部分的有机电致发光元件。

对所得到的元件进行电流-电压-亮度(IVL)特性的测定，计算出1000cd/m²时的驱 动电压(V1k，单位：V)、亮度效率(L/J1k，单位：cd/A)、发光效率(η1k，单位：lm/w)。 并进行定电流驱动试验，采用亮度衰减至70%为止时的时间，求出在初期亮度 1000cd/m²下的亮度70%衰减寿命(τ70，輝度7割減寿命)。将各测定值与｜EA1｜-｜ EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[实施例2]

在发光层中，不使用实施例1中使用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-2)，除此以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

[化49]

[实施例3]

在空穴阻止层中，不使用实施例1中使用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示 的电子传输材料(eH-5)，除此以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元 件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同 汇总于表3和表4中。

[化50]

[比较例1]

在发光层中，不使用实施例1中使用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-3)，除此以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

[化51]

[比较例2]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传 输材料(eH-3)；不使用空穴传输材料(hH-1)而使用以下所示的空穴传输材料(hH-3)；不 使用空穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电子传输材料 (HB-1)；除此以外，采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行 评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表 4中。

[化52]

[比较例3]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-6)；不使用空穴传输材料(hH-1)而使用上述的空穴传输材料(hH-3)；不 使用空穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电子传输材料 (HB-2)；除此以外，采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行 评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表 4中。

[化53]

[比较例4]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-8)；不使用空穴传输材料(hH-1)而使用上述的空穴传输材料(hH-3)；不 使用空穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传输材料(eH-5)；除 此以外，采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结 果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[化54]

[比较例5]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传 输材料(eH-6)；不使用空穴传输材料(hH-1)而使用上述的空穴传输材料(hH-3)；不使用 空穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电子传输材料(HB-3)；除 此以外，采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结 果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[化55]

[比较例6]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-4)，除此以外，采用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

[化56]

如表3和表4所示，在发光层的电荷传输材料之中承担电子传输的电荷传输材料 的电子亲和力绝对值｜EA1｜与相当于相邻电子传输层的空穴阻止层中所含有的电 子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力绝对值｜EA2｜的关系满足式(1)、 阴极侧电子传输层中所含有的电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力 绝对值｜EA3｜与阴极功函的绝对值｜WF｜的关系满足式(2)的范围内，未见发光特 性的大幅降低，得到了寿命特性良好的结果。

[实施例4]

在发光层中，不使用实施例1中所用的发光材料(D-1)、(D-2)而仅使用(D-1)；不 使用电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传输材料(eH-5)；并且不使用空穴传输材 料(hH-1)而使用以下所示的(hH-2)；在空穴阻止层中，不使用电子传输材料(eH-1)而使 用上述的电子传输材料(eH-5)；除此以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致 发光元件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的 值一同汇总于表3和表4中。

[化57]

[实施例5]

在发光层中，不使用实施例4中所用的电子传输材料(eH-5)而使用上述的电子传 输材料(eH-6)，除此以外，利用与实施例4相同的方法制作有机电致发光元件，同样 地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表 3和表4中。

[实施例6]

在发光层中，不使用实施例4中所用的电子传输材料(eH-5)而使用上述的电子传 输材料(eH-2)，除此以外，利用与实施例4相同的方法制作有机电致发光元件，同样 地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表 3和表4中。

[比较例7]

在发光层中，不使用实施例4中所用的电子传输材料(eH-5)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-7)；不使用空穴传输材料(hH-2)而使用空穴传输材料(hH-3)；不使用空 穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-5)而使用上述的电子传输材料(eH-1)；除此以外， 利用与实施例4相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结果与｜ EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[化58]

[比较例8]

在发光层中，不使用比较例7中所用的电子传输材料(eH-7)而使用上述的电子传 输材料(eH-8)，除此以外，利用与比较例7相同的方法制作有机电致发光元件，同样 地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表 3和表4中。

[比较例9]

在发光层中，不使用比较例7中所用的电子传输材料(eH-7)而使用上述的电子传 输材料(eH-6)；不使用空穴阻止层中所用的电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传 输材料(HB-3)；除此以外，利用与比较例7相同的方法制作有机电致发光元件，同样 地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表 3和表4中。

[比较例10]

在发光层中，不使用比较例7中所用的电子传输材料(eH-7)而使用上述的电子传 输材料(eH-4)；除此以外，利用与比较例7相同的方法制作有机电致发光元件，同样 地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表 3和表4中。

如表3和表4所示，在发光层的电荷传输材料之中承担电子传输的电荷传输材料 的电子亲和力绝对值｜EA1｜与相当于相邻电子传输层的空穴阻止层中所含有的电 子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力绝对值｜EA2｜的关系满足式(1)、 阴极侧电子传输层中所含有的电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力 绝对值｜EA3｜与阴极功函的绝对值｜WF｜的关系满足式(2)的范围内，发现了驱动 电压的明确降低、亮度效率的提高，得到了寿命特性提高的结果。

[实施例7]

