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脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法

摘要

本发明公开了一种脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法,包括如下步骤:以基板为阴极,石墨为阳极和碳源,镍为参比电极,将钛源熔融于混合盐中,反应条件为:在惰性气体保护,800-950℃,2.5-3V脉冲电位下反应0.5-2h,即在基板上生成一层碳化钛涂层。本发明采用熔盐电沉积的方法进行沉积,不需要大型设备和贵重材料,成本低廉,操作简单,且反应过程中不需要有害气体,也不产生有害物质,对环境友好,用本方法制备得到的碳化钛涂层致密,性能好。

著录项

  • 公开/公告号CN103014793A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 广东电网公司电力科学研究院;

    申请/专利号CN201210535928.0

  • 发明设计人 吕旺燕;刘世念;苏伟;

    申请日2012-12-11

  • 分类号C25D3/66(20060101);C25D9/10(20060101);C25D5/18(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人郑彤;万志香

  • 地址 510080 广东省广州市越秀区东风东路水均岗8号

  • 入库时间 2024-02-19 18:03:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C25D3/66 变更前: 变更后: 申请日:20121211

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-02-11

    授权

    授权

  • 2013-05-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D3/66 申请日:20121211

    实质审查的生效

  • 2013-04-03

    公开

    公开

说明书

技术领域

本发明属于表面处理技术领域,特别是涉及一种脉冲电沉积制备碳化钛涂 层的方法。

背景技术

过渡族碳化物由于具有非常高的熔点因此被称为难熔金属碳化物。碳化钛 作为其中最重要的难熔金属碳化物之一,具有高熔点(3067℃)、高模量(410-450 GPa)、高硬度(28-35GPa)和良好化学稳定性等优点。因此广泛应用于切削工 具和工业耐磨部件等。碳化钛具有低化学活性,故室温下只被含氧化剂的浓酸 和浓碱腐蚀,在高温下仍具有良好的耐蚀性。工业上最常用来制备碳化钛涂层 的方法有化学气相沉积、物理气相沉积和热喷涂。物理气相沉积比化学气相沉 积所用沉积温度低,但正是由于温度低导致基材和涂层分层,降低粘附性。热 喷涂能制备较厚的碳化钛涂层,然而孔隙率高。另外,也有用钛粉作为反应剂 熔盐合成碳化钛的。

熔盐电化学方法也被用来制备一些碳化物涂层如TaC,NbC,WC,SiC等。在 这些研究中,电合成碳化物所需的碳源是碳酸盐。相对于其它难熔金属碳化物, 碳化钛的电解合成要困难得多,其原因在于钛源(如K2TiF6)易与碳酸盐反应形成 难于被还原的产物(如K2TiO3)。

发明内容

基于此,本发明的目的是提供一种脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法。

具体的技术方案如下:

一种脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法,包括如下步骤:以基板为阴极, 石墨为阳极和碳源,镍为参比电极,将钛源熔融于混合盐中,反应条件为:在 惰性气体保护,800-950℃,2.5-3V脉冲电位下反应0.5-2h,即在基板上生成一 层碳化钛涂层。

在其中一些实施例中,所述钛源为K2TiF6

在其中一些实施例中,所述混合盐的组成及摩尔百分含量为:40-41%NaCl、 50-51%KCl和9-10%NaF。

在其中一些实施例中,所述混合盐的组成及摩尔百分含量为:40.25%NaCl、 50.5%KCl和9.25%NaF。

在其中一些实施例中,所述钛源在混合盐中的重量百分含量为5-10%。

在其中一些实施例中,所述钛源在混合盐中的重量百分含量为7%。

在其中一些实施例中,所述反应条件为:900℃,2.8V脉冲电位下反应1h。

在其中一些实施例中,所述脉冲电位中沉积时间与停止时间比为2-4:1。

在其中一些实施例中,所述碳化钛涂层的厚度为0.5-1μm。

在其中一些实施例中,所述基板为不锈钢板。

本发明的原理:在不锈钢表面电化学合成TiC涂层涉及三个过程,即作为 钛源的K2TiF6被还原成Ti、产生C及Ti与C反应形成TiC。Ti(K2TiF6)在熔融 氟化物或氟化物-氯化物中的电化学还原过程包括以下二个步骤:

Ti4++e=Ti3+    (1)

Ti3++3e=Ti     (2)

在还原过程中,没有观察到涉及Ti2+的中间反应。碳酸根离子常被用作熔盐 电沉积碳化物的碳源。在本发明中,由于熔盐中没有碳酸盐,因此形成碳化钛 所需的碳源只能来自石墨阳极。实验结果表明,石墨阳极在脉冲电沉积过程中 遭受了较为严重的腐蚀,显然,在此过程中石墨能与熔盐反应形成某些含碳产 物。这些含碳产物在不锈钢表面被还原成碳,并与钛反应形成碳化钛。

本发明的有益效果:

工业上制备碳化物涂层最常用的方法有化学气相沉积、物理气相沉积和热 喷涂。物理气相沉积可以在比化学气相沉积温度低得多的条件下进行,但较低 的基体温度也可能导致涂层与基体的结合力下降;热喷涂能制备较厚的碳化物 涂层,但涂层孔隙率高。本发明采用熔盐电沉积的方法进行沉积,不需要大型 设备和贵重材料,成本低廉,操作简单。反应过程中不需要有害气体,也不产 生有害物质,所以本方法对环境友好。用本方法得到的碳化钛涂层致密,性能 好。

附图说明

图1为本发明脉冲电沉积制备得到的碳化钛涂层的XRD图(1为碳化钛, 2为不锈钢基板);

图2为本发明脉冲电沉积制备得到的碳化钛涂层的表面形貌。

具体实施方式

以下通过实施例对本发明做进一步阐述。

实施例1

本实施例脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法如下:

采用线切割将304不锈钢板材线切割成片状试样,并经研磨、清洗及干燥 处理。将Fe-Cr丝点焊至试样的一端作为电极引线,电沉积采用三电极体系,即 以不锈钢板试样为阴极,石墨电极为辅助电极和碳源(阳极),镍电极为参比电 极。以K2TiF6为钛源,以三元共晶(混合盐)40.25mol%NaCl-50.5mol%KCl-- 9.25mol%NaF盐为活性物质K2TiF6的溶剂,K2TiF6在溶剂中的含量为7wt%。将 上述配好的混合盐及钛源放入氧化铝坩埚中,在氩气的保护下升温到900℃。采 用PAR2273电化学工作站进行恒电位脉冲沉积。外加脉冲电位为2.8V,沉积2.4 秒之后停止0.6秒,总的脉冲沉积时间为1小时,即在不锈钢板上沉积一层厚度 为0.8μm的碳化钛涂层。

所述碳化钛涂层的XRD图及表面形貌图参见图1和图2。

从图1、图2可以看出本发明脉冲电沉积方法在不锈钢基体上制备得到的碳 化钛涂层致密连续,与不锈钢基体的结合良好。

碳化钛是一种高硬度陶瓷材料,在室温环境中具有优异的耐磨性能和化学 稳定性。碳化钛具有低的化学活性,故室温下只能被含氧化剂的浓酸和浓碱腐 蚀,在高温下仍具有良好的耐蚀性,具有十分广泛的应用前景,如切削工具、工 业耐磨部件和电极材料等。

不锈钢由于具有高强度、低成本、良好加工性能、良好延展性和导电性的 优点而被用于质子交换膜燃料电池的双极板,但在质子交换膜燃料电池的环境 中,不锈钢双极板容易腐蚀和钝化(导致导电性降低),故而需要在其表面涂覆 上一层耐蚀导电涂层。采用本发明脉冲电沉积的方法在不锈钢双极板上沉积一 层碳化钛涂层,既能保证双极板具有良好的导电性,又能极大地提高双极板的 耐腐蚀性。

实施例2

本实施例脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法如下:

采用线切割将304不锈钢板材线切割成片状试样,并经研磨、清洗及干燥 处理。将Fe-Cr丝点焊至试样的一端作为电极引线,电沉积采用三电极体系,即 以不锈钢板试样为阴极,石墨为辅助电极和碳源(阳极),镍电极为参比电极。 以K2TiF6为钛源,以三元共晶(混合盐)40.25mol%NaCl-50.5mol%KCl--9.25 mol%NaF盐为活性物质K2TiF6的溶剂,K2TiF6在溶剂后中的含量为5wt%。将 上述配好的混合盐和钛源放入氧化铝坩埚中,在氩气的保护下升温到850℃。采 用PAR2273电化学工作站进行恒电位脉冲沉积。外加脉冲电位为3V沉积1.2 秒之后停止0.6秒,总的脉冲沉积时间为2小时,即在不锈钢板上沉积一层厚度 为1μm的碳化钛涂层。

所述碳化钛涂层的XRD图及表面形貌图与实施例1类似,故略去。

实施例3

本实施例脉冲电沉积制备碳化钛涂层的方法如下:

采用线切割将304不锈钢板材线切割成片状试样,并经研磨、清洗及干燥 处理。将Fe-Cr丝点焊至试样的一端作为电极引线,电沉积采用三电极体系,即 不锈钢板试样为阴极,以石墨为辅助电极和碳源(阳极),镍电极为参比电极。 以K2TiF6为钛源,以三元共晶(混合盐)40.25mol%NaCl-50.5mol%KCl--9.25 mol%NaF盐为活性物质K2TiF6的溶剂,K2TiF6在溶剂中的含量10wt%。将上述 配好的混合盐和钛源放入氧化铝坩埚中,在氩气的保护下升温到950℃。采用 PAR2273电化学工作站进行恒电位脉冲沉积。外加脉冲电位为2.5V沉积1.8秒 之后停止0.6秒,总的脉冲沉积时间为0.5小时,即在不锈钢板上沉积一层厚度 为1μm的碳化钛涂层。

所述碳化钛涂层的XRD图及表面形貌图与实施例1类似,故略去。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细, 但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域 的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和 改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附 权利要求为准。

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