退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN110622244A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-27
原文格式PDF
申请/专利权人 索尼公司;
申请/专利号CN201980002347.0
发明设计人 中塩栄治;佐久间英年;松谷修平;西山英俊;佐佐木纯;
申请日2019-03-06
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人王玉双
地址 日本东京都
入库时间 2024-02-19 16:16:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
公开
机译: 高取向FePt磁记录介质,使用高取向FePt磁记录介质的热辅助磁记录装置以及高取向FePt磁记录介质的制造方法
机译: 取向装置,磁记录介质的制造方法和磁记录介质
机译: 磁记录介质用玻璃基板用玻璃坯料的制造方法,磁记录介质玻璃基板的制造方法,磁记录介质的制造方法以及磁记录介质用玻璃基板的玻璃坯料的制造装置
机译:磁记录介质,其制造方法,磁信号再现装置和磁信号再现方法
机译:通过使用超高真空溅射装置制造的超薄高矫顽力FePt探针对磁记录介质进行高分辨率和磁力显微镜观察
机译:多孔氧化铝膜及其形成方法,磁记录介质和磁存储装置
机译:超高真空溅射装置的磁记录介质的高分辨率。通过探针高分辨率磁记录介质。磁力显微镜。
机译:用于图案化磁记录介质的纳米制造方法。
机译:微流体装置的制造方法:概述
机译:偏振光反射评估磁记录介质中粒子取向的评价。
机译:高性能结构层压复合材料,用于1000.degree。 F.及以上,其制造装置及其制造方法,以及由其制造的制品