在发光层中，不使用实施例1中所用的发光材料(D-1)和(D-2)而仅使用以下所示 的(D-3)；不使用电子传输材料(eH-1)而仅使用以下所示的电子传输材料(eH-9)；不使 用空穴传输材料；在空穴阻止层中，不使用(eH-1)而使用以下所示的电子传输材料 (eH-9)；除此以外，利用与实施例1相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行 评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表 4中。

[化59]

[实施例8]

在发光层中，不使用实施例7中所用的电子传输材料(eH-9)而使用以下所示的电 子传输材料(eH-10)，除此以外，利用与实施例7相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

[化60]

[实施例9]

在空穴阻止层中，不使用实施例7中所用的电荷传输材料(eH-9)而使用上述的电 荷传输材料(eH-1)，除此以外，利用与实施例7相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

[比较例11]

在空穴阻止层中，不使用实施例7中所用的电荷传输材料(eH-9)而使用以下所示 的电荷传输材料(eH-11)，除此以外，利用与实施例7相同的方法制作有机电致发光 元件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一 同汇总于表3和表4中。

[化61]

[比较例12]

在空穴阻止层中，不使用实施例7中所用的电荷传输材料(eH-9)而使用以下所示 的电荷传输材料(HB-4)，除此以外，利用与实施例7相同的方法制作有机电致发光元 件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同 汇总于表3和表4中。

[化62]

[比较例13]

在空穴阻止层中，不使用实施例7中所用的电荷传输材料(eH-9)而使用上述的电 荷传输材料(eH-6)，除此以外，利用与实施例7相同的方法制作有机电致发光元件， 同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总 于表3和表4中。

如表3和表4所示，在发光层的电荷传输材料之中承担电子传输的电荷传输材料 的电子亲和力绝对值｜EA1｜与相当于相邻电子传输层的空穴阻止层中所含有的电 子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力绝对值｜EA2｜的关系满足式(1)、 阴极侧电子传输层中所含有的电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力 绝对值｜EA3｜与阴极功函的绝对值｜WF｜的关系满足式(2)的范围内，可在维持发 光效率的同时得到寿命特性良好的结果。

[比较例14]

在发光层中，不使用实施例1中所用的电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传 输材料(eH-5)；不使用空穴传输材料(hH-1)而使用上述的空穴传输材料(hH-3)；在空穴 阻止层中，不使用电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传输材料(eH-3)；在电子传 输层中，不使用Alq₃而使用上述的电子传输材料(eH-3)；除此以外，利用与实施例1 相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的 值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[比较例15]

在发光层中，不使用实施例4中所用的空穴传输材料(hH-2)而使用上述的空穴传 输材料(hH-3)；不使用空穴阻止材料(eH-5)而使用上述的电子传输材料(eH-3)；在电子 传输层中，不使用电子传输材料Alq₃而使用上述的电子传输材料(eH-3)；除此以外， 利用与实施例4相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结果与｜ EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[比较例16]

在发光层中，不使用实施例1中所用的空穴传输材料(hH-1)而使用上述的空穴传 输材料(hH-3)、不使用电子传输材料(eH-1)而使用上述的电子传输材料(eH-5)来形成发 光层；不使用电子传输材料(eH-1)而使用电子传输材料(eH-3)来制作空穴阻止层；在 电子传输层中，不使用电子传输材料Alq₃而使用将上述电子传输材料(eH-3)与LiF按 体积比计为eH-3:LiF=94:6共蒸镀而成的层；除此以外，采用与实施例1相同的方法 制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结果与｜EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜ -｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

[比较例17]

在发光层中，不使用实施例4中所用的空穴传输材料(hH-2)而使用上述的空穴传 输材料(hH-3)来形成发光层；不使用电子传输材料(eH-5)而使用前期的电子传输材料 (eH-3)来制作空穴阻止层；在电子传输层中，不使用电子传输材料Alq₃而使用将上述 电子传输材料(eH-3)与LiF按体积比计为eH-3:LiF=94:6共蒸镀而成的层；除此以外， 利用与实施例4相同的方法制作有机电致发光元件，同样地进行评价，将结果与｜ EA1｜-｜EA2｜的值和｜WF｜-｜EA3｜的值一同汇总于表3和表4中。

如表3和表4所示，在发光层的电荷传输材料之中承担电子传输的电荷传输材料 的电子亲和力绝对值｜EA1｜与相当于相邻电子传输层的空穴阻止层中所含有的电 子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力绝对值｜EA2｜的关系满足式(1)、 阴极侧电子传输层中所含有的电子亲和力绝对值最大的电荷传输材料的电子亲和力 绝对值｜EA3｜与阴极功函的绝对值｜WF｜的关系满足式(2)的范围内，可在维持发 光效率的同时得到寿命特性良好的结果。

[表3]

[表4]

尽管参照特定的实施方式详细地对本发明进行了说明，但对本领域技术人员来 说，已知可在不脱离本发明的精神和范围施以各种变更和修正。本申请基于2010年 7月8日提交的日本专利申请(日本特愿2010-155918)，以参考的形式将其内容引入本 说明书。

符号的说明

1基板

2阳极

3空穴注入层

4空穴传输层

5发光层

6空穴阻止层

7电子传输层

8电子注入层

9阴极

10有机电致发光元